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基于伪MOS特性的MOS管界面态密度检测方法: 本发明公开了一种基于伪MOS特性的MOS管界面态密度检测方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一具有伪MOS表征结构的绝缘体上硅SOI晶圆，SOI晶圆至少包括从下至上依次层叠的衬底、埋氧层、硅膜层和电极；获取埋氧层和硅...; 李博刘凡宇张铁馨韩郑生李彬鸿叶甜春

基于第一性原理的计算电子态密度教学实践: 2024年; 阐述基于第一性原理的计算电子态密度的定义及其在物理学领域的应用,特别是在稀土离子材料研究中的重要性。通过对Lu_(3)Al_(5)O_(12)晶体的计算实例,帮助学生加深对态密度概念的理解。; 黄晓晓孙建成王强查申龙唐增楠李文静; 关键词：半导体物理态密度第一性原理

基于电子态密度变化效应的面齿轮材料飞秒激光动能量传热模型与烧蚀规律研究: 2024年; 飞秒激光精修是面齿轮精密加工的最后工序。研究飞秒激光烧蚀面齿轮材料18Cr2Ni4WA的物理过程作用机理,在基本的双温方程基础上,研究电子态密度变化效应,建立飞秒激光烧蚀面齿轮材料的动能量传热模型,仿真分析了飞秒激光烧蚀面齿轮材料的电子温度和晶格温度变化。飞秒激光烧蚀面齿轮材料试验发现,随着能量密度的增大,凹坑半径和深度都有一定的增大,且凹坑熔融物趋于增多,当能量密度为1.58 J/cm^(2)时烧蚀质量较好;随着脉宽的增大,形貌变化不大,但熔融物产生逐渐减少,凹坑趋于平整。通过研究飞秒激光烧蚀面齿轮材料18Cr2Ni4WA的烧蚀规律,为提高面齿轮的精密加工质量提供了参考。; 吴陶明兴祖熊良才李湾刘海渔; 关键词：飞秒激光

一种测量有机半导体态密度分布的方法: 本发明一种测量有机半导体态密度分布的方法，将待测有机半导体作为半导体层制备底栅顶接触的场效应晶体管结构；测试所述待测有机半导体的价带态密度分布时，顶接触的源电极、漏电极采用P掺杂有机半导体薄膜；测试所述待测有机半导体的导...; 胡袁源李蓉

高浓度掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜的态密度模型研究: 2024年; 针对背沟道刻蚀(Back Channel Etch,BCE)技术的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFTs),建立了一种高浓度掺杂态密度模型(High Concentration Doping Density Of States model,HCD-DOS model),并通过数值模拟研究态密度关键参数对器件性能的影响,以此揭示a-IGZO TFTs中制备工艺对导电沟道修复的物理机理.首先,采用结合强度较高的钼/铜双层结构作为栅/源/漏电极,引入BCE方法制备了底栅顶接触(BottomGate Top-Contact,BG-TC)TFTs.其次,建立了适用于BCE技术的a-IGZO TFTs的HCD-DOS模型.随后,基于TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真器对态密度关键参数进行数值研究,结果表明,不同态密度参数对a-IGZO TFTs器件转移特性曲线、电学特性以及沟道内部电子浓度分布的影响有所差异.最后,基于HCD-DOS模型探索SiO_(x)钝化层沉积和N_(2)O等离子体处理对器件内部机理的影响.研究发现,N2O等离子体处理对态密度分布和沟道载流子浓度有显著影响,进而导致阈值电压正向漂移.; 蔡坤林谢应涛蹇欢黄雁琳翁嘉明; 关键词：等离子体处理

一种提高纯钼棒烧结态密度的制备工艺: 本发明公开了一种提高纯钼棒烧结态密度的制备工艺，包括以下步骤：S1、原料筛分：外购的钼粉原料进行通过振动筛进行筛分；S2、粉料混合：将不同批次的钼粉放入到混料机中进行混合；S3、冷等静压成型：将混合后的钼粉称量装入胶套内...; 邓锐单鹏李德华

有机薄膜晶体管陷阱态密度检测研究进展: 2024年; 近年来,有机薄膜晶体管取得了重大进步,推动了微电子电路、有机发光显示器、有机生物电子和有机光电探测器等技术的发展与应用。多晶或非晶的有机半导体易产生大量缺陷,器件的制备工艺也会带来缺陷,导致带隙中的局域陷阱态捕获电荷载流子。因此,陷阱态将严重影响有机薄膜晶体管中载流子的传输。综述了几种测量和表征有机半导体器件陷阱态密度的方法和技术,不同的方法基于不同的近似和假设,采用不同的测量原理,涵盖不同的能量范围。对比分析了几种检测方法的优势和局限性,对有机薄膜陷阱态的测量提出了具有指导性的意见。; 李尧王奋强王爱玲蓝俊刘良朋吴回州张鹏杰; 关键词：有机薄膜晶体管载流子有机半导体

一种氧化物沟道晶体管缺陷态密度测试方法及系统: 本发明涉及半导体表征及测试技术领域，尤其是涉及一种氧化物沟道晶体管缺陷态密度测试方法及系统，制备氧化物沟道晶体管，分别在暗光和蓝光照射条件下测量晶体管的电容‑电压特性曲线，进而计算氧化物沟道晶体管深能级缺陷态密度值，本发...; 周海涛白子恒邬志成

一种熔铸炸药熔态密度的测试方法: 本发明提供了一种熔铸炸药熔态密度的测试方法，该方法将熔铸炸药熔态料浆倒入预热的模具中，待熔铸炸药熔态料浆冷却后制得药柱，根据药柱质量和模具体积计算熔铸炸药熔态密度。本发明的熔铸炸药熔态密度的测试方法，避免了量筒法中体积读...; 张蒙蒙罗一鸣李秉擘雷伟杨斐

GaN基半导体的界面态密度测试结构: 本实用新型公开了一种GaN基半导体的界面态密度测试结构，该测试结构在GaN外延层上设有无源区和有源区，有源区上设有欧姆金属层，在无源区、欧姆金属层及无源区与欧姆金属层之间的有源区上覆盖有钝化层，钝化层上设有肖特基金属层，...; 蔡文必王哲力靳义昌邹冠许亚红

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