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变容二极管
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相关度排序
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时效性降序
时效性升序
相关度排序
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时效性降序
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一种
变容
二极管
及其制备方法
本申请提供一种
变容
二极管
及其制备方法,涉及微电子技术领域,包括:层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层和钝化层,由钝化层向沟道层形成有凹槽,凹槽沿层叠方向的槽侧壁在过凹槽的中轴线的截面上为非直线,沟道层与势垒层接触...
霍树栋
高云云
封兆青
张正兴
一种
变容
二极管
调控的射频识别传感器
本发明公开了一种
变容
二极管
调控的射频识别传感器,包括:传感器组件、贴附于传感器组件上的数字调控电路及与所述数字调控电路信号连接的蓝牙模组;所述传感器组件包括介质基板、设置于介质基板中间部位的水平微带线、固定于于介质基板上...
万国春
郝久仪
谢亚明
一种基于
变容
二极管
的静电场测量方法和测量系统
本发明公开一种基于
变容
二极管
的静电场测量方法及系统,包括静电场传感器、交流驱动模块、电容测量回路、电压测量模块以及电源模块。静电场传感器将静电场中的感应电压施加到
变容
二极管
两端以此来改变
变容
二极管
电容,交流驱动模块提供稳...
刘文武
索春光
一种基于MESFET和
变容
二极管
的电调基片集成波导均衡器
本发明涉及微波毫米波技术,具体为一种基于MESFET和
变容
二极管
的电调基片集成波导均衡器,包括SIW本体,SIW本体的两端各设有一段50Ω微带线,且50Ω微带线与SIW本体之间通过渐变过渡线相连;SIW本体上中心设由凹槽...
彭浩
张帅康
薛娜
祁子言
陈际名
刘宇
周翼鸿
杨涛
基于
变容
二极管
的元光栅漏波天线可调波束控制方法
本发明公开了基于
变容
二极管
的元光栅漏波天线可调波束控制方法,包括以下步骤:S1、对超光栅波束转换机制进行研究和分析;对各向异性、均匀、连续的周期边界条件下的平面超光栅机制进行研究;S2、依据超光栅进行Floquet‑Bl...
拉和
变容
二极管
一种
变容
二极管
,在第一导电类型的掺杂半导体衬底上形成。
二极管
包括在半导体衬底中的第二导电类型的第一掺杂区域。在第一掺杂区域的部分中的第一导电类型的第二掺杂区域、和在第一掺杂区域的另一部分中的第二导电类型的第三掺杂区域形成...
F·蒙塞尤尔
变容
二极管
漏电电流的建模方法
本发明提供了一种
变容
二极管
漏电电流的建模方法,包括如下步骤:提取拟合电压系数和尺寸拟合系数,建立正向漏电电流模型;提取宽长拟合系数和趋势拟合系数,建立反向漏电电流模型;拟合不同温度下的模型参数,建立温度模型;反馈验证。本...
任志鹏
葛浩
陈静
吕迎欢
谢甜甜
竖直
变容
二极管
的结构以及相关方法
本公开涉及竖直
变容
二极管
的结构以及相关方法。
变容
二极管
的结构和形成这种结构的方法。该结构包括:第一半导体层,其包括位于衬底上的一部分;第二半导体层,其位于第一半导体层的该一部分上;第三半导体层,其位于第二半导体层上;以及...
S·恰亚西亚
J·约翰逊
V·贾因
C·R·肯尼
S·萨鲁普
T-Y·林
J·J·派卡里克
一种可重构
变容
二极管
芯片及制备方法
本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种可重构
变容
二极管
芯片及制备方法。该芯片包括:N型重掺杂衬底;深埋隔离层,设置于N型重掺杂衬底的部分区域的上方;N型轻掺杂外延层,设置于N型重掺杂衬底的剩余区域和深埋隔离层的上方;...
马文力
李浩
一种可重构
变容
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芯片及制备方法。该芯片包括:N型重掺杂衬底;深埋隔离层,设置于N型重掺杂衬底的部分区域的上方;N型轻掺杂外延层,设置于N型重掺杂衬底的剩余区域和深埋隔离层的上方;...
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崔铁军
作品数:711
被引量:398
H指数:12
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杨涛
作品数:324
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褚庆昕
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