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一种高带宽的石墨烯/硅光强度调制器
本发明提供了一种高带宽的石墨烯/硅光强度调制器,属于硅基光电子集成芯片领域。该调制器包括硅光波导衬底、石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容结构、偏压端和接地端;所述硅光波导衬底上设置石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容结构;所述...
彭海琳钱君武钦慈邢露文高欣王兴军
面向光脉冲选择系统的光强度调制器偏置控制装置与方法
本发明公开了一种面向光脉冲选择系统的光强度调制器偏置控制装置及方法,该控制装置包括参考脉冲激光、可调光延时线、第一波分复用、第二波分复用、光电探测、跨阻放大、低通滤波、模数转换、核心控制和数模转换;本发...
杨波刘志鹏池灏杨淑娜翟彦蓉
一种马赫曾德尔强度调制器工作点的调控系统及调控方法
本发明公开了一种马赫曾德尔强度调制器工作点的调控系统及调控方法,调控系统包括:可调激光、第一光耦合、第二光耦合、第一光电探测、带通滤波、鉴频鉴相模块、高稳晶振、环路滤波、电压补偿单元、加法、扰动信号发生、...
张家洪丁奇红李英娜张大骋
一种强度调制器的动态消光比测量方法及系统
本发明提出了一种强度调制器的动态消光比测量方法及系统,其利用待测强度调制器对连续光信号进行调制生成脉冲光,通过采用自由运行单光子探测对脉冲光进行探测,可以同时对不同时刻和不同强度的光脉冲进行测量,无需复杂的时间对准过程...
汪杰万颖璇时育成高松冯镭唐世彪
基于级联强度调制器的光学频率梳生成及其在WDM-RoF系统中的应用研究
张振江
铌酸锂M-Z电光强度调制器光辐射模研究
2024年
铌酸锂马赫-曾德尔(M-Z)电光强度调制器光辐射模与光纤耦合是导致芯片与光纤组件耦合失效的主要原因。采用光纤与芯片高精度耦合扫描法对光波导和光辐射模进行扫描,研究了光辐射模中心位置分布、光辐射模输出光功率随偏置电压的变化特性,以及光辐射模、光波导与光纤耦合光能量的分布特性。测得光波导在X,Y方向的有效耦合范围分别为14~15.5μm和14~16μm,光辐射模在X,Y方向的有效耦合范围分别为89~92μm和92~96μm。根据所研究的光辐射模特性,制定了失效耦合的解决方案,解决了光辐射模耦合失效问题。
郑帅峰刘佰畅田自君李淼淼华勇
快速锁定电光强度调制器最小偏置点的系统及方法
本发明公开了一种快速锁定电光强度调制器最小偏置点的系统及方法。本发明方法利用电光强度调制器通过周期性调制单光子信号分布概率并同频率解调相应的TTL信号,得到与传输曲线对应的误差信号,使用误差信号连续调谐偏置电压实时锁定传...
于波
基于光强度调制器的时域隐身开关和时域隐身装置
本申请提供了一种基于光强度调制器的时域隐身开关及时域隐身装置。该方案通过控制信号驱动时域隐身开关在时域隐身窗口内打开,使得时域隐身开关将探测光信号分为一路在时域隐身窗口内没有光的光信号和一路在时域隐身窗口内有光的光信号。...
赵赞善甘维明邢锰邢炜光
光电探测和电光强度调制器频率响应的测量装置和方法
本公开提供一种光电探测和电光强度调制器频率响应的测量装置和方法,测量装置包括:激光;第一耦合将光载波分为第一光信号和第二光信号;第一调制单元接收第一光信号,经过调制后得到第一载波单边带光信号;第二调制单元接收第二光...
焦明奇姜宇轩袁文洋雷从彪钟光诚谢亮
一种基于SOI上GST纳米点的强度调制器
本发明公开了一种基于SOI上GST纳米点的强度调制器,所述调制器包括狭缝波导结构、相变材料结构和保护结构,所述狭缝波导结构由硅材料与二氧化硅材料制备,位于所述调制器第一层,所述相变材料结构由GST相变材料制备,位于所述调...
王琳尹坤

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祝宁华
作品数:715被引量:314H指数:10
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:激光器 光电振荡器 微波信号 强度调制器 半导体激光器
刘建国
作品数:622被引量:1,254H指数:12
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:微波信号 强度调制器 激光器 窄线宽激光器 光信号
李伟
作品数:260被引量:63H指数:5
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光电振荡器 微波信号 强度调制器 垂直腔面发射激光器 微波源
李明
作品数:352被引量:26H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光电振荡器 微波信号 光信号 微波光子滤波器 调制
闫连山
作品数:479被引量:502H指数:11
供职机构:西南交通大学
研究主题:微波光子 调制格式 载波抑制 偏振复用 强度调制器