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一种基于二氧化硅薄膜的兆声清洗效果评估方法
本申请公开了一种基于二氧化硅薄膜的兆声清洗效果评估方法，涉及兆声清洗效果评估领域，该方法包括：制备二氧化硅薄膜样品；将所述二氧化硅薄膜样品放置于兆声清洗槽中进行兆声清洗；获取二氧化硅薄膜样品清洗前后的表征数据；根据二氧化...
严鸿维杨科李昌朋刘太祥黄林吕海兵黄进姚霖张卓钱宇杰易聪之
一种高选择比二氧化硅薄膜蚀刻液
本发明公开了一种提升THOX氧化膜与TEOS氧化膜蚀刻选择比的缓冲氧化蚀刻液，主要成分为氢氟酸，氟化铵，添加剂一，添加剂二以及超纯水。本发明的蚀刻液用于同时蚀刻THOX氧化膜与TEOS氧化膜，并可抑制TEOS氧化膜的蚀刻...
李少平蒲帅张庭贺兆波董攀飞李金航武昊冉许真杨翠翠
一种用于热箱供应TEOS的二氧化硅薄膜制备方法
本发明提供了一种用于热箱供应TEOS的二氧化硅薄膜制备方法，涉及半导体沉积技术领域、制备方法包括如下步骤：将第一预设通量的氧气通入至反应腔室，直至反应腔室达到预设压力；将热箱供应的第二预设通量的TEOS通入至反应腔室内，...
池义史梁
LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺中防颗粒污染技术
2025年
二氧化硅(SiO_(2))薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,在芯片的制造过程中具有多种用途,但易受颗粒污染造成产品不良。对采用TEOS源LPCVD法沉积SiO_(2)膜颗粒污染的方法进行了探索,设计了一种用于防颗粒污染的机构,该机构主要包括微环境系统和温度控制系统,重点介绍了立式LPCVD设备工艺颗粒来源、微环境系统和温度控制系统结构组成,以及微环境系统和温度控制系统的应用效果。
樊坤黄志海王理正王志伟苏子懿
关键词：半导体CVD温度控制微环境二氧化硅
一种透明二氧化硅薄膜的PVD制备方法
本发明公开了一种透明二氧化硅薄膜的PVD制备方法，属于PVD镀膜领域。包括步骤：S1：将基底材料固定于镀膜机真空室的内，进行加热及抽真空；S2：通入氩气，使炉内气压达到特定值；S3：对基底材料的表面进行辉光清洗；S4：从...
汪达文 王金平
一种二氧化硅薄膜的高压磁控溅射设备
本发明公开了一种二氧化硅薄膜的高压磁控溅射设备，包括：主体框架、反应器、翻转装置和真空泵，其中主体框架内设置分别设置有反应器和翻转装置，并且真空泵工作端与主体框架内部空间相连接；反应器处在翻转装置下方；翻转装置包括：支撑...
司荣美 刘彩风 鲍彦广 付丽华
一种二氧化硅薄膜的高压磁控溅射设备
本发明公开了一种二氧化硅薄膜的高压磁控溅射设备，包括：主体框架、反应器、翻转装置和真空泵，其中主体框架内设置分别设置有反应器和翻转装置，并且真空泵工作端与主体框架内部空间相连接；反应器处在翻转装置下方；翻转装置包括：支撑...
司荣美 刘彩风 鲍彦广 付丽华
一种LED二氧化硅薄膜的制作方法
本发明公开一种LED二氧化硅薄膜的制作方法，按照第一预设射频功率基于第一预设流量的硅烷对清除后的二氧化硅种子层进行化学气相沉积，得到完善后的二氧化硅种子层，所述第一预设射频功率大于80W，所述第一预设流量大于220scc...
尚大可 李刚 林武 李文浩 林静
一种用于二氧化硅薄膜生长的微波等离子装备
本发明公开了一种用于二氧化硅薄膜生长的微波等离子装备，涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，包括基座和盖于基座顶部的罩盖，所述基座和罩盖之间形成反应腔，还包括天线内导体，天线内导体顶部形成有沉积区，且天线内导体与基座之间...
刘伟 彭世云 王一东
二氧化硅薄膜及其制备方法
本申请公开二氧化硅薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺，包括如下：S1）将衬底置于反应腔内，加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并保持第一预设时长；S2）对反应腔抽真空至第一压力预设值，反应腔内的温度值为第一...
夏志强 余辉 朱洪力 胡家兴 洪悦 邹黎明 穆堂杰
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杨德仁
作品数：987被引量：902H指数：15
供职机构：浙江大学
研究主题：太阳电池 硅 直拉硅单晶 欧姆接触电极 硅片
陆卫
作品数：765被引量：661H指数：11
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：红外探测器 量子阱红外探测器 膜系 碲镉汞 多量子阱
徐骏
作品数：235被引量：221H指数：7
供职机构：南京大学
研究主题：纳米硅 多层膜 硅基 硅 光致发光
徐岭
作品数：103被引量：99H指数：5
供职机构：南京大学
研究主题：纳米硅 纳米光电子器件 纳米电子 多层膜 二氧化硅薄膜
陈坤基
作品数：271被引量：235H指数：7
供职机构：南京大学
研究主题：纳米硅 多层膜 硅基 光致发光 硅