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一种制备纯单晶铜线材的拉伸工艺: 本发明涉及纯单晶铜线材制备技术领域，具体为一种制备纯单晶铜线材的拉伸工艺，包括如下步骤，步骤一：材料准备；步骤二：晶种制备；步骤三：单晶铜线材的拉伸；步骤四：温度控制；步骤五：速度控制；步骤六：轧制和退火；步骤七：清洗和...; 何孔田唐文静张军何孔高

单晶铜复合铜集流体结构及制备方法: 本发明公开了一种单晶铜复合铜集流体结构及制备方法，单晶铜复合铜集流体结构包括：基膜，所述基膜为聚酯膜；所述基膜的两侧均设有复合层，所述复合层包括金属层，所述金属层由高晶面指数类型的单晶铜制备形成，所述高晶面指数类型的单晶...; 付丽刘丹蔡水河王乔晖

一种晶圆上单晶铜薄膜的制备方法: 本发明涉及微电子封装互连技术领域，具体为一种晶圆上单晶铜薄膜的制备方法。首先在硅晶圆上磁控溅射100nmTi层作为阻挡层，溅射400nmCu层作为种子层，通过调控电流密度、电镀时间及电镀液成分等电镀条件，在硅晶圆上电镀制...; 祝清省蔡鹏刘畅成会明

一种单晶铜掺杂石墨烯复合材料及其制备方法: 本发明公开了一种单晶铜掺杂石墨烯复合材料及其制备方法，所述单晶铜掺杂石墨烯复合材料的制备需要以下原料的质量份数进行配比制备：单晶铜、石墨烯、二甲基甲酰胺、十二烷基硫酸钠、硅烷偶联剂、增强剂、交联剂和导电填料，本发明一种单...; 李蓝屏洪燕丰

电镀制造单晶铜: 2024年; 金属及合金由于在力、热、电、磁等方面所具有的优异特性,成为人类文明与技术进步的关键材料.通常,冶炼加工获得的金属与合金均为多晶,存在各种取向的晶粒及大量晶界,通过对冶炼及加工工艺的设计优化,可以实现微观结构的调控,进而获得能够满足实际应用的理想材料.; 李廷举; 关键词：单晶铜微观结构人类文明

单晶铜拉拔过程组织及织构演变: 2024年; 目的通过分析单晶铜线材在冷拉拔过程中不同位置微观结构的变化情况,得到变形过程中组织及织构的演变规律。方法采用冷型下引连铸装置制备得到ϕ8 mm高纯铜铸态杆坯,并在大拉机中进行多道次拉拔,获得了真应变分别为0.5、1.3、2、2.7和3.4的铜线样品;采用电子背散射衍射技术分别对铸态及拉拔态试样纵截面的显微组织以及织构进行观测。结果拉拔开始后,在试样纵截面上部的次表层率先观察到与轴向呈45°的滑移带,试样下部开始分裂出平行于拉拔方向的柱状晶。随着应变的增加,位于次表层的滑移线数目显著增多,滑移带间距更加紧密,随后在试样芯部也观察到与轴向呈30°的滑移带,试样边部晶粒的裂化程度更加显著,形成大量平行于轴向的纤维晶粒。当真应变增加至3.4时,少量倾斜于轴向的晶粒在外力作用下被拉至与轴向平行,最终形成致密的纤维组织。在整个拉拔过程中,铜线纵截面上下2个边部由初始的<001>织构先后演化出<114>、<112>、<433>、<111>织构,芯部演化出<112>、<111>织构。结论在拉拔过程中,不同位置的变形程度不同,组织及织构的演变也表现出较为明显的差异。总体表现为,线材边部比芯部变形程度更加剧烈,组织纤维化程度更高,织构演变也更加复杂。; 刘劲松周岩王松伟宋鸿武彭庶瑶霍建平彭晓飞; 关键词：单晶铜冷拉拔织构演变电子背散射衍射技术

一种横向多孔位单晶铜垂直连铸装置: 该一种横向多孔位单晶铜垂直连铸装置，包括支撑框架，支撑框架顶端安装有熔炼炉，熔炼炉底部安装有耐火斗，耐火斗下方安装有连铸机构，连铸机构上安装有打孔机构，连铸机构底部端安装有出料口，本实用新型通过安装在连铸机构上暗转干的电...; 杨彬

单晶铜颗粒簇及其制备方法与应用: 本发明公开了一种单晶铜颗粒簇及其制备方法与应用，涉及金属材料及电镀领域。其中，单晶铜颗粒簇的制备方法包括将铜板作为阳极，钛板作为阴极置于硫酸铜溶液中，以20～50mA/cm<Sup>2</Sup>的电流密度电镀8～12h...; 赵春旺刘承鑫

水环境下单晶铜纳米压痕缺陷演化与弹塑性变形行为研究: 2024年; 从原子尺度探寻单晶铜在水介质参与下的纳米压痕实验过程中材料的塑性变形规律以及位错形核和缺陷演化过程。采用分子动力学方法,使用Lammps进行水环境下单晶铜纳米压痕模拟,观察压头在加载和卸载过程中的原子瞬态图像,最后得出其压痕过程的载荷-位移曲线,探究其弹塑性变形规律;通过Ovito可视化软件观察单晶铜在纳米压痕过程中HCP晶格类型的铜原子结构,分析单晶铜内部位错演化的4个阶段,观察位错环的形核生长以及发射行为,探究不同位错环之间的形核演化异同,分析位错环的关联耦合效应。对比真空与水介质条件下二者的异同,结果表明:在加载过程中,水分子带走了单晶铜塑性变形的大部分能量,导致单晶铜的位错缺陷的种类和规模均会减小;在卸载过程中,由于水分子的残留,单晶铜表面更加粗糙,单晶铜亚表层的变形也更加严重。另外,不同位错环之间的演化过程较为相似,但压头下压深度越大,位错环的形核时间越滞后,位错规模越小。由此得出,在水环境中,材料的位错变形种类和规模都可以被有效地控制。; 邱蓬勃王全龙武美萍马成龙缪小进万光海; 关键词：水环境单晶铜纳米压痕位错

SAC305焊料与多晶、单晶铜的界面反应行为研究: 王军

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