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低能电子在直径为800 nm的聚对苯二甲酸乙二醇酯纳米微通道中的输运过程: 2025年; 研究了2 keV电子在直径为800 nm,长度为10μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)纳米通道中的输运过程.结果表明,当纳米微通道倾角为0°时,穿透电子的穿透率可达10%,而当倾角大于几何张角时,穿透电子的透射率小于1%.穿透电子角分布中心没有随微孔倾角的变化而移动,因此没有如在正离子的情况下那样观察到绝缘微孔对电子的导向效应.在充电达到稳态时,当微孔倾角小于几何张角时,电子分裂成上下两个电子斑.穿透电子的全角分布的时间演化表明,在充电开始时,穿透电子为单电子斑.随着入射电荷量(充电时间)的累积,穿透电子被上下拉伸,并逐渐分裂成两个电子斑.当纳米微孔的倾角超过几何张角时,穿透电子的分裂趋于消失.对电子造成微孔内壁上的电荷沉积的模拟计算表明,微孔表面被激发出大量空穴,形成正电荷累积;而部分入射电子沉积于表面以下更深处,形成负电荷层,因此不利于产生类似正离子的导向效应.本文还讨论了造成穿透电子角分布上下分裂的可能原因,并据此提出验证电子和离子充电机制不同的新的实验方法.研究结果为利用绝缘微通道控制电子传输技术的发展提供了支撑.; 李鹏飞李鹏飞哈帅潘俞舟樊栩宏杜战辉万城亮万城亮崔莹姚科姚科邵曹杰杨治虎邵曹杰宋玉收张红强宋玉收; 关键词：低能电子

量热法和阶梯叠层法测量低能电子束辐照参数: 2025年; 电子束辐照加工在核技术应用产业中成为重要的一部分,低能电子束辐照在涂层固化、废水处理、食品保鲜等方面应用越来越广,辐照的计量参数对于辐照质量至关重要。低于300 keV的电子束剂量学相关标准尚未建立,参数测量都溯源至10 MeV电子直线加速器,测量对象的不一致带来了系统性偏差。本论文针对低于300 keV的低能电子束,开展了测试与模拟计算相结合的电子束能量测量方法研究,研制了基于量热法的吸收剂量测量装置,实现了低能电子束吸收剂量的绝对测量。结果表明:通过阶梯叠层法剂量实验结合能量深度分布曲线模拟的方式测得电子束能量为140 keV,通过量热法实现了(1~120) kGy范围内吸收剂量的测量,测量不确定度为11%(k=2)。本研究为低能电子束辐照加工提供了可靠的计量保障。; 罗瑞张雨禾毛娜请

一种低温样品台以及低能电子衍射制冷系统: 本实用新型涉及低能电子衍射技术领域，提出一种低温样品台以及低能电子衍射制冷系统，其中低温样品台包括样品杆，其第一端与样品连接；样品托，其布置在所述样品杆的第一端上，所述样品托被配置为放置样品；样品杆导热片，其与所述样品杆...; 艾金虎

C_(4)^(-)离子的低能电子弹性散射研究:共振态与同分异构: 2024年; 基于从头算R-矩阵方法,在固定核近似下,采用单态密耦合(close couple,CC)模型,研究了低能电子与C_(4)^(-)负离子的散射过程.研究结果预测了该负离子四种异构体在0-12 eV的能区内的电子弹性散射积分截面,研究了存在的共振态以及构型变化对共振态位置与宽度的影响.此外还对理论结果与现有实验数据进行了细致的比较和分析,结果表明,实验观测到的8.8 eV共振峰主要是异构体A的∑_(u)^(+)和∑_(u)^(-)共振态的贡献以及少部分来自异构体C的A2共振态的贡献.散射截面上揭示了异构体A存在五个共振态,异构体B有三个共振态,异构体C和D各存在四个共振态.最后,根据玻尔兹曼分布计算了不同温度下各异构体的布居,模拟了在常温条件下C_(4)^(-)的低能电子弹性散射积分截面,与已有的实验结果符合较好.同时还发现在3.3 eV的低能区处存在一个宽度为0.20 eV的势形共振态,为实验的进一步证实提供了理论参考.; 李炅远孟举王克栋; 关键词：电子散射共振态

低能电子轰击引起氧化铝钝化膜BCMOS传感器暗电流变化研究: 2024年; 针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化层BCMOS图像传感器,轰击能量大于600 eV时暗电流增加速率明显;轰击电子能量不超过1.5 keV时,暗电流存在最大值,约为12000 e-/pixel/s;电子轰击后的BCMOS图像传感器在电子干燥柜中静置时,其暗电流呈指数趋势下降。通过分析指出入射电子引起氧化铝钝化层与硅界面处缺陷态增加,是引起上述现象的主要原因。; 闫磊石峰程宏昌焦岗成杨晔肖超樊海波郑舟董海晨何惠洋; 关键词：暗电流电子轰击

一种低能电子加速器屏蔽结构: 本发明公开了一种低能电子加速器屏蔽结构，包括：屏蔽辊筒、上下屏蔽块、传动电机和电子加速器束流引出窗，所述上下屏蔽块的一端内部开设有上下对称的圆弧槽，所述屏蔽辊筒安装在所述圆弧槽内，另一端与所述电子加速器束流引出窗连接，所...; 朱焕铮许森飞陆洁平杨春名陈川红周佩芳陆梦琳

一种低能电子加速器束下装置反应器: 本实用新型涉及电子加速器技术领域，具体为一种低能电子加速器束下装置反应器，包括皮带输送机，皮带输送机的上端面位于电子加速器本体的左侧设置有料箱，料箱内部的前后两端面之间固定连接有输料筒，输料筒的内部转动连接有转轴，转轴外...; 周春宝王鲁朋曲英状

一种用于箱式物料的低能电子束表面消杀系统: 本发明是关于一种用于箱式物料的低能电子束表面消杀系统，屏蔽装置设置有消杀空间、输入空间和输出空间，消杀空间的壁面嵌设有隔板。辐照设备设置有射线辐射区域，机械手装置包括第一机械臂组和第二机械臂组，第一机械臂组用于抓取箱体绕...; 范林霞徐赞京李学先王非陈岩吴晓洁尹政江海侯静刘赞

从头算分子动力学研究硫脲嘧啶及其互变异构体在低能电子作用下的解离过程: 2024年; 运用玻恩-奥本海默分子动力学模型结合密度泛函理论研究了气相下硫脲嘧啶与低能电子吸附解离动力学过程,发现硫脲嘧啶及其互变异构体在吸附解离过程中一个重要的脱氢现象,即特定位置的化学键N—H键,C—H键断裂,使其在N位点和C位点失去氢原子,形成解离过程中最主要的负离子碎片——闭壳层脱氢负离子(TU-H)-为了更深刻地认识脱氢现象,分别对断裂的化学键进行势能曲线扫描,对键解离能、电子亲和能、负离子(TU-H)-出现势进行计算对比发现,在所有断裂的化学键中N—H键最容易发生断裂,而负离子(TU-H)-的形成主要源于N—H键的断裂.; 张颖张颖王兴徐忠锋张艳宁周贤明梁昌慧梁昌慧

低能电子束辐射固化过程温度效应及后固化研究: 2024年; 实验对低能电子束单面辐射碳纤维/环氧树脂基复合材料固化过程中的温度效应进行了研究.结果表明:低能电子束辐射固化温度较低,基本保持在室温,没有热效应,即使采用250 kGy辐射剂量辐射时,复合材料的表面温度只有43.1℃,造成复合材料的固化度和玻璃化转变温度(Tg)都比较低;当对复合材料进行电子束辐射后再进行加热后固化处理,其固化度及玻璃化转变温度(Tg)提高效果显著.; 赵新明; 关键词：环氧树脂基复合材料后固化

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