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一种用于光致发光谱显微光路模块的推拉切换结构: 本实用新型公开了一种用于光致发光谱显微光路模块的推拉切换结构，包括用于定位半透半反镜的定块，用于带动半透半反镜镜架的动块，以及推拉机构；其中，动块为磁性体，一端与半透半反镜镜架连接，另一端连接推拉机构；定块为一个活塞装置...; 付雷沈波罗向东唐宁

红外调制光致发光谱实验系统的仪器化探索: 侯进贺

一种用于测量深紫外光致发光谱的显微光路耦合系统: 本实用新型公开了一种用于测量深紫外光致发光谱的显微光路耦合系统，包括：由两个或更多个紫外透镜组成的光束缩束模组，设置在激光光路上，用于将深紫外激光光束变细；一个深紫外窄条状45°反射镜，位于显微光路旁侧，利用其边缘将激光...; 付雷沈波罗向东唐宁

一种用于光致发光谱显微光路模块的推拉切换结构: 本发明公开了一种用于光致发光谱显微光路模块的推拉切换结构，包括定块、动块和推拉机构，其中，动块为磁性体，其一端与半透半反镜的镜架连接，另一端连接推拉机构，在推拉机构的带动下推拉半透半反镜的镜架；定块用于定位半透半反镜，其...; 付雷沈波罗向东唐宁

一种用于测量深紫外光致发光谱的显微光路耦合系统和方法: 本发明公开了一种用于测量深紫外光致发光谱的显微光路耦合系统和方法，包括：由两个或更多个紫外透镜组成的光束缩束模组，设置在激光光路上，用于将深紫外激光光束变细；一个深紫外窄条状45°反射镜，位于显微光路旁侧，利用其边缘将激...; 付雷沈波罗向东唐宁

面阵材料InAs/GaSb超晶格和InAsSb的红外调制光致发光谱研究: 步进扫描傅里叶变换红外（Fourier transform infrared,FTIR）调制光致发光（Photoluminescence,PL）光谱方法有效消除环境背景辐射干扰,显著提高光谱信噪比（Signal-to-n...; 王嫚; 关键词：INAS/GASB超晶格 INASSB 均匀性

一种模拟声子辅助光致发光谱的方法: 本发明提供了一种模拟声子辅助光致发光谱的方法，涉及半导体材料的模拟技术技术领域，具体适用于固体材料，包括如下步骤：构建含有缺陷的晶胞模型，定义ABCD四种状态，同时计算基态系统位形状态A不同声子模式对应的声子基矢；通过杂...; 魏亚东李兴冀李伟奇徐晓东

共聚焦显微红外调制光致发光谱实验装置及测试方法: 本发明公开一种共聚焦显微红外调制光致发光谱实验装置及测试方法。装置包括泵浦激光及其方向稳控与准直模块、反射物镜激光聚焦与红外信号收集模块、低/变温载物台、亚微米级分辨的六维电控位移台、准实时影像监测模块、步进扫描迈克尔逊...; 邵军陈熙仁; 文献传递

退火对磁控溅射掺铕氧化钇薄膜光致发光谱的影响: 2020年; 稀土掺杂荧光薄膜的发光性能与薄膜所经历的后退火处理密切相关。为了解退火对磁控溅射制备的Y2O3∶Eu^3+薄膜发光性能的影响,在三种不同的工艺条件下,采用射频磁控溅射方法制备了三组厚度100多纳米的Y2O3∶Eu^3+薄膜样品,并在氧气气氛和常压条件下对每组的四个样品分别进行室温、 700、 900和1 100℃的2 h退火处理。样品的X射线衍射谱(XRD)、电子能量色散谱(EDS)、光致发光(PL)及其激发光谱的测量结果表明,虽然薄膜是在不同条件下溅射得到的,但经相同的退火处理后,它们的发光和结构却都呈现出相同的变化规律。首先,薄膜荧光的主激发机制不受退火温度的影响,都是波长为252 nm的电荷转移激发。其次, 700℃退火处理仍不能有效地改变薄膜的弱发光性能;当退火温度达到900℃时,伴随着薄膜中立方相晶粒的增大,发光强度也得以显著提升,薄膜在252 nm光激发下发射出中心位于612 nm的立方相特征主峰;当薄膜经历1 100℃退火处理后,膜内发生了从立方相到单斜相为主的结构相变,此时,膜中Eu对Y的原子数含量比被明显降低至0.05%左右,但光发射效率和强度却得以提高,发射光谱呈现出以5D0→7F2电偶极跃迁的623 nm为主峰的单斜相强发光特征,同时,5D0→7F1磁偶极跃迁的发光也比立方相的明显增强。这些结果可归因于发光中心Eu^3+在单斜结构中占据了更多的非中心对称格位,以及高温退火导致薄膜较好的结晶度。另外还发现,立方相Y2O3∶Eu^3+的5D0→7F0电偶极跃迁581 nm发光峰很弱,而单斜相Y2O3∶Eu^3+在该处的发光却相当明显,此特征可以作为薄膜中单斜相形成的一个提示信号。这个工作展示了磁控溅射制备的Y2O3∶Eu^3+薄膜的退火效应,提供了一种制备具有更好的红光发射性能的纳米单斜相Y2O3∶Eu^3+薄膜的实验方法,并揭示了这种薄膜从纳米立方相到单斜相转变时PL谱的�; 林舜辉张李辉刘勇权王孝坤林春雷余云鹏; 关键词：光致发光退火磁控溅射

基于光致发光谱的窄禁带半导体材料能级研究被引量：1: 2020年; 材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪是一种无损的有效检测技术。利用该技术对不同的窄禁带半导体材料进行了检测,然后用线型拟合光谱揭示了不同能级间的电子跃迁,并对结果进行了分析。结果表明,红外调制PL光谱是一种有效的材料能带和缺陷能级研究方法。; 申晨李乾周朋杨海燕; 关键词：能级跃迁

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