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异质结双极晶体管: 本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极‑发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域...; 梅本康成小屋茂树吉田茂大部功

异质结双极晶体管: 本申请公开了一种异质结双极晶体管，属于半导体技术领域。该异质结双极晶体管包括：集电极；基极，位于所述集电极的一侧；发射极，位于所述基极背离所述集电极的一侧；其中，所述发射极包括第一超晶格结构，所述发射极的带隙大于所述基极...; 朱虹陶赓名许雅俊

异质结双极晶体管: 本申请公开了一种异质结双极晶体管，属于半导体技术领域。该异质结双极晶体管包括：集电极；基极，位于所述集电极的一侧；发射极，位于所述基极背离所述集电极的一侧；其中，所述基极包括超晶格结构，所述基极的带隙小于所述发射极的带隙...; 陶赓名朱虹许雅俊

异质结双极晶体管: 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材...; 梅本康成小屋茂树大部功

异质结双极晶体管: 本发明涉及异质结双极晶体管。本发明提供一种能够抑制HBT的输入输出特性的线性度降低的HBT。在基板上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。集电极层包含渐变型半导体层，该渐变型半导体层的电子亲和力从接近基极层的侧朝向远离基极...; 梅本康成小屋茂树大部功

异质结双极晶体管: 本发明提供一种能够抑制HBT的输入输出特性的线性度降低的HBT。在基板上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。集电极层包含渐变型半导体层，该渐变型半导体层的电子亲和力从接近基极层的侧朝向远离基极层的侧增大。基极层的接近集电...; 梅本康成小屋茂树大部功

异质结双极晶体管: 本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极‑发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域...; 梅本康成小屋茂树吉田茂大部功; 文献传递

异质结双极晶体管: 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材...; 梅本康成小屋茂树大部功; 文献传递

异质结双极晶体管: 本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极‑发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域...; 梅本康成小屋茂树吉田茂大部功; 文献传递

异质结双极晶体管: 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材...; 梅本康成小屋茂树大部功; 文献传递

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