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2025年5月23日星期五

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搜索到2549篇“ 反向恢复“的相关文章

一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS及其制备方法: 本发明提供了一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS及其制备方法，在设有漏极金属层的碳化硅衬底上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对碳化硅衬底进行离子注入，形成多个缓冲区；去除阻挡层，在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层；在漂移...; 周海施广彦胡臻何佳

一种具有快反向恢复性能的超结MOSFET器件: 本发明公开了一种具有快反向恢复性能的超结MOSFET器件，包括N+衬底和N型外延层，N型外延层的内部设置多个P型柱，P型柱与N型外延层形成交替的P型柱和N型柱；N型外延层上设置多个P体区；每个P体区上设置多个N+掺杂区；...; 张钧辉张园园张朝阳陈桥梁杨乐汪宇浩

一种低反向恢复损耗的RC-IGBT结构及其制备方法: 本发明公开了一种低反向恢复损耗的RC‑IGBT结构及其制备方法，属于功率器件技术领域，该RC‑IGBT结构反向导通时，n+短路区注入的电子在依次经过n场阻止层、n‑漂移区、P阱区之后，可以直接流向n型载流子存储区中的n+...; 杜婉婷张军亮杨乐张朝阳陈桥梁

晶闸管反向恢复期的暂态脉冲响应特性测试方法和装置: 本发明涉及一种晶闸管反向恢复期的暂态脉冲响应特性测试方法和装置，其中方法包括：步骤S1：向待检测的试品晶闸管的两端施加正弦半波信号保持试品晶闸管为导通状态；步骤S2：测量试品晶闸管的电流，并基于测得的试品晶闸管的电流，判...; 谢攀李峰峰苏丰王媚王长春黄致远周兴隆

用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结及其制备方法: 本发明涉及用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结及其制备方法，其包括漏极、n+衬底、n型漂移区和左右对称的两个源极，所述n‑漂移区上方设有n柱区，所述n柱区左右两端均包括左右对称的p1+基极区、高浓度的第一n...; 徐彬艺沈重杨德坤梁伟

基于扩散电容的反向恢复模型的开通损耗计算方法及系统: 本发明公开了一种基于扩散电容的反向恢复模型的开通损耗计算方法及系统，包括通过结合扩散电容和三电容模型对SiC MOSFET的结电容范围进行延伸，该方法能够更准确地描述中压SiC MOSFET的反向恢复特性了模型对实际器件...; 王来利董晓博靳浩源王淦

一种具有低反向恢复电荷的超结MOSFET器件及其制造方法: 本发明提供一种具有低反向恢复电荷的超结MOSFET器件及其制造方法，包括N型重掺半导体衬底与金属漏极的相对接触面形成欧姆接触层；第一重掺杂N+区与金属源极的相对接触面形成欧姆接触；P‑body区与金属源极的相对接触面形成...; 曹臻刘建军李家贵王逸豪杨小艳

改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片: 本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片，通过在源极层与所述控制栅多晶硅层之间设置第一二极管，在栅极层与所述控制栅多晶硅层之间设置位于第一二极管两侧的第二二极管，使得在器件反...; 李金耀

一种改善反向恢复特性的超结MOSFET器件: 本发明公开了一种改善反向恢复特性的超结MOSFET器件，包括N+衬底层及交替布置排列在N+衬底层上的若干P柱和N柱，N+衬底层的底部设置有漏极；所述P柱和N柱的顶部设置有一层N外延层，该N外延层上设置有与所述P柱位置和数...; 陈雪萌王艳颖钱晓霞汤艺

一种可改善反向恢复特性的FRD及制备方法: 本发明公开了一种可改善反向恢复特性的FRD及制备方法，涉及半导体器件领域，所述FRD包括N型衬底，所述N型衬底包括正面以及与正面相对应的背面；N型衬底的正面对应设置有正面结构，所述正面结构包括制备于N型衬底内且间隔分布的...; 李娜王万柴晨凯

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张波: 作品数：4,965被引量：7,038H指数：42; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：功率半导体器件半导体功率器件电能传输系统无线导电类型

李泽宏: 作品数：1,006被引量：113H指数：5; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：导通压降功率半导体器件半导体功率器件导电类型关断损耗

张金平: 作品数：543被引量：66H指数：5; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：导通压降功率半导体器件关断损耗槽栅半导体功率器件

韦文生: 作品数：122被引量：73H指数：6; 供职机构：温州大学; 研究主题：二极管异质结反向恢复时间反向恢复测试装置

任敏: 作品数：494被引量：21H指数：3; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：导电类型功率半导体器件漂移区半导体导通压降