搜索到2292篇“ 感应耦合等离子体“的相关文章
带开关电源的感应耦合等离子体光源
一种用于产生光的方法和装置,包括一个腔室,该腔室具有高电压区域、低电压区域和限定了等离子体约束区域的等离子体生成区域。在腔室周围布置有磁芯,用于在等离子体约束区域内生成等离子体。开关电源系统包括直流电源和开关谐振充电电路...
F·M·尼尔三世D·K·史密斯M·M·贝森S·F·霍恩D·B·雷斯曼D·J·阿卡罗M·J·罗德里克
一种射频感应耦合等离子体均匀性调控装置
本申请公开了一种射频感应耦合等离子体均匀性调控装置,涉及射频等离子体技术领域,该装置包括:放电腔室、石英介质窗、射频线圈对和双腔屏蔽罩;所述石英介质窗设置于所述放电腔室的上表面;所述射频线圈对设置于所述石英介质窗的上表面...
吕翔云辛程高飞王友年
具有直接气注入的感应耦合等离子体光源
一种具有直接进料气注入的紫外光源,包括腔,该腔包含等离子体约束区域,并限定该等离子体约束区域附近的孔,用于透射等离子体产生的光。磁芯布置在等离子体约束区域周围,并被配置为在运行期间产生多个等离子体电流环,这些环在...
D·K·史密斯S·F·霍恩M·J·罗德里克K·萨伊托W·内夫
一种双层进气式的感应耦合等离子体发生装置
本发明涉及一种双层进气式的感应耦合等离子体发生装置,属于等离子体发生器领域,包括连接板,上底座,中层管底座,外层管底座,中层管,外层管,束流冷却喷嘴结构。通过优化矩管的结构和配置,使等离子体发生装置结构简单,可以实现...
范斌焦培琦胡钥鹏辛强吴湘
侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构
本发明公开了一种侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构,其中制造方法包括:提供第一腔;提供第二腔,形成于第一腔的下方且相连通;设置至少一个第一进气口在第一反应腔室的顶面;设置至少一个第二进气口在第一反应...
林志隆蔡兆哲陈俊龙
感应耦合等离子体光源
用于UV光源的等离子体腔室包括规定等离子体限制区域的等离子体产生区域。端口被定位成与等离子体产生区域的一侧相邻,且允许产生的光传出腔室。高电压区域耦合等离子体产生区域。接地区域耦合到高电压区域,并且规定被配置为耦合到地...
S·F·霍恩K·萨伊托W·内夫R·M·格日宾斯基M·J·罗德里克
感应耦合等离子体离子源放电特性仿真研究
2024年
针对于一款放电腔直径为60 mm的射频感应耦合等离子体离子源,采用数值模拟的方法研究了射频天线和放电腔结构对氩离子密度分布的影响。结果表明,相比于均匀绕制线圈,非匝间距的射频天线可有效提高所产生等离子体中氩离子平均密度与其径向均匀性均;氩离子密度随着放电腔高度的增大先增大后减小,在高度为38 mm时达到最大值;使用阶梯式介质窗虽然可以提高氩离子的密度,但也增加了其被溅射的风险。将模拟计算结果应用于离子源实验装置的研制,实现了0.24 mA氩离子束稳定引出。
李日正倪国华孙红梅王城
关键词:离子源数值模拟感应耦合等离子体等离子体发生器
脉冲调制射频感应耦合等离子体放电特性的数值模拟研究
感应耦合等离子体源具有设备结构简单、在低温低气压条件下能产生高等离子体密度、离子通量和离子能量可独立调控诸多优点,在微电子工业中得到了广泛的应用。随着半导芯片特征尺寸和蚀刻线宽日益缩小,同时,晶圆损伤、材料污染、畸形...
赵洋
关键词:脉冲调制感应耦合等离子体流体模拟电子密度
一种基于感应耦合等离子体的新型蜂窝吸波复合结构
本发明公开了一种基于感应耦合等离子体的新型蜂窝吸波复合结构,包括感应耦合等离子体激发装置,其包括电源系统和真空系统;电源系统包括放电腔室、射频电源及通过射频阻抗匹配器与射频电源连接的放电线圈;真空系统包括与放电腔室连通的...
魏小龙徐浩军常怡鹏韩欣珉张文远郭旭
感应耦合等离子体分析系统以及感应耦合等离子体分析方法
一种感应耦合等离子体分析系统,对被供给了测定对象的试料的等离子体的发光状态进行测定,该感应耦合等离子体分析系统具备:光谱仪,其将被设定于等离子体的测定区域中的发光分解为多个波长分量;检测装置,其对被分解后的光的空间分布进...
寺本庆之胁坂昭弘

相关作者

辛煜
作品数:104被引量:171H指数:7
供职机构:苏州大学
研究主题:感应耦合等离子体 等离子体 发射光谱 A-C 氟化非晶碳薄膜
宁兆元
作品数:128被引量:467H指数:14
供职机构:苏州大学
研究主题:等离子体 氟化非晶碳薄膜 ECR 感应耦合等离子体 光学带隙
李雪
作品数:369被引量:337H指数:9
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:INGAAS 铟镓砷 红外探测器 杜瓦 焦平面探测器
龚海梅
作品数:465被引量:621H指数:13
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:红外探测器 碲镉汞 INGAAS 铟镓砷 杜瓦
杨银堂
作品数:1,647被引量:1,668H指数:16
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗