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一种光刻工艺方法
本发明公开了一种光刻工艺方法，属于半导体技术领域，所述光刻工艺方法包括以下步骤：提供一晶圆衬底，且所述晶圆衬底上设置有氮化硅层；在所述氮化硅层上形成一层中和层，所述中和层与所述氮化硅层中的碱性物质中和；以及在所述氮化硅层...
段成明
光刻工艺的子场控制和相关设备
公开了一种用于控制光刻设备的方法，该光刻设备被配置为在至少包括子场的衬底上图案化曝光场，该方法包括：获取初始空间分布，初始空间分布与性能参数的空间变化相关联，性能参数的空间变化在衬底上至少跨曝光场的子场的第一层相关联；以...
P·萨普塔拉P·G·J·斯莫雷伯格K·艾尔巴泰P·德尔温钟波小松雅也R·梅耶林克T·W·M·泰杰森M·S·S·莱
一种平板显示器的光刻工艺优化方法
一种平板显示器的光刻工艺优化方法，包括：利用不同规格尺寸的测试图形跟随当前产品完成第一光罩制作；收集所述第一光罩在多个不同曝光能量条件下的曝光数据，并建立工艺窗口模型；使用所述工艺窗口模型，给出下一支产品的最佳曝光能量以...
孔苓文崔耀升郑振国雍晓杨晓东
一种光刻工艺变更后匹配AEI的方法
本发明提供一种光刻工艺变更后匹配AEI的方法，包括：获取光刻工艺变更前的ADI与AEI以及光刻工艺变更后的ADI与AEI；将光刻工艺变更前后的ADI以及AEI相匹配获得光刻工艺变更后的ADI差值；采用插值法得到关于ADI...
陈壮李辉
光刻工艺控制方法、装置、设备及存储介质
本发明涉及光刻工艺控制技术领域，公开了一种光刻工艺控制方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：采集光刻过程的若干个实时数据；为每一个控制目标和控制因子定义工艺窗口的上限与下限，利用工艺窗口对采集的若干个实时数据进行过滤清...
王先付王传凯付智林
一种用于剥离的双层胶光刻工艺方法
本发明涉及一种用于剥离的双层胶光刻工艺方法，首先在衬底上依次旋涂正性光刻胶和反转光刻胶，然后进行第一次曝光并反转烘，使反转光刻胶形成不溶于显影液的T型光刻胶结构两侧的凸出檐，再进行第二次曝光，使T型光刻胶结构之外的光刻胶...
万文坚曹俊诚黎华
一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法
本发明涉及一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法，包括：(1)在衬底上旋涂负性光刻胶，衬底边缘堆积形成高于中间区域的边胶；对衬底进行第一次软烘；(2)旋涂正性光刻胶，对衬底进行第二次软烘；(3)用去边掩膜板和去边紫外光对衬底进...
万文坚曹俊诚黎华
一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机
本申请公开了一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机，可用于半导体制造领域，该方法中，获取套刻误差分布数据；套刻误差分布数据为套刻误差的绝对值的平均数与三倍标准差之和；套刻误差分布数据的多项式公式中，各项系数为补偿参数...
芮定海张利斌韦亚一粟雅娟
一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机
本申请公开了一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机，可用于半导体制造领域，该方法中，首先，获取套刻误差分布数据；而后，基于套刻误差分布数据，通过预先建立的补偿模型，得到目标补偿方案；目标补偿方案包括目标应力补偿方案和...
芮定海张利斌韦亚一粟雅娟
一种提高光刻工艺窗口的方法
本发明公开了一种提高光刻工艺窗口的方法，包括：提供一包括功能性器件的图形和非功能性的虚拟结构的图形的版图设计；采用第一次光学邻近效应修正对版图设计迭代优化；其中，虚拟结构的图形被视为功能性器件的图形进行优化；对经过第一次...
王晓龙张楠楠
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韦亚一
作品数：216被引量：41H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：光刻 掩模 版图 光源 光刻工艺
邱海军
作品数：101被引量：25H指数：3
供职机构：京东方科技集团股份有限公司
研究主题：钝化层 显示装置 薄膜晶体管 基板 玻璃基板
王章涛
作品数：71被引量：26H指数：4
供职机构：京东方科技集团股份有限公司
研究主题：钝化层 薄膜晶体管 薄膜晶体管液晶显示器 玻璃基板 有源
李俊峰
作品数：526被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
刘明
作品数：1,378被引量：409H指数：11
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层