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功率场效应晶体管
在一个实施例中，一种功率场效应晶体管(1)包括：在半导体本体(2)的顶侧(20)处的至少两个源极区域(21)；在半导体本体(2)的背侧(23)处的漏极区域(22)；在半导体本体(2)中的至少两个电荷势垒区域(24)，使得...
S·沃思L·克诺尔L·克兰兹
功率场效应晶体管
本发明提供一种功率场效应晶体管，其具有：衬底(115)；及第一导电类型的外延层(120)，其在所述衬底上；第二导电类型的第一及第二基极区域，其在所述外延层内；第一导电类型的相应源极区域(125)，其布置于所述基极区域内；...
格列格·A·迪克斯丹·格里姆
文献传递
功率场效应晶体管
一种超短沟道混合功率场效应晶体管(FET)器件，其使电流从体硅流出而没有NPN寄生。该器件包括JFET部件、与JFET部件相邻布置的第一累积MOSFET、和在沟槽底端与JFET部件相邻布置的第二累积MOSFET，或者具有...
黎建欧阳金
文献传递
功率场效应晶体管
一种超短沟道混合功率场效应晶体管(FET)器件，其使电流从体硅流出而没有NPN寄生。该器件包括JFET部件、与JFET部件相邻布置的第一累积MOSFET、和在沟槽底端与JFET部件相邻布置的第二累积MOSFET，或者具有...
黎建欧阳金
一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法
一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始...
刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
一种超结结构的侧屏蔽栅优化垂直功率场效应晶体管
本发明公开了一种超结结构的侧屏蔽栅优化垂直功率场效应晶体管，包括N+型衬底作为漏极，并在其上生长N型外延层，再在其之上生成的漂移区。漂移区的顶部设有P型沟道区、N+型掺杂的源极区以及P+区。栅极在P型沟道区和N+型源极区...
孙亚宾茹衍翔沈阳叶秉奕石艳玲李小进陆斐董欣宇
一种功率场效应晶体管的动态特性多参量表征系统、方法、设备及介质
本发明公开了一种功率场效应晶体管的动态特性多参量表征系统及方法，涉及测量电变量技术领域。包括根据待测功率FET的类型与应用场景，自动调整输入电压、电流和频率，确保测试系统适应不同FET的动态特性；激活高频优化模式并应用宽...
邓家榆赵金跃孟祥辉陈妮妮程江兰王飞
碳化硅功率场效应晶体管
碳化硅功率场效应晶体管，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的N型外延衬底、N型外延层、栅氧层和PolySi层；所述N型外延层的顶面的端部设有向下延伸的PP区；所述PP区的内侧设有从N型外延层的顶面向下延伸的NN区；...
张陈龙杨程王嘉良王毅
抗辐照功率场效应晶体管及其制造方法
本申请公开了一种抗辐照功率场效应晶体管及其制造方法，场效应晶体管包括沿第一方向层叠设置的栅极结构层、外延层和衬底层，在靠近栅极结构层的一侧，外延层内设置有多个第一导电结构区、多个JFET区和多个第二导电结构区，沿第一方向...
张浩张彦飞刘梦新温霄霞
一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法
一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始...
刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
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作品数：173被引量：48H指数：3
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陆江
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陈堂胜
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张波
作品数：4,965被引量：7,038H指数：42
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