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碳化硅槽栅复合介质MOSFET功率器件的制造方法
本发明公开了一种碳化硅槽栅复合介质MOSFET功率器件的制造方法，形成贯穿第二导电类型阱区和第一导电类型源区的浅台面；形成与浅台面相连通的深台面；在深台面、浅台面中形成电场耐受层；电场耐受层的材料为高k介质；在电场耐受层...
张跃柏松魏朗陈宇黄润华杨勇
碳化硅槽栅复合介质MOSFET功率器件的制造方法
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一种抗深层充放电聚醚酰亚胺复合介质制备及接地配置方法及系统
本发明属于航天器空间辐射屏蔽领域技术领域，公开了一种具有抗深层充放电性能的聚醚酰亚胺复合介质制备及接地配置方法及系统，该方法包括：制备长棒状氧化锌纳米颗粒；制备聚醚酰亚胺基复合材料薄膜试样，聚醚酰亚胺基复合材料薄片试样，...
尚鹏辉 马雪娟
一种三层壳核微胶囊梯度排布结构的聚乙烯基自修复复合介质及其制备方法
一种三层壳核微胶囊梯度排布结构的聚乙烯基自修复复合材料及其制备方法，它涉及到一种聚乙烯基自修复复合介质及其制备。本发明的目的在于提供一种三层壳核微胶囊梯度排布结构的聚乙烯基自修复复合介质及其制备方法，由纳米二氧化硅进行表...
朱博孙浩朱亚琦何生坤韩稀木
具有增加的有效晶体管沟道宽度的复合介质栅光敏探测器
本发明公开了一种具有增加的有效晶体管沟道宽度的复合介质栅光敏探测器。该探测器包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，二者均包括复合介质栅结构，并通过衬底中设置的浅沟槽隔离区实现...
闫锋陈辉 沈凡翔 王子豪 常峻淞 胡心怡刘泉 朱千琳 程方龙 段爽 高党辉马浩文卜晓峰
基于复合介质栅PN结的全局快门光敏探测器及工作方法
本发明公开了一种基于复合介质栅PN结的全局快门光敏探测器。其单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容、复合介质栅晶体管和全局快门结构，其中，复合介质栅晶体管包括源漏区、底层绝缘介质层、浮栅、顶层绝缘介质...
闫锋常峻淞沈凡翔王子豪陈辉李张南王凯胡心怡顾郅扬柴智
一种适用于固液两相复合介质的取样检测装置
本发明涉及一种适用于固液两相复合介质的取样检测装置，属于取样检测设备技术领域。该取样检测装置包括取样主管，所述取样主管的排样口连通有第一排样组件，且该排样口下方设有第二排样组件，所述第一排样组件用于抽取液体介质样品，所述...
赵晓磊潘新宇
一种改性聚醚酰亚胺基复合介质薄膜的制备方法
一种改性聚醚酰亚胺基复合介质薄膜的制备方法，步骤为：步骤1，制备单宁酸溶液，配制七水合硫酸锌溶液，制备二氧化硅分散液；步骤2，制备硫酸锌二氧化硅混合液，制备出核壳结构填料TA‑Zn<Sup>II</Sup>@SiO<Su...
刘晓旭 孙家明 黄少辉
一种基于硅橡胶/织物纤维的复合介质基材及其制备方法
本发明的目的在于提供一种基于硅橡胶/织物纤维的复合介质基材及其制备方法，属于可拉伸电子制造技术领域。该方法创新性地采用多层涂覆工艺制备得到了铜箔‑硅橡胶‑织物纤维/硅橡胶复合介质层‑硅橡胶‑铜箔的5层结构的介质基材，并且...
林媛郭登机潘泰松李凡贾祥高敏姚光黄振龙朱佳
一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用
一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用。本发明属于储能电介质材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有聚醚酰亚胺基储能复合介质高温储能特性差和介电损耗高的技术问题。本发明运用磁控溅射技术制...
张天栋 金子琪 孟兆通张昌海迟庆国李华
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研究主题：介质栅 复合介质 晶体管 光电子 读出
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研究主题：复合介质 介质栅 晶体管 光电子 MOSFET
迟庆国
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王凯
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供职机构：南京大学
研究主题：复合介质 介质栅 像素 栅结构 浮栅