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半导体激光器
本发明的半导体激光器具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层,设有脊形波导。并且,上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线激光光的第1区域、与能缓和从上...
高木茂行薮原秀彦前川阳藤井孝佳盐见康友
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半导体激光器
本发明提供了一种二分式GaN基半导体激光器,具有在朝向第一发光区域的可饱和吸收区域内不太可能发生损坏的配置和结构。所述半导体激光器包括第一发光区域(41A)、第二发光区域(41B)、夹在上述发光区域之间的可饱和吸收区...
渡边秀辉仓本大大木智之
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半导体激光器
本发明的半导体激光器具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层,设有脊形波导。并且,上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线激光光的第1区域、与能缓和从上...
高木茂行薮原秀彦前川阳藤井孝佳盐见康友
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半导体激光器
本发明公开了一种半导体激光器,其具有光滑的解理面。所公开的激光包括电流注入脊和邻近该电流注入脊形成的力分散脊,该些脊从平台结构的上表面凸出。平台结构由多重半导体材料层形成,该些层包括激光谐振层和设置在谐振层之上和之...
崔光基郭凖燮
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半导体激光器
本发明提供一种具有提高偏振特性并且安装容易的脊形波导的半导体激光器。在层积有焊锡层(61)的最表面部中,至少在脊形结构部(35)上形成有不完全粘合层(31),由此在介由焊锡层(61)将半导体激光器(1)安装在安装部(...
堀口武池原正博鸟松文夫
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半导体激光器
本发明公开了一种适于大规模生产的半导体激光器。其可以改善导线布置,并使小型化。该半导体激光器包括:多根引线,其穿过一绝缘框架构的两侧面的每一侧面设置,使其从外部进入该绝缘框架构的内部;至少一半导体激光和一...
八木有百实松原和德
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半导体激光器
本发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器,通过抑制(100)DLD生成,而具有高可靠性。半导体激光器具备增益波导型的半导体激光构造部,该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上,电...
藤本毅
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半导体激光器
一种半导体激光器,包括一体子安装(3),所述子安装(3)由预定材料(例如SiC或AlN)组成并放置在安装表面(9)上。激光二极管(1)放置在子安装(3)上表面的前部分。由晶体硅组成的监视光电二极管(4)堆叠在从激...
滨冈治中津弘志市川英树
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半导体激光器
提供了一种半导体激光器(1),包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器(3),所述半导体激光器具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区...
渡边将司本多正治岩村康弘清水源井上哲郎
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半导体激光器
本发明公开了一种半导体激光器,包括形成于第一导电类型的半导体衬底上的第一导电类型的缓冲层,第一导电类型的覆层、有源层和第二导电类型的覆层,其中所述第一导电类型的缓冲层中的带隙具有大于所述半导体衬底的带隙且小于所述第一导...
细羽弘之
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相关作者

周坤
作品数:36被引量:17H指数:2
供职机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所
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高松信
作品数:200被引量:299H指数:11
供职机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所
研究主题:半导体激光器 二极管激光器 光纤耦合 激光器 封装
李弋
作品数:55被引量:50H指数:4
供职机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所
研究主题:半导体激光器 腔面 波导 半导体激光器件 衍射极限
杜维川
作品数:56被引量:24H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所
研究主题:半导体激光器 腔面 波导 半导体激光器件 光谱
唐淳
作品数:332被引量:569H指数:13
供职机构:中国工程物理研究院应用电子学研究所
研究主题:激光器 半导体激光器 高功率 二极管激光器 光束质量