搜索到195篇“ 施主杂质“的相关文章
- 二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态（英文）
- 2019年
- 采用第一性原理的计算方法研究GeSe纳米片结构掺杂Ⅴ和Ⅶ族元素对其电子结构、形成能和跃迁能级的影响.结果表明:无论是掺杂Ⅴ族还是Ⅶ族元素,体系的形成能均随杂质半径的增加而增加.Ⅴ族元素掺杂体系的跃迁能级随杂质原子半径的增加而降低,而Ⅶ元素掺杂的体系却随杂质原子半径的增加而增加.其中,F、Cl、Br和I的掺杂为n型施主浅能级杂质,而N、P和As掺杂为p型受体深能级杂质.为相关的实验研究提供了理论参考.
- 熊宗刚杜娟张现周
- 关键词：杂质态第一性原理计算
- 圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质态的电场效应
- 2017年
- 在有效质量近似理论下,利用变分法研究了外电场下圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(径向厚度、高度)、杂质位置以及外电场间的变化规律。结果表明:随着量子环径向厚度(高度)的增大,中心施主杂质束缚能先增大后减小,显示有一极大值;施加的电场明显地改变了量子环中电子波函数的分布,导致施主杂质束缚能相应的改变;施主杂质束缚能随杂质位置的变化呈现出规律性。
- 何浩王广新
- 关键词：量子环电场效应施主杂质束缚能
- 二维量子环中带负电荷施主杂质的非线性光学性质研究
- 本论文在有效质量近似下,应用谐振子基展开法和Talmi-Moshinsky系数研究了带负电荷（D-）的施主量子环中电子的能级和相应的波函数表达式,以及通过对变化的外加磁场强度下系统能谱的特征曲线进行比较揭示了外加磁场对带...
- 廖冠松
- 关键词：三阶极化率
- 文献传递
- 圆柱形GaAs量子环中施主杂质束缚能的磁场效应被引量：1
- 2016年
- 在有效质量近似理论下,利用变分法,计算了外磁场下圆柱形GaAs量子环中类氢施主杂质基态束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(内径、外径、高度)、杂质位置以及磁场强度间的变化规律。结果表明:施主杂质束缚能随着量子环内径的增大而增大。随着量子环高度、外径的增大施主杂质束缚能逐渐减小。中心施主杂质束缚能随着磁场强度的增大逐渐减小。另外,当杂质离子从量子环的内表面被移至外表面时,施主杂质束缚能先增大后减小,有一最大值。
- 王广新
- 关键词：量子环束缚能
- 施主杂质量子点的光折射率
- 2014年
- 利用精确对角化方法计算了两个电子在施主杂质抛物势量子点的能量和波函数,通过密度矩阵方法得到光折射率改变量的表达式,在这基础上计算了杂质量子点由1 S态跃迁到1 P态的光折射率改变量,并对杂质的电荷量不同的杂质量子点的结果进行分析.
- 黄锦胜陈国贵
- 关键词：施主杂质抛物量子点密度矩阵方法
- 外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子
- 2013年
- 利用精确对角化方法计算了外加磁场下类氢施主杂质量子点中的激子的束缚能,发现系统的束缚能随着量子点的束缚势的增大而减小,随着外加磁场的增大而减小.
- 黄锦胜林少光林凯燕陈国贵
- 关键词：量子点磁场束缚能
- 多晶硅材料制备中施主杂质磷的模拟计算研究被引量：3
- 2013年
- 多晶硅是主要功能半导体材料。磷作为主要施主杂质,其含量直接影响多晶硅的半导体性能。多晶硅制备普遍采用改良西门子工艺,在密闭、复杂的动态工艺系统中,磷存在的化合物、含量及转化,无法实际有效掌握、但又非常重要;利用Aspen plus等软件对流程中主要的工艺系统模拟计算,并结合热力学反应分析,研究磷的分布规律、存在形式和量化含量;研究发现磷的主要化合物类型除PCl3,在还原或氢化炉这种高温、富氢条件下,PCl3会转化成PH3。在还原过程中磷存在富集效应。尾气回收解析塔解析效果的好坏影响着磷去除效果。研究结果表明,若要使还原多晶硅产品符合国标太阳能三级磷≤7.74ppba的要求,则对本文建立的模拟工艺流程,需要精馏前、后的SiHCl3中P应分别≤2557 ppbw和1.79ppbw。
- 宋东明谢刚马卓煌马卓煌张艺陈丽娟
- 关键词：施主杂质模拟计算多晶硅尾气回收氢化炉解析塔
- 椭球量子点中施主杂质的三阶非线性光学极化率(英文)
- 2013年
- 在有效质量近似下,采用变分方法,研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质.基于计算能量和波函数,以典型的半导体材料砷化镓为例,讨论椭球量子点的几何尺寸和各向异性度对施主杂质的三阶非线性极化率的影响.结果显示这些因素对椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质有强烈的影响.
- 解文方
- 关键词：施主杂质量子点半导体
- 激光场和温度对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中施主杂质态的影响被引量：1
- 2013年
- 利用有效质量近似和变分原理,研究了激光场和温度对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中基态施主束缚能的影响.结果显示,基态施主束缚能随着激光场的增强而减小,尤其是对于量子阱中心处的杂质,激光场的影响更明显.而且激光场对窄阱中杂质的施主束缚能有明显的影响.基态施主束缚能随着温度的增加而减小,随着Al含量的增加而增加,随着量子阱宽的增大而减小.并且随着阱宽的进一步增大,束缚能减小的趋势变慢.
- 候文秀危书义夏从新
- 关键词：激光场温度施主杂质
- GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能被引量：5
- 2013年
- 在有效质量近似下,利用变分法对Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值;外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布;Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显地影响阱中氢杂质束缚能。计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义。
- 尹新王海龙龚谦封松林
- 关键词：光电子学束缚能
相关作者
- 任敏
- 作品数：494被引量：21H指数：3
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- 研究主题：导电类型 功率半导体器件 漂移区 半导体 导通压降
- 班士良
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- 齐建全
- 作品数：104被引量：121H指数：7
- 供职机构：东北大学秦皇岛分校
- 研究主题：BATIO BATIO3 钛酸钡 PTCR 陶瓷
- 郑冬梅
- 作品数：36被引量：62H指数：5
- 供职机构：三明学院
- 研究主题：柱形量子点 XGA 结合能 量子点 激子结合能
- 刘国标
- 作品数：5被引量：17H指数：3
- 供职机构：西华大学材料科学与工程学院
- 研究主题：BATIO 施主杂质 陶瓷介电 活性炭 煤基
