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一种电阻率钛酸钡基PTC陶瓷
本发明公开了一种电阻率钛酸钡基PTC陶瓷的制备方法,包括BaCO<Sub>3</Sub>,TiO<Sub>2</Sub>,SrCO<Sub>3</Sub>,CaCO<Sub>3</Sub>,Nb<Sub>2</Sub>...
张鹏王宇航孟武恒李峰沈十林
半导体电阻率欧姆接触结构及其制备方法
本发明提供一种半导体电阻率欧姆接触结构及其制备方法,半导体电阻率欧姆接触结构包括:半导体表面层以及形成于半导体表面层上的金属接触层,金属接触层包括依次层叠的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层;第一金属层深...
陈平苗裕田徐国印仲莉薛春来
用于形成具有电阻率的金属间隙填充物的方法
用于降金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤:在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层,其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小,使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属...
徐翼雷雨亓智敏张爱西赵咸元雷伟高兴尧希里什语·A·佩特黄涛常翔帕特里克·博-均·李杰拉尔丁·瓦斯奎兹吴典晔汪荣军
一种用于铜互连线的电阻率高失效温度的单层扩散阻挡层
本发明属于集成电路制造领域,具体涉及一种用于铜互连线的电阻率高失效温度的单层扩散阻挡层。所述扩散阻挡层为铜互连扩散阻挡层,所述铜互连扩散阻挡层位于铜和硅基底之间,所述铜互连扩散阻挡层同时含有M和N元素,所述M选自Zr、...
陈秀华刘龙思曹依琳赵俊楠马文会
一种磁控溅射制备高致密度、电阻率氮化钛薄膜的方法
本发明公开了一种磁控溅射制备高致密度、电阻率氮化钛薄膜的方法;采用半导体晶圆作为基底,利用超高真空互联管道将基片传送至具有超高真空本底的磁控溅射反应腔室内;采用氮化钛化合物靶材,样品台达到需要的薄膜沉积温度后,通入氩气...
杨师诚韩世成丁孙安伍莹曾晓宏
用于形成电阻率接触的方法
用于减小接触电阻的方法包括在中间工序(MOL)接触结构上执行选择性硅化钛(TiSi)沉积工艺,该中间工序(MOL)接触结构包括在介电材料的基板中的空腔。接触结构亦包括在空腔的底部处的硅基连接部分。相对于介电材料,选择性T...
吕疆吴立其窦伟叶伟峰陈世忠汪荣军唐先敏万一扬张书锚郭涧秋
电阻率的等离子体增强钨成核
一种在基板上形成结构的方法包括在至少一个特征内形成钨成核层。方法包括通过循环气相沉积制程形成成核层。循环气相沉积制程包括形成成核层的一部分,然后将成核层暴露至化学气相传输(CVT)制程,以从成核层的一部分中去除杂质。CV...
杨宗翰尹俊英汪荣军徐翼雷雨候文婷唐先敏
一种高强度电阻率导电包装材料及其制备方法
本发明公开了一种高强度电阻率导电包装材料及其制备方法,涉及包装材料技术领域,首先,将氧化锌纳米棒清洗并通过超声震荡分散在去离子水中,加入尿素进行氮掺杂处理,最后清洗并烘干得到氮掺杂氧化锌纳米棒;其次,将聚丙烯酸溶解于去...
姜震张桂先张睿
一种电阻率碳化硅单晶的生长方法、系统及单晶
本发明属于晶体生长技术领域,提供了一种电阻率碳化硅单晶的生长方法、系统及单晶,将碳化硅粉料均匀摊铺在石墨坩埚底部,在碳化硅粉料表面均匀摊铺金属碳化物材质颗粒,并将碳化硅籽晶粘接在石墨坩埚顶部;对石墨坩埚进行密封,对其内...
谢雪健田佳奇陈秀芳杨祥龙徐现刚
用于集成电路的电阻率互连件及其形成方法
本公开提出一种用于集成电路的互连件及其形成方法。形成用于集成电路的互连件的方法,包含:标识互连件势垒材料;标识多种潜在掺杂元素;形成包含互连件势垒材料的潜在势垒结构的集合体,互连件势垒材料在多个掺杂位置处且以多种潜在掺杂...
迦尼士·海兹哈索诺·S·席姆卡

相关作者

彭俊彪
作品数:977被引量:650H指数:13
供职机构:华南理工大学
研究主题:薄膜晶体管 喷墨打印 氧化物 电极 共轭聚合物
徐苗
作品数:227被引量:71H指数:5
供职机构:华南理工大学
研究主题:薄膜晶体管 显示面板 氧化物 电极 金属氧化物
王磊
作品数:435被引量:186H指数:8
供职机构:华南理工大学
研究主题:薄膜晶体管 电极 氧化物 显示面板 金属氧化物
宋永才
作品数:293被引量:876H指数:18
供职机构:国防科学技术大学
研究主题:聚碳硅烷 碳化硅纤维 先驱体 纤维 碳硅烷
姚日晖
作品数:383被引量:227H指数:8
供职机构:华南理工大学材料科学与工程学院
研究主题:薄膜晶体管 喷墨打印 氧化物 溶液法 墨水