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迁移增强外延GaAs/Al/GaAs材料生长及其分析
1996年
在配有液N2冷却As快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延(MEE)方法于低温下生长了GaAs/Al/GaAs结构材料。测量结果表明,用MEE方法生长的材料中Al和GaAs之间的互扩散大大减小,在500℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数GaA5(113)B面上用MEE方法生长GaAs薄膜效果更好。
钟战天崔玉德曹作萍张广泽孙学浩张立宝肖君朱勤生邢益荣
关键词:俄歇分析砷化镓
电气火灾痕迹物证技术鉴定方法 第3部分:分析
本文件规定了电气火灾痕迹物证技术鉴定方法当中俄歇分析法的原理、设备、器材与试剂、检材、方法步骤和成分特征。本文件适用于在火灾调查时,对火灾现场中提取的铜导线短路熔痕截面上孔洞内表面采用俄歇电子能谱仪进行成分分析,以此鉴定...
邸曼夏大维鄂大志张明吴莹赵长征高伟
铝焊垫分析中荷电效应影响及其降低方法被引量:2
2017年
铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响分析的结果。铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证分析结果正确的前提。从优化电子能谱仪分析条件(比如降低入射电压、倾斜样品载物台、Ar+离子中和)和使用辅助方法改善样品导电性两大方面,介绍了几种减少荷电效应的有效方法,提出了铝焊垫分析的基本流程。结果表明,此分析流程能有效提高分析效率,为业内分析人员提供借鉴。
虞勤琴李明段淑卿
关键词:俄歇电子能谱荷电效应
对半导体器件结构的焊垫进行分析的方法
本发明涉及对半导体器件结构的焊垫进行分析的方法,具体步骤为:提供前端器件,前端器件包括半导体衬底和焊垫;在焊垫上的分析区域周围形成深至半导体衬底的上表面或者深至半导体衬底内部的电子导通通道;最后对焊垫进行分析。其...
齐瑞娟段淑卿李明芮志贤杨卫明
太赫兹器件用新型浸渍扩散阴极研究
为了提升热阴极的发射性能以满足太赫兹器件的需求,中科院电子所开展了太赫兹器件新型浸渍扩散阴极的研究。本文主要介绍新浸渍扩散阴极的发射性能,阴极最表面成分分析的结果,以及实用太赫兹阴极的制备及应用情况。在1100℃B,...
阴生毅郑强王欣欣彭真王宇李阳
关键词:俄歇分析
FGH96合金粉末的分析及预热处理被引量:2
2012年
针对等离子旋转电极工艺制备的FGH96合金粉末,采用电子能谱对合金粉末的颗粒表面进行成分分析,并利用透射电镜对预热处理后粉末中的碳化物演变进行研究。结果表明:FGH96合金粉末的颗粒表面明显存在O、C和Ti元素的偏聚,原始合金粉末的颗粒表面由O和C原子吸附层和富含Ti元素的碳氧化物层组成;经过预热处理,颗粒中形成于快速凝固过程中的MC′亚稳碳化物转变成稳定的MC碳化物,并析出M23C6碳化物,明显改善了颗粒内碳化物的稳定性和分布状态。
刘建涛张义文
关键词:俄歇分析碳化物
镀膜金刚石膜层的分析被引量:1
2012年
镀膜金刚石在现代金刚石制品中的应用愈来愈重要,我们对镀铬和镀钛两种金刚石的镀层作了分析。结果表明:能较准确分析膜层元素原子数分数、膜层厚度;所用镀铬和镀钛金刚石,镀层中分别除碳、铬元素,碳、钛元素外,均含有氧元素,这是镀层表面氧化所致;所用镀铬和镀钛金刚石,相对稳定的镀层厚度分别约为25 nm,360 nm。XRD线谱分析,镀铬金刚石镀层由于太薄,未发现衍射相,镀钛金刚石镀层却有TiC为基的固溶体形成。
徐燕军柳成渊尹翔沈翔罗锡裕
关键词:俄歇分析镀层
对半导体器件结构的焊垫进行分析的方法
本发明涉及对半导体器件结构的焊垫进行分析的方法,具体步骤为:提供前端器件,前端器件包括半导体衬底和焊垫;在焊垫上的分析区域周围形成深至半导体衬底的上表面或者深至半导体衬底内部的电子导通通道;最后对焊垫进行分析。其...
齐瑞娟段淑卿李明芮志贤杨卫明
因子分析技术在铀与CO,O_2反应分析中的运用被引量:2
2005年
运用因子分析技术和Multipak软件中的TFA功能对铀分别在CO和O2气氛中的谱进行了处理。分析表明,因子分析方法能有效地解决C(KLL)和U(LMM)峰中的重峰问题,并能从原始数据中剥离出纯组元;同时还清楚地表明,铀与CO在300℃作用1 h后,在其表面形成了铀的碳化物(或碳氧化物);对铀在低压氧气中的氧化反应,用因子分析技术获得了金属态和氧化态的铀元素随氧气暴露剂量的变化情况,清楚地显示了氧化膜生长的3个阶段。
杨江荣蒋春丽陆雷肖红汪小琳
关键词:COO2
纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究被引量:9
2003年
用扫描探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明 ,ZnO薄膜掺入磷或硼后 ,可以显著降低薄膜电阻 ;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度 ,从而改变Zn/O化学计量比 ,Zn/O化学计量比越大 ,薄膜电阻越小 ;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为 85 0℃和 80 0℃。
王文青陈晓伟高军韩晓英宋淑芳赵金茹
关键词:掺磷俄歇分析纳米ZNO薄膜电学性质掺硼氧化锌薄膜

相关作者

赵金茹
作品数:15被引量:20H指数:2
供职机构:中国兵器科学研究院
研究主题:掺磷 俄歇分析 氮化物 电子显微镜分析 掺硼
韩晓英
作品数:4被引量:9H指数:1
供职机构:中国兵器工业第五二研究所
研究主题:掺磷 俄歇分析 掺硼 纳米ZNO薄膜 电学性质
王文青
作品数:10被引量:23H指数:3
供职机构:中国兵器工业第五二研究所
研究主题:掺磷 俄歇分析 电学特性 P 掺硼
宋淑芳
作品数:26被引量:72H指数:5
供职机构:北京交通大学
研究主题:纳米ZNO薄膜 GAN薄膜 光致发光 GAN 掺铒
李成基
作品数:49被引量:42H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 砷化镓 电阻率 光子扫描隧道显微镜 GAAS