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半导体激光器件
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相关度排序
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时效性降序
时效性升序
相关度排序
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被引量排序
时效性降序
时效性升序
半导体激光器
件
本发明的
半导体激光器
件
具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层,设有脊形波导。并且,上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线
激光
光的第1区域、与能缓和从上...
高木茂行
薮原秀彦
前川阳
藤井孝佳
盐见康友
文献传递
半导体激光器
件
本发明提供了一种二分式GaN基
半导体激光器
件
,具有在朝向第一发光区域的可饱和吸收区域内不太可能发生损坏的配置和结构。所述
半导体激光器
件
包括第一发光区域(41A)、第二发光区域(41B)、夹在上述发光区域之间的可饱和吸收区...
渡边秀辉
仓本大
大木智之
文献传递
半导体激光器
件
本发明的
半导体激光器
件
具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层,设有脊形波导。并且,上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线
激光
光的第1区域、与能缓和从上...
高木茂行
薮原秀彦
前川阳
藤井孝佳
盐见康友
文献传递
半导体激光器
件
本发明公开了一种
半导体激光器
件
,其具有光滑的解理面。所公开的
激光
器
件
包括电流注入脊和邻近该电流注入脊形成的力分散脊,该些脊从平台结构的上表面凸出。平台结构由多重
半导体
材料层形成,该些层包括
激光
谐振层和设置在谐振层之上和之...
崔光基
郭凖燮
文献传递
半导体激光器
件
本发明提供一种具有提高偏振特性并且安装容易的脊形波导的
半导体激光器
件
。在层积有焊锡层(61)的最表面部中,至少在脊形结构部(35)上形成有不完全粘合层(31),由此在介由焊锡层(61)将
半导体激光器
件
(1)安装在安装部(...
堀口武
池原正博
鸟松文夫
文献传递
半导体激光器
件
本发明公开了一种适于大规模生产的
半导体激光器
件
。其可以改善导线布置,并使
器
件
小型化。该
半导体激光器
件
包括:多根引线,其穿过一绝缘框架构
件
的两侧面的每一侧面设置,使其从外部进入该绝缘框架构
件
的内部;至少一
半导体激光
元
件
和一...
八木有百实
松原和德
文献传递
半导体激光器
件
本发明的目的是提供一种高输出增益波导型
半导体激光器
件
,通过抑制(100)DLD生成,而具有高可靠性。
半导体激光器
件
具备增益波导型的
半导体激光
构造部,该
半导体激光
构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的
半导体
基板上,电...
藤本毅
文献传递
半导体激光器
件
一种
半导体激光器
件
,包括一体子安装
件
(3),所述子安装
件
(3)由预定材料(例如SiC或AlN)组成并放置在安装表面(9)上。
激光
二极管(1)放置在子安装
件
(3)上表面的前部分。由晶体硅组成的监视光电二极管(4)堆叠在从激...
滨冈治
中津弘志
市川英树
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半导体激光器
件
提供了一种
半导体激光器
件
(1),包括在气密密封的封装(2)之中的
半导体激光器
元
件
(3),所述
半导体激光器
元
件
具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区...
渡边将司
本多正治
岩村康弘
清水源
井上哲郎
文献传递
半导体激光器
件
本发明公开了一种
半导体激光器
件
,包括形成于第一导电类型的
半导体
衬底上的第一导电类型的缓冲层,第一导电类型的覆层、有源层和第二导电类型的覆层,其中所述第一导电类型的缓冲层中的带隙具有大于所述
半导体
衬底的带隙且小于所述第一导...
细羽弘之
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周坤
作品数:36
被引量:17
H指数:2
供职机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所
研究主题:半导体激光器 腔面 波导 半导体激光器件 衍射极限
高松信
作品数:200
被引量:299
H指数:11
供职机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所
研究主题:半导体激光器 二极管激光器 光纤耦合 激光器 封装
李弋
作品数:55
被引量:50
H指数:4
供职机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所
研究主题:半导体激光器 腔面 波导 半导体激光器件 衍射极限
杜维川
作品数:56
被引量:24
H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所
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唐淳
作品数:332
被引量:569
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