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场效应晶体管
本申请实施例提供一种场效应晶体管，包括：衬底；形成在衬底之上的漂移区；形成在漂移区内且位于漂移区上部的第一掺杂区；形成在第一掺杂区内的阱区，相邻两部分阱区之间间隔开；形成在第一掺杂区之上的第二掺杂区；形成在第二掺杂区内且...
吴同飞
一种场效应晶体管
本发明公开了一种场效应晶体管，包括：漏电极，位于底层；衬底基板，位于漏电极之上；第一导电型的半导体层，位于衬底基板之上；第一导电型的源极区，位于第一导电型的半导体层之上；栅极沟槽，由第一导电型的源极区延伸到第一导电型的半...
刘伟邓云龚涵哲薛勇
氧化镓场效应晶体管
本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种具有垂直结构的氧化镓场效应晶体管，该氧化镓场效应晶体管具有增强型结构。本发明在场效应管结构设计上，利用p型材料层与氧化镓漂移层组成的异质pn结产生的耗尽区来关闭导电通道的一部分，从...
请求不公布姓名请求不公布姓名
结型场效应晶体管
本实用新型提供了一种结型场效应晶体管，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的深阱，位于半导体衬底中；场氧化层和多晶硅栅，场氧化层位于第二导电类型的深阱以及第一导电类型的浅阱中，多晶硅栅位于场氧化层上；第一导电类型...
李扬杰王维安杨宗凯陈信全尚正阳
场效应晶体管及其制造方法
本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法，在场效应晶体管的制造方法中，先刻蚀第一栅极结构两侧的输入输出器件区，以形成第一源漏沟槽，然后刻蚀第二栅极结构两侧的核心器件区，以形成第二源漏沟槽，由此可以分别对第一源漏沟槽和第二源...
李时璟李得君吕建良
场效应晶体管及其制备方法
本申请公开了一种场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包括：衬底、漂移层、硅基体区和栅极结构，其中，漂移层与衬底具有同一掺杂类型，漂移层背离衬底的一侧具有第一表面；多个硅基体区位于漂移层的两侧，且硅基体区背离衬底一侧的...
聂瑞芬金锐和峰李翠李哲洋崔翔
场效应晶体管及其制造方法
本申请实施例提供一种场效应晶体管及其制造方法，其中，场效应晶体管包括：碳化硅基底；形成于碳化硅基底上表面的碳化硅外延层；形成在碳化硅外延层上表面的SiO<SUB>2</SUB>层；形成在SiO<SUB>2</SUB>层上...
朱昊伟
场效应晶体管及其制备方法
本发明实施例涉及半导体器件技术领域，公开了一种场效应晶体管及其制备方法。本发明中，在场效应晶体管内部设置沿远离衬底的方向上掺杂浓度递减的结构，能够使场效应晶体管内部的电场分布平缓变化，避免出现局部强电场和大电流的情况，防...
贾国刘广海苏晓山宋吉昌雷正龙张熠鑫
集成功率场效应晶体管
本申请公开了一种集成功率场效应晶体管，包括沿第一方向层叠设置的栅极结构层、导电结构层、外延层和衬底层，导电结构层包括第一导电结构区、JFET区和第二导电结构区，JFET区在第二方向上设于第一导电结构区和第二导电结构区之间...
张燕鹏张彦飞刘梦新温霄霞
场效应晶体管及其制备方法
本申请公开了一种场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包括：衬底、漂移层、硅基体区和栅极结构，其中，漂移层与衬底具有同一掺杂类型，漂移层背离衬底的一侧具有第一表面；多个硅基体区位于漂移层的两侧，且硅基体区背离衬底一侧的...
聂瑞芬金锐和峰李翠李哲洋崔翔
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黄如
作品数：1,323被引量：363H指数：11
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 晶体管 沟道 存储器 超大规模集成电路
郝跃
作品数：2,605被引量：1,235H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
刘云圻
作品数：431被引量：511H指数：13
供职机构：中国科学院化学研究所
研究主题：有机场效应晶体管 石墨烯 迁移率 有机半导体 开关比
胡文平
作品数：327被引量：260H指数：9
供职机构：天津大学
研究主题：有机场效应晶体管 有机半导体 场效应晶体管 迁移率 有机半导体材料
冯志红
作品数：693被引量：165H指数：7
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 氧化镓 金刚石 场效应晶体管 衬底