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溅射靶、性膜以及垂直磁记录介质
本发明是一种溅射靶,其含有0.05at%以上的Bi,金属氧化物的合计含量为10vol%~60vol%,剩余部分包含Co和Pt。
增田爱美清水正义岩渊靖幸
垂直磁记录材料L1o-FePt薄膜的微观结构与织构控制
本书以硬盘中的垂直磁记录材料FePt薄膜为主体,介绍了FePt薄膜的微观结构、织构形成与演化以及有序化转变的过程,重点阐述利用控溅射方法制备高性能FePt薄膜的关键技术。第1章绪论1.1磁记录材料1.1.1磁记录材料与...
李玮
垂直磁记录介质
本发明提供具备特性(使垂直磁记录介质的热稳定性提高并且使开关场减弱的特性)比现有的帽层更优良的帽层从而实现了热稳定性的提高和开关场的减弱的垂直磁记录介质。垂直磁记录层(24)具有包含CoPt合金性晶粒(24A)和非...
谭金光镰田知成栉引了辅齐藤伸
Pt-氧化物系溅射靶和垂直磁记录介质
本发明提供晶各向异性常数Ku和矫顽力Hc高的磁记录介质以及用于制造该磁记录介质的溅射靶。一种Pt‑氧化物系溅射靶,其是由60体积%以上且小于100体积%的Pt基合金相和大于0体积%且40体积%以下的氧化物构成的Pt‑氧...
金光谭 镰田知成 栉引了辅
垂直磁记录介质
本发明的垂直磁记录介质具有颗粒层(2)和盖层(3)作为构成记录层(1)的至少一部分的层,所述颗粒层(2)包含金属氧化物作为非性体且性体分散于所述非性体,所述盖层(3)形成于所述颗粒层(2)上且不包含金属氧化物,所述...
增田爱美清水正义
文献传递
溅射靶、颗粒膜以及垂直磁记录介质
本发明涉及一种溅射靶,其含有0.05at%以上的Bi,金属氧化物的合计含量为10vol%~70vol%,剩余部分至少包含Ru。
清水正义増田爱美岩渊靖幸小庄孝志
垂直磁记录介质
本发明提供具备特性(使垂直磁记录介质的热稳定性提高并且使开关场减弱的特性)比现有的帽层更优良的帽层从而实现了热稳定性的提高和开关场的减弱的垂直磁记录介质。垂直磁记录层(24)具有包含CoPt合金性晶粒(24A)和非...
谭金光镰田知成栉引了辅齐藤伸
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用于垂直磁记录介质的堆叠式中间层
一种垂直磁记录(PMR)介质堆叠的一方面包括两个中间层以及形成于这两个中间层之间的间隔层,其中该间隔层的表面能低于这两个中间层的表面能。
D·洪S·乌K·康M·德赛
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溅射靶、性膜以及垂直磁记录介质
本发明是一种溅射靶,其含有0.05at%以上的Bi,金属氧化物的合计含量为10vol%~60vol%,剩余部分包含Co和Pt。
增田爱美清水正义岩渊靖幸
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垂直磁记录介质
本发明的垂直磁记录介质具有颗粒层(2)和盖层(3)作为构成记录层(1)的至少一部分的层,所述颗粒层(2)包含金属氧化物作为非性体且性体分散于所述非性体,所述盖层(3)形成于所述颗粒层(2)上且不包含金属氧化物,所述...
增田爱美清水正义

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研究主题:垂直磁各向异性 多层膜 反常霍尔效应 磁控溅射 PT
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研究主题:FEPT 垂直磁各向异性 附加装置 多层膜结构 磁性薄膜
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