搜索到243篇“ 列阵半导体激光器“的相关文章
- 列阵半导体激光器
- 列阵半导体激光器是将各项技术指标完全相同并且都要达到最高水平的若干个激光管芯按一定方式组成列阵，使其输出光功率近似等于各个激光器光功率的总和，用于那些要求大功率的领域中。其主要技术指标：①脉冲峰值光功率＞５０Ｗ；②阈值电...
- 关键词：
- 关键词：列阵半导体激光器半导体激光器激光器
- 940nm无铝双量子阱列阵半导体激光器被引量：3
- 2002年
- 分析了影响列阵半导体激光器极限输出功率的因素。利用MOCVD研制了无铝双量子阱列阵半导体激光器。无铝列阵激光器的峰值波长为 940 2nm ,半峰宽为 2nm ,连续输出功率为 10W ,斜率效率为 1 0 9W A。
- 万春明王慧曲轶
- 关键词：半导体激光器列阵
- 980 nm高功率列阵半导体激光器被引量：1
- 2001年
- 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素．利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱激光器材料．利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（１００ Ｈｚ，１００ μｓ）输出功率达到 ８０Ｗ（室温），峰值波长为 ９７８～９８１ｎｍ．
- 曲轶高欣薄报学张兴德石家纬
- 关键词：半导体激光器分子束外延
- 带准直模块的线列阵半导体激光器
- 一种带准直模块的线列阵半导体激光器,包括管壳,在管壳内的底座上置有半导体致冷器,过渡热沉、带有热沉的激光二极管线列阵的发光面对准管壳盖板上带有窗片的窗口,在激光二极管线列阵与窗片之间的窗口内置有准直模块。准直模块含有微柱...
- 胡衍芝
- 文献传递
- GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
- 2001年
- 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ，峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。
- 万春明徐安怀曲轶
- 关键词：半导体激光器梯度折射率GAALAS镓铝砷
- 980nm高功率列阵半导体激光器
- 2000年
- 本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz,100μs）输出功率达到80W（室温），峰值波长为978－981nm。
- 曲轶高欣等
- 关键词：分子束外延列阵半导体激光器应变量子阱输出功率
- 940nm高功率列阵半导体激光器被引量：3
- 2000年
- 利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939～941nm,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。
- 曲轶石家纬薄报学高欣张宝顺张兴德
- 关键词：分子束外延输出功率列阵半导体激光器高功率
- 940nm高功率列阵半导体激光器
- 利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输出功率达到27W（室温），峰值波长为939～941nm，并分析了影响列阵半导...
- 曲轶薄报学高欣
- 关键词：分子束外延半导体激光器输出功率
- 文献传递
- 940nm高功率列阵半导体激光器
- 利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输出功率达到27W（室温），峰值波长为939～941nm，并分析了影响列阵半导...
- 薄报学高欣
- 关键词：分子束外延半导体激光器输出功率
- 文献传递网络资源链接
- GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器被引量：1
- 2000年
- 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80
- 曲轶高欣张宝顺薄报学张兴德石家纬
- 关键词：分子束外延半导体激光器GAALAS
相关作者
- 曲轶
- 作品数：142被引量：223H指数：8
- 供职机构：长春理工大学
- 研究主题：半导体激光器 高功率 腔面 分子束外延 激光器
- 高欣
- 作品数：26被引量：43H指数：4
- 供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
- 研究主题：半导体激光器 量子点 光增益 分子束外延 单量子阱
- 石家纬
- 作品数：91被引量：162H指数：9
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室
- 研究主题：半导体激光器 发光二极管 高功率 可靠性 电噪声
- 薄报学
- 作品数：179被引量：319H指数：10
- 供职机构：长春理工大学
- 研究主题：半导体激光器 高功率 激光器 半导体光电子器件 腔面
- 徐安怀
- 作品数：51被引量：33H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题：INP DHBT 磷化铟 异质结双极晶体管 气态源分子束外延
