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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种
单片
集成
式固态钠离子电池
本发明涉及电池技术领域,具体为一种
单片
集成
式固态钠离子电池,包括安装在支撑配载板上的电池本体,所述电池本体的一头开设有锁定插接槽,所述支撑配载板上排列设置有多个支撑电池板,所述支撑电池板上开设有电池安装槽,所述电池安装槽...
吴丽军
李亚辉
凡川
一种基于GaN基的
单片
集成
CMOS电路
本发明属于功率半导体技术领域,尤其是涉及一种基于GaN基的
单片
集成
CMOS电路。本发明的电路将传统固定Al组分的AlGaN势垒层替换为Al组分是线性渐变的,具体为从下到上呈线性递减的线性渐变AlGaN势垒层,线性渐变Al...
周靖贵
周琦
张波
唐磊
高欢
杨宁
黄启航
马滦熙
刘文正
一种基于GaN基外延结构的
单片
集成
CMOS电路
本发明属于功率半导体技术领域,尤其是涉及一种基于GaN基外延结构的
单片
集成
CMOS电路。本发明的电路将传统固定Al组分的AlGaN势垒层替换为具有高Al组分,2n‑1层不同Al组分AlGaN规律堆叠而成的AlGaN势垒层...
周靖贵
周琦
张波
刘文正
陈匡黎
黄书婷
高欢
刘雨琪
王龙
硅基异质器件
单片
集成
方法及硅基异质器件
单片
本发明涉及半导体器件制备技术领域,并公开了一种硅基异质器件
单片
集成
方法及硅基异质器件
单片
,方法包括将介质材料沉积在硅基底的表面,在N阱和P阱上方开设隔离槽并在槽内形成外延叠层;沉积硬掩膜层并进行图形化工艺处理,在外延叠层...
杜勇
刘文亮
张永奎
一种
单片
集成
激光器芯片及其制备方法和应用
本发明涉及激光芯片技术领域,具体涉及一种
单片
集成
激光器芯片及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤:在衬底上生长缓冲层材料,在激光器区、放大器区和调制器区上分别生长对应的有源材料后,覆盖第二介质掩膜,将二氧化硅材料覆盖在第...
姚广峰
付文锋
微型流量传感器的
单片
集成
设计方法、制造方法及传感器
本发明公开了微型流量传感器的
单片
集成
设计方法、制造方法及传感器。
单片
集成
设计方法包括:构建微加热器的热电耦合等效模型;对微带线组件进行传热解析分析得到热学信息,其中微带线组件由微加热器及两对热敏电阻组成;根据微加热器的热...
许威
李芝娟
方泽涛
一种
单片
集成
的平坦电光光学频率梳产生系统
本发明公开了一种
单片
集成
的平坦电光光学频率梳产生系统,属于光学频率梳技术领域,能够解决现有光梳产生系统的
集成
化程度低,工作稳定性较差的问题。所述系统包括:衬底;埋氧化层,形成在衬底上;电光调制器,包括光波导和两个调制臂;...
王简夫
魏源
赵振宇
王斌
单片
集成
多功能复合传感器及其制备方法
本发明提供了一种
单片
集成
多功能复合传感器及其制备方法,采用单硅片单面体硅微制造技术,预定义并覆盖气体流量感知单元的第一微槽,先形成压力参考腔体及压力敏感膜片,再通过第一微槽和侧壁保护,预定义单晶硅热偶臂和加热电阻图案,后...
王家畴
李昕欣
鲍海飞
单片
集成
式半导体主振荡功率放大器激光器
本发明提供一种
单片
集成
式半导体主振荡功率放大器激光器,涉及半导体光电子技术领域,该激光器包括:采用标准半导体同一有源区工艺
集成
在同一衬底上的主振荡区和功率放大器区;功率放大器区采用有源1×1多模干涉耦合器结构;该激光器采...
宋浩
张瑞康
陆丹
赵玲娟
准垂直超结二极管及
单片
集成
全桥整流电路
本发明公开了一种准垂直超结二极管及
单片
集成
全桥整流电路,二极管包括:由下至上依次设置的Si衬底、N+GaN导通层、异质超结结构层;异质超结结构层内沿纵向以同心环分布方式间隔设置有P‑BN环区域和N GaN环区域;P‑BN...
侯斌
杨凌
常青原
马晓华
朱宥军
武玫
芦浩
张濛
郝跃
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相关作者
张海英
作品数:524
被引量:219
H指数:7
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:频率综合器 单片集成 脉搏波 GAAS 砷化镓
王圩
作品数:368
被引量:194
H指数:7
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 硅基 单片集成
赵玲娟
作品数:204
被引量:125
H指数:6
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单片集成 激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 半导体激光器
陈堂胜
作品数:434
被引量:344
H指数:9
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
张文栋
作品数:1,223
被引量:1,702
H指数:19
供职机构:中北大学
研究主题:矢量水听器 MEMS 电容式 加速度计 超声换能器
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