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寄生电容测试方法: 本发明提供一种寄生电容测试方法，基于寄生电容测试结构实现，寄生电容测试结构包括：第一掺杂区域及第二掺杂区域，形成于外延层上；其中，第一掺杂区域及第二掺杂区域之间电气隔离；第一金属结构，形成于第一掺杂区域上并作为第一电极；...; 李佳俊

HKMG寄生电容测试结构的版图: 本发明提供一种HKMG寄生电容测试结构的版图，包括伪栅图形；设于伪栅图形间及伪栅图形上的多个接触孔图形；设于伪栅图形上且长度小于伪栅图形的伪栅有源区图形，伪栅有源区图形与接触孔图形不重叠。本发明的版图中设计的电容结构不增...; 雷海波汪雪娇石晶刘巍张亮徐翠芹

寄生电容的测试电路和测试方法: 本发明提供一种寄生电容的测试电路和测试方法，参考支路和测试支路分设若干功能区，所述参考支路的晶体管的栅极电连接参考驱动支路，功能区上设有参考接触孔，所述参考接触孔输出参考电流至参考读取支路；所述参考接触孔与所述栅极之间具...; 孙杰郁玉玲王艳辉

超宽带互联结构寄生电容优化结构: 本发明公开一种超宽带互联结构寄生电容优化结构，应用于信号传输领域，针对现有的封装结构传输性能较低的问题；本发明对于外部接口与芯片间的互联，采用外部接口SMA‑微带线‑类同轴‑带状线‑类同轴‑BGA焊球的互联结构，对于芯片...; 张铁笛陈子游

形成具有低寄生电容的隔离区域: 本公开涉及形成具有低寄生电容的隔离区域。一种方法，包括：形成栅极堆叠，以及蚀刻栅极堆叠以形成穿透栅极堆叠的沟槽。栅极堆叠下方的电介质隔离区域暴露于沟槽，并且栅极堆叠的第一部分和第二部分被沟槽隔开。该方法包括：执行第一沉积...; 刘蕴萱林立峰林嘉慧李资良

晶体管寄生电容测试模组、装置及方法: 本申请提供一种晶体管寄生电容测试模组、装置及方法，该晶体管寄生电容测试模组包括：第一模块和第二模块；第一模块和第二模块均包括待测试晶体管与第一晶体管；待测试晶体管与对应的第一晶体管共用体区以及第一电极，第一电极为漏极或源...; 曹成伟季祥海

一种测试结构及栅极寄生电容的校准方法: 本发明提供一种测试结构及栅极寄生电容的校准方法，测试结构一可校准ITF文书中第一金属层相关的尺寸和厚度表格；测试结构二为MOS结构去除源漏区的接触孔，设计相同沟道长度、相同周围环境、不同沟道宽度的测试结构二，以此结构校准...; 张倩倩韩志永刘慧

形成具有低寄生电容和减少损伤的隔离区域: 本公开涉及形成具有低寄生电容和减少损伤的隔离区域。一种方法包括：形成多个半导体区域；形成多个栅极堆叠，其中多个栅极堆叠在多个半导体区域的第一部分上；以及蚀刻多个栅极堆叠以在多个栅极堆叠中形成多个开口。多个开口包括在第一栅...; 林子敬

形成具有低寄生电容和降低的损伤的隔离区域: 本公开涉及形成具有低寄生电容和降低的损伤的隔离区域。一种结构，包括：多个半导体区域、彼此直接相邻的第一栅极堆叠和第二栅极堆叠、位于第一栅极堆叠中的第一鳍隔离区域、和位于第二栅极堆叠中的第二鳍隔离区域。第一鳍隔离区域和第二...; 林子敬赖俊良吴昀铮

一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法: 本申请属于惯性传感器技术领域，具体公开了一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法。通过本申请，在拾取电极背部正对位置形成镂空区域，降低拾取电极与上盖硅衬底之间的正对面积降低寄生电容。此外，在拾取电极之间设置接地极板，屏...; 范继赵坤伟陈天佑刘骅锋伍文杰

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朱慧珑: 作品数：1,193被引量：1H指数：1; 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：半导体器件沟道堆叠衬底电子设备

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张波: 作品数：4,965被引量：7,038H指数：42; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：功率半导体器件半导体功率器件电能传输系统无线导电类型

王泽毅: 作品数：62被引量：71H指数：5; 供职机构：清华大学; 研究主题：VLSI 集成电路寄生电容超大规模集成电路边界元素法

骆志炯: 作品数：332被引量：5H指数：1; 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：半导体器件半导体结构沟道堆叠介质层