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可变衰减器
本发明涉及一种可变衰减器可变衰减器(100)包括平面波电路,该平面波电路包括嵌入在硅基二氧化硅衬底(176)上支撑的包层中的波导,该波电路包括马赫‑曾德尔干涉仪,该干涉仪包括波导(101),该波导包括第一...
M·格斯堡-汉森L·卡尔迪D·A·扎纳沈曰强
一种加倒置望远镜的可变衰减器
本发明涉及无源件技术领域,公开了一种加倒置望远镜的可变衰减器,包括两固定盘,两所述固定盘之间固定连接有镜筒;路组件,包括两路件,两所述路件分别设置在两所述固定盘远离所述镜筒的一侧,其中一所述路件上设置有若干...
王文华吴伟娜张益豪师文庆熊正烨费贤翔田秀云
一种可变衰减器信号处理方法及电子设备
本申请公开了可变衰减器信号处理方法及电子设备,包括:信号调节组件,用于调节待调节的第一信号的强度,信号调节组件包括MEMS转镜和线性衰减器,线性衰减器位于输入纤与输出纤之间,第一信号为输入纤输入的...
謝永傑
多模可变衰减器
本发明涉及通信领域用的多模可变衰减器。采用可变液晶波片技术、4f学成像系统及学参数的优化,使得件满足匹配条件、等量衰减条件以及隔离条件,提供了既具有快速响应时间、同时具有低模式相关损耗的多模可变衰减器,以满足...
陈波许辉杰
一种可变衰减器的控制方法和装置
本发明涉及通信技术领域,提供了一种可变衰减器的控制方法和装置。其中包括:对掺铒纤放大EDFA中的可变衰减器VOA,控制所述VOA的衰减量,包括:根据铒纤温度、目标增益和目标增益斜率计算得到VOA的第一衰减补偿量,...
朱峰张皓
一种片上集成的直波导型可变衰减器
本发明公开一种片上集成的直波导型可变衰减器,包括下包层、布置在所述下包层上的波层、包覆波层的上包层,以及位于上包层上或侧壁或上包层内部的电极;波层包含一个输入波导、一个衰减波导和一个输出波导;输入波导作为整体件...
邓泽宇陈焘党张奇张紫阳薛锐豪潘煦
一种可变衰减器校准与衰减控制方法及系统
本发明提供了一种可变衰减器校准与衰减控制方法及系统,获取不同温度下可变衰减器的多个数据;对相应温度下采集的数据进行拟合,得到多项式的曲线公式,存储各曲线公式的参数;在运行过程中,根据当前环境温度获得对应的曲线的参数,...
谢志林汤艳琳赵于康唐世彪赵梅生刘酩
一种超宽工作带宽的平面信号波导可变衰减器
一种超宽工作带宽的平面信号波导可变衰减器,属于平面信号波导信号集成芯片技术领域。由硅片衬底、下包层、波导芯层、上包层及金属电极组成,波导芯层被包覆在上包层之中;波导芯层材料的折射率大于包层材料的折射率;沿信号传...
曾国宴尹悦鑫丁颖智李冰孙小强张大明
基于聚合物/氮化硅混合集成的可变衰减器的研究
随着科学技术的不断进步,人们在信息化时代的步伐也进一步加快,特别是人工智能、大数据和物联网的广泛应用,对信息传播的速度和质量提出了更高的要求。通信以其传输容量大、中继距离长、抗干扰能力强以及保密性能好等优势,逐渐成为主...
管斌礼
关键词:可变光衰减器氮化硅马赫-曾德尔干涉仪
一种超宽工作带宽的二氧化硅基可变衰减器(特邀)
2024年
提出一种具有超宽工作带宽的二氧化硅基可变衰减器。该可变衰减器采用马赫-曾德尔干涉仪结构,其中分路/合路使用具有超宽工作带宽的贝塞尔形多模干涉。制备的可变衰减器可以工作在O+E+S+C+L波段(1260~1625 nm)的365 nm谱范围内,包括耦合损耗在内,插入损耗小于10.94 dB,消比大于8.06 dB,不同状态下最高功耗小于452.1 mW。该件在1310 nm处上升和下降时间分别为0.84 ms和0.88 ms,在1550 nm处上升和下降时间分别为0.72 ms和1.04 ms。该件在通信领域有着良好的应用前景。
曾国宴尹悦鑫丁颖智孙小强张大明
关键词:可变光衰减器贝塞尔曲线二氧化硅

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张大明
作品数:447被引量:337H指数:9
供职机构:吉林大学
研究主题:包层 波导 热光开关 聚合物光波导 阵列波导光栅
陈陶
作品数:122被引量:105H指数:5
供职机构:南京邮电大学
研究主题:电调谐 微流控 透镜 可变光衰减器 导电流体
王希斌
作品数:117被引量:41H指数:4
供职机构:吉林大学
研究主题:包层 波导 平面光波导器件 热光开关 聚合物波导
杨富华
作品数:487被引量:256H指数:7
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 电极 相变存储器 谐振器 纳米尺寸
徐永青
作品数:62被引量:94H指数:6
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:微机械 硅 可变光衰减器 微电子机械 MEMS