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分布布拉格反射镜、Micro-LED全彩显示器件及其制备方法
本发明涉及一种分布布拉格反射镜、Micro‑LED全彩显示器件及其制备方法，分布布拉格反射镜包括依次叠加生长的多个重复单元层，重复单元层包括高低折射率的量子点层和介质材料层；量子点层为红光量子点层；或者量子点层为绿光量子...
孙小卫项国洪王恺马精瑞唐浩东李德鹏梅冠鼎
具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法
本发明公开了具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层、n‑GaN/u‑GaN周期性结构，随后在溶液中对n‑GaN/u‑GaN周期性结构进行刻蚀，制...
曹得重郭正全高望欣王赫骆恬恬王菲斐第五淯暄马丽王森
具有多孔AlGaN分布布拉格反射镜的紫外LEDs的制备及发光性能研究
AlGaN基薄膜具有带隙宽、能带连续可调、击穿电场高、理化性能稳定等优点,在发光二极管（LED）、激光器（LD）、紫外探测器（UVD）等领域成为研究热点。AlGaN基LED器件的主要形态结构为薄膜器件,制备高质量的AlG...
徐妍
关键词：宽禁带半导体电化学刻蚀紫外发光二极管
GaN基VCSEL的分布布拉格反射镜与亚波长光栅结构研究
氮化物材料体系的禁带宽度在0.7～6.2 eV之间连续可调,使得GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的发光范围覆盖紫外到可见光区域,与已经成熟的Ga As基VCSEL覆盖的红外波段刚好互补,因此GaN基VCSEL受到...
臧茂荣
关键词：分布布拉格反射镜传输矩阵法亚波长光栅严格耦合波理论
一种具有分布布拉格反射镜的InP薄膜的制备方法
本发明公开的是一种具有分布布拉格反射镜的InP薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1、在电解液中，对InP片进行电化学刻蚀，制得多孔InP，然后提高电压，制备剥离的大面积的多孔InP薄膜；步骤2、在电解液中，对n‑Ga...
曹得重
基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法
一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Al<Sub>x</Sub>(Ga<Sub>1‑x</Sub>)...
姬小利谭晓宇魏同波王军喜杨富华李晋闽
环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器
环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术出光口存在工艺损伤，也不易与光纤、透镜等元件良好耦合，器件的散热效果也有待改善。本发明之激光器自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布...
晏长岭杨静航逄超冯源郝永芹张剑家
环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器
环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术出光口存在工艺损伤，也不易与光纤、透镜等元件良好耦合，器件的散热效果也有待改善。本发明之激光器自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布...
晏长岭杨静航逄超冯源郝永芹张剑家
非对称环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器
非对称环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。本发明其特征在于，欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区是一个圆柱形实体，其中间部分是一个齐顶偏心高阻区，所述齐顶偏心高阻区呈近似圆...
晏长岭杨静航逄超冯源郝永芹张剑家
非对称环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器
非对称环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。本发明其特征在于，欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区是一个圆柱形实体，其中间部分是一个齐顶偏心高阻区，所述齐顶偏心高阻区呈近似圆...
晏长岭杨静航逄超冯源郝永芹张剑家
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晏长岭
作品数：115被引量：137H指数：7
供职机构：长春理工大学
研究主题：半导体激光器 垂直腔面发射激光器 垂直腔面发射半导体激光器 分布布拉格反射镜 电极
张保平
作品数：122被引量：82H指数：5
供职机构：厦门大学
研究主题：氮化镓 分布布拉格反射镜 垂直腔面发射激光器 氮化物 GAN
冯源
作品数：88被引量：58H指数：5
供职机构：长春理工大学
研究主题：垂直腔面发射半导体激光器 垂直腔面发射激光器 半导体激光器 电极 分布布拉格反射镜
谢自力
作品数：415被引量：217H指数：6
供职机构：南京大学
研究主题：GAN 氮化镓 蓝宝石 MOCVD 氢化物气相外延
张荣
作品数：851被引量：596H指数：10
供职机构：南京大学
研究主题：GAN 氮化镓 蓝宝石 MOCVD 氢化物气相外延