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搜索到630篇“ 价电子结构“的相关文章

RAlX系列化合物的价电子结构、结合能和磁矩: 2023年; 针对RAlX(R=La,Ce,Pr;X=Ge,Si)系列化合物,基于固体与分子经验电子理论(EET)构建含4f电子的稀土元素Ce和Pr的杂化表。对EET理论中的K公式进行适应性修正,用修改后的公式计算单质稀土Ce和Pr的内聚能、熔点和磁矩等性能,计算结果与试验结果相符,验证了杂化表的可靠性。用新的杂化表计算Weyl半金属RAlX(R=La,Ce,Pr;X=Ge,Si)的价电子结构(VES)、结合能与磁矩,计算得到的键长和磁矩与试验结果基本一致。结果表明:RAlX化合物的VES与晶体结构、结合能和磁矩有很强的相关性。; 彭思琦殷林瀚李博洋冯奕晨王泰郭永权李宝让; 关键词：固体与分子经验电子理论价电子结构结合能

Zr_(55)Al_(10)Ni_(5)Cu_(30)非晶合金晶化相转变的价电子结构分析: 2023年; 基于EET理论,计算了F-Zr_(2)(Ni,Cu)和tI-Zr_(2)Cu及tI-Zr_(2)(Cu,Ni)相的价电子结构,用最强键键合力n1、结构单元总成键能力F和单位成键能力Fv分析了F-Zr_(2)Ni亚稳相向tI-Zr_(2)Cu型稳定相的转变过程。研究发现:F-Zr_(2)Ni的n1F-Zr_(2)Ni值比tI-Zr_(2)Cu的n1tl-Zr_(2)Cu值大115.36%,FF-Zr_(2)Niv值比tI-Zr_(2)Cu的FtI-Zr_(2)Cuv值大34.03%;F-Zr_(2)(Ni_(0.3),Cu_(0.7))的n1(F-Zr_(2)(Ni_(0.3),Cu_(0.7)))值比tI-Zr_(2)Cu的n1tl-Zr_(2)Cu值大0.36%,F(F-Zr_(2)(Ni_(0.3),Cu_(0.7)))v值比tI-Zr_(2)Cu的FF-Zr_(2)Niv值大1.25%;tI-Zr_(2)(Cu_(0.6),Ni_(0.4))的n1(tI-Zr_(2)(Cu_(0.6),Ni_(0.4)))值比F-Zr_(2)(Ni_(0.3),Cu_(0.7))的n1(F-Zr_(2)(Ni_(0.3),Cu_(0.7)))值大12.95%,F(tI-Zr_(2)(Cu_(0.6),Ni_(0.4)))v值比F-Zr_(2)(Ni_(0.3),Cu_(0.7))的Fv(F-Zr_(2)(Ni_(0.3),Cu_(0.7)))值大14.41%;从价电子结构角度看,F-Zr_(2)Ni不能直接转变为tI-Zr_(2)Cu,F-Zr_(2)(Ni,Cu)不易分解重构为tI-Zr_(2)Cu;F-Zr_(2)(Ni_(0.3),Cu_(0.7))可分解并转变为tI-Zr_(2)(Cu0.6,Ni0.4)。; 屈赫刘伟东屈华杨松; 关键词：价电子结构

调节Co_(3)O_(4)的价电子结构提高硝酸根还原制氨的催化活性: 2023年; 通过硝酸根电化学还原反应将NO_(3)^(-)转化为NH_(3)是一种有前景的制氨和“绿氢”储存方案.Co_(3)O_(4)对于硝酸根还原析氨反应表现出较高的析氨法拉第效率和稳定性,有望成为理想的催化剂.然而,在Co_(3)O_(4)上发生硝酸根还原反应仍需较高的过电位,从而阻碍了能量转换效率的提升.本文中,我们合成了Cu掺杂Co_(3)O_(4)多孔空心纳米球用作硝酸根还原析氨催化剂.Cu掺杂在保障析氨法拉第效率和稳定性的前提下大幅降低了反应所需的过电位,有效提高了析氨速率.实验和理论分析均表明,Cu掺杂使Co_(3)O_(4)的最高占据态能量上移,缩小了Co_(3)O_(4)的最高占据态与NO_(3)^(-)的最低未占据分子轨道之间的能垒,从而降低了电子从Co_(3)O_(4)向NO_(3)^(-)跃迁所需的过电位,赋予了Cu掺杂Co_(3)O_(4)多孔空心纳米球优异的硝酸根还原析氨电催化活性和耐久性.本研究为纳米材料的电化学性能调控研究提供了新的理论视角.; 陈文达陈志达黄振城郑黎荣赵晓娟胡江涛曹慧群李永亮任祥忠欧阳晓平叶盛华颜学庆张黔玲刘剑洪; 关键词：AMMONIA

合金元素对锆合金相变温度影响的价电子结构参数分析被引量：1: 2022年; 基于固体与分子经验电子理论(余氏电子理论),采用自洽键距差法计算了表征合金相性质的价电子结构参数,并利用该参数讨论了合金元素(Al、Sn、Ti、Hf、V、Mo、Nb、Cu、Fe、Cr、Ni、Pd、Re等)对锆合金相变温度的影响。结果表明:合金元素对锆合金相变温度的影响可以用α和β相的结合能之和(∑Eˉ′_(C))与结合能之差(ΔEˉ′_(C))来表征。溶入锆基体后结合能之和较小的Cr、Al、Sn、Fe、Cu、Ni、Ti等元素会抑制α→β相转变,提升相变温度;而溶入锆基体后结合能之和较大的Hf、V、Mo、Pd、Nb、Re等元素会促进α→β相转变,降低相变温度。在锆合金相变过程中,具有正结合能之差的元素(Al)将促进β→α相转变,提升相变温度;具有负结合能之差的元素(Cr、Sn、Fe、Cu、Ni、Ti、Hf、V、Mo、Pd、Nb、Re等)将抑制β→α相转变,降低相变温度。α相稳定元素(Al)和β相稳定元素(Mo、Nb、Re、V、Pd)可用∑Eˉ′_(C)和ΔEˉ′_(C)来解释,但是β相稳定元素(Cr、Fe、Cu、Ni、Ti)主要通过ΔEˉ′_(C)来解释;此外,α相稳定元素(Sn、Hf)可以用较小的∑Eˉ′_(C)来描述。; 李飞林成史艳华梁平; 关键词：锆合金相变电子结构

液态金属电池电极的价电子结构与其热--电性能的关联性: 液态金属电池容量大、寿命长且制作简单，具有广阔的应用前景，是目前大规模储能领域的最佳选择。本文应用固体与分子经验电子理论系统地研究液态金属电池金属电极的价电子结构与其热性能和电性能的关联性。研究结果表明:金属电极合金的价...; 张健; 关键词：价电子结构; 文献传递

Al-Cu-Mg-Ag合金Ω相价电子结构与沉淀硬化能力的关系被引量：2: 2021年; 基于固体与分子经验电子(Empirical electron theory of solids and molecules,EET)理论,计算了Ω相的价电子结构,分析了主键络的空间分布形态,研究了最强共价键与位错运动、共价电子密度与析出相强度、成键能力与析出相稳定性的关系。结果表明:Ω相共价主干键络呈三维“梅花”状分布,“花心”由Cu-Cu原子最强共价键连接;基体α最强共价键的键合力n1α为0.20857,Ω相的n1Ω为0.49056,基体{111}晶面上析出的Ω相使{111}晶面上位错滑移的阻力增加135.20%;从共价电子密度看,Ω相强度比S、θ′相的分别大2.67%和15.83%;从成键能力看,Ω相的稳定性比S和θ′相的分别大91.31%和291.92%;从共价电子结构看,{111}晶面析出的Ω相的沉淀硬化能力比{001}晶面析出的S、θ′相强。; 屈华徐巧至刘伟东齐健学娄琦蒋新宇; 关键词：AL-CU-MG-AG合金 Ω相 EET理论价电子结构

Na||Sb-Pb-Sn液态金属电池电极的价电子结构与热-电性能计算被引量：3: 2021年; 应用固体与分子经验电子理论系统地研究液态金属池Na||Sb-Pb-Sn电极的价电子结构与热、电性能.研究结果表明:电极合金的价电子结构与其性能密切关联.阴极合金Na_(1–x)IA_x (IA=K, Rb, Cs)的晶格电子随着掺杂量的增加而减少,诱发合金的熔点、结合能随掺杂量的增加而降低. Na离子输运到阳极,与阳极Sb-Sn-Pb形成产物NaSb_3, NaSn, Na_(15)Sn_4, NaPb.其理论熔点与实验相符. NaSb_3的平均晶格电子数最少,开路电压最高.研究表明:对于Na||Sb-Pb-Sn液态金属电池体系而言,晶格电子扮演重要的角色,可以调控电极的热、电性能.; 张健王心桥苏彤陈英郭永权; 关键词：固体与分子经验电子理论价电子结构开路电压

Al-Cu-Mg合金S相及S/α相界面价电子结构分析被引量：2: 2020年; 基于EET理论,计算了α-Al与S相及S/α相界面的价电子结构,分析了S相价电子结构与析出强化、S/α相界面价电子结构与界面性能的关系。研究表明:S相共价键分布较为均匀,Cu原子将S相原子间键合力最强的4条共价键连接在一起构成主键络。S相析出强化的微观本质在于其最强共价键的键合力比基体α-Al的大135.14%,对位错运动具有较强的阻力作用。S相与基体α-Al形成的(100)S//(100)α和(010)S//(0■2)α及(001)S//(021)α面的共价电子密度差?ρ分别为0.003%、3.564%和5.811%,(100)S//(100)α面上的共价电子密度为10.3915和10.3918nm-2,(010)S//(0■2)α面上的共价电子密度为0.0486和0.0469 nm-2,(001)S//(021)α面上的共价电子密度为0.0486和0.0459 nm-2。与(001)S//(021)α和(010)S//(0■2)α面相比,(100)S//(100)α面的原子键合力与共价电子密度均最大,共价电子密度差最小,界面连续性最好,界面的应力最小。; 屈华徐巧至刘伟东齐健学; 关键词：AL-CU-MG合金 S相相界面价电子结构

Al-Cu-Mg-Ag合金Ω/Mg-Ag/α界面价电子结构分析被引量：1: 2020年; 基于EET理论,研究了Al-Cu-Mg-Ag合金Ω相与基体α之间界面的价电子结构,计算了α、Mg-Ag偏聚区、Ω相空间价电子结构和Ω/Mg-Ag/a界面、Ω/α界面的价电子结构,分析了Ω/Mg-Ag/α界面价电子结构与界面性能的关系。研究表明:Ω/Mg-Ag/α界面外层Mg-Ag/α面电子密度差为16.54%,内层Ω/Mg-Ag面电子密度差为50.73%,外层的连续性好于内层;Mg-Ag层使W相与基体α间的界面电子密度差减小1.13%,使(111)α面上的最强共价键键合力增大14.52%、(111)α面的共价电子密度增大146.87%、(001)Ω面最强共价键键合力增大45.85%、(001)Ω面的共价电子密度增大了45.30%。Mg-Ag层增大了W相对位错滑移的阻力,减小界面两侧相平面的电子密度差,增加了界面连续性,减小了界面应力,增大了界面结合力,增大了界面稳定性,提高了合金的强韧性。; 屈华齐健学刘伟东徐巧至; 关键词：AL-CU-MG-AG合金 Ω相价电子结构

Ag对Al-Cu-Mg合金固溶体价电子结构及时效惯序的影响: 2020年; 基于EET理论(empirical electron theory of solids and molecules),计算了Al-Cu-Mg-Ag合金α-Al,α-Al-Mg,α-Al-Ag,α-Al-Cu固溶体和时效初期α-Al-Mg-Ag,α-Al-Mg-Cu固溶体的价电子结构,用最强共价键的共价电子数n1和结构单元总成键能力F分析了固溶体结构的稳定性,研究了Ag在基体{111}面上偏聚对Mg,Cu偏聚行为和合金时效析出惯序的影响。研究表明:α-Al-Cu,α-Al-Ag和α-Al-Mg的总成键能力分别比α-Al的小35.40%,15.32%和6.24%,α-Al-Cu,α-Al-Ag和α-Al-Mg的结构稳定性均小于α-Al的结构稳定性。α-Al-Ag和α-Al-Mg最强共价键的n1值分别比α-Al的大31.30%和21.43%,而α-Al-Cu最强共价键的n1值比α-Al的小0.14%,Cu在{111}面集聚没有驱动力。随着时效的进行,时效初期形成的α-Al-Mg-Ag的最强键、次强键的键合力和总成键能力逐渐增大,结构越来越稳定;而α-Al-Mg-Cu各共价键的键合力和总成键能力逐渐减小,结构越来越不稳定,易于发生改组重构。Cu原子因Mg,Ag原子而在{111}面上集聚,为Ω相的形成提供了形核基础;Mg,Ag原子不直接参与Ω相的形核,但为其形核提供了触媒剂。{111}面上Ag,Mg原子的集聚减少了{001}面上的Cu和Mg原子,抑制了θ′和S相的析出。; 屈华刘伟东齐健学徐巧至; 关键词：AL-CU-MG合金固溶体价电子结构

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