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基于ZnO纳米线界面光 致 电荷转移 的全息存储研究 全息存储技术因同时具备高密度、低能耗、高冗余度和抗干扰等特性,已成为信息存储的重要方式。发展性能优异的光 敏感介质是构筑先进光 学信息存储系统的前提。光 致 变色材料在激光 辐照下,展现出许多优异的光 学性质,其中无机半导体复合体系... 李宁关键词:全息存储 异质结界面 电荷转移 ZNO纳米线 AG纳米颗粒 全无机钙钛矿太阳能电池体系中光 致 电荷转移 机理研究 全无机钙钛矿材料因其具有可调谐的禁带宽度、吸光 能力较强、载流子扩散长度长以及载流子迁移率高等优点,使其备受钙钛矿太阳能电池材料研究者的关注。目前对全无机钙钛矿电池的材料制备和应用研究较多,而涉及到影响钙钛矿太阳能电池光 电... 安洁关键词:电荷转移 光 电转换材料光 致 电荷转移 机理的超快过程研究 随着人口数量的急剧增加,传统的化石能源的大量消耗对环境造成了严重的影响。能否寻找到合适的可替代能源成为人类社会发展的关键因素,也是当今急需解决的问题之一。二十世纪末及二十一世纪初发生的局部战争多数是为了抢占更多的石油资源... 杨艳辉关键词:太阳能电池 表面等离激元 表面敏化TiO_2基复合薄膜的能带结构与光 致 电荷转移 的研究 被引量:1 2011年 采用离子束溅射方法制备出TiO2/ITO,Zr4+掺杂的TiO2(TiO2-Zr)/ITO和ZrO2/TiO2/ITO复合薄膜.利用表面敏化方法制备出(1,10-邻菲咯啉)2(3,4,5-三氟苯基)咪唑并[5,6-f]邻菲咯啉钌混配配合物[Rup2O](p=1,10-邻菲咯啉,O=(3,4,5-三氟苯基)咪唑并[5,6-f]邻菲咯啉)/TiO2/ITO,Rup2O/TiO2-Zr/ITO和Rup2O/ZrO2/TiO2/ITO表面敏化TiO2基复合薄膜.表面光 电压谱(SPS)表明,表面敏化TiO2基复合薄膜在400~600和350 nm产生的SPS响应峰的峰高比与TiO2基复合薄膜的结构密切相关.利用电场诱导表面光 电压谱(EFISPS)确定了复合薄膜的能带结构,其结果分析表明,400~600 nm的SPS响应峰主要源于Rup2O分子的中心离子Ru 4d能级到配体邻菲咯啉π1*和配体咪唑并邻菲咯啉π2*跃迁;TiO2禁带内Zr4+掺杂能级的存在减小了光 生载流子的复合,增加导带光 生电子的数量;ZrO2/TiO2异质结构的存在有利于光 生电子向ITO表面的转移 ,从而导致 400~600 nm和350 nm SPS响应峰的峰高比的增加,意味着光 致 电荷转移 效率的提高. 董江舟 赵峻岩 巢晖 曹亚安关键词:光致电荷转移 基于PCPDTBT复合材料的制备及光 致 电荷转移 2009年 合成了PCPDTBT,通过NMR,GPC等方法对聚合物进行了表征.研究了聚合物的热学与电化学性质.采用溶液法将电子给体PCPDTBT与两种电子受体1-(3-甲氧基羰基)丙基-1-苯基[6,6]C61(PCBM)和ZnO纳米粒子分别进行了复合,通过研究复合前后的荧光 变化,确认了给体-受体两相界面间发生了由分子能级差引发的光 致 电荷转移 .这些研究结果为探索性能更佳的有机太阳能电池材料体系提供了重要的参考依据. 邓丹 施敏敏 陈飞 李海国 汪茫 陈红征关键词:ZNO纳米粒子 电荷转移 荧光淬灭 萘酞菁锌复合体系的光 致 电荷转移 被引量:5 2008年 合成了萘酞菁锌,利用傅立叶红外光 谱、元素分析和MALDI-TOF质谱等手段表征了分子结构;循环伏安测试和吸收光 谱确认了共轭体系的扩大使分子带隙下降.根据材料加工性能的不同,分别采用溶液法、层-层蒸镀(Layer-by-layere vaporation)法和单层分散旋涂法,将给体分子萘酞菁锌与三种受体分子1-(3-甲氧基羧基)丙基-1-苯基-[6,6]C61,C60和N,N'-二嘧啶基苝四羧基二酰亚胺进行了复合,通过研究复合前后荧光 变化,确认了给体-受体两相界面处发生了由分子能级差引发的光 致 电荷转移 ,为制备更宽光 伏响应范围的太阳能电池器件提供了潜在的新途径. 刘立维 施敏敏 邓丹 汪茫 陈红征关键词:电荷转移 荧光淬灭 高聚物中激发态的光 致 电荷转移 有机高分子是一种在生产和生活中有着广泛用途的材料.随着导电聚合物的出现,以及高分子有机电致 发光 ,光 电非线性等效应大大地拓宽了高分子的用途.由于有机分子的结构多样且易变,单个有机分子(其大小为几个纳米)可具有一定的光 电功能... 李广起关键词:高聚物 激发态 光致电荷转移 数值模拟 二联体卟啉的光 致 电荷转移 行为 被引量:1 2001年 The photovoltaic properties of dimeric porphyrin have been studied by means of surface photovoltage spectrum(SPS) and field induced surface photovoltage spectrum(FISPS). The results show that a negative SPV response band(P) appears in the long wave region which takes on n type character and the π π * transition band takes on p type character. P band disappears under high vacuum and appears under O 2 atmosphere. The photo charge transfer process generated between π π * transition band of dimeric porphyrin and P band, which has been attributed to the photo adsorption and photo desorption of O 2 on the surface of dimeric porphyrin. 谢腾峰 王德军 赵志新 徐金杰 朱连杰 刘国发 李铁津关键词:表面光电压谱 光致电荷转移 氧分子 叔丁基取代的二聚苯撑乙烯与聚噻吩纳米管之间光 致 电荷转移 本文研究了叔丁基取代的二聚苯撑乙烯(DPV-DBu-t)在纳米聚噻吩薄膜上的荧光 谱,发现它们之间存在着强烈的光 致 电菏转移 DPV-DBu-t的荧光 被明显的淬灭. 曹健 汪茫 孙景志 石高全叔丁基取代的二聚苯撑乙烯与聚噻吩纳米管之间光 致 电荷转移 本文研究了叔丁基取代的二聚苯撑乙烯(DPV-DBu-t)在纳米聚噻吩薄膜上的荧光 谱,发现它们之间存在着强烈的光 致 电菏转移 DPV-DBu-t的荧光 被明显的淬灭. 石高全
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