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硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi—SBIRCCD)的暗电流密度分析: 1990年; 本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和PtSi-SBIR CCD的暗电流来源以及降低暗电流尖峰、改善器件性能的工艺措施.; 程开富; 关键词：硅化铂红外电荷耦合器件暗电流

硅基肖特基结短波红外光电探测器的制备与性能研究: 光电探测器作为一种能够将光信号转换为电信号的器件,在光通信、军事、医疗和农业等关键领域得到了广泛应用。在诸多光电探测器类型中,硅基光电探测器因其与成熟的互补金属氧化物半导体（CMOS）制造工艺高度兼容而备受商业市场和科研...; 梁众; 关键词：热电子发射势垒高度暗电流密度

pπBn型Ⅱ类超晶格暗电流特性研究被引量：1: 2024年; InAs/GaSbⅡ类超晶格(T2SL)红外探测器由于具有宽光谱探测能力、较好的材料均匀性、可以抑制载流子俄歇复合率和灵活的能带设计等优点,在长波红外探测领域具有很大的优势。但由于暗电流较大,其性能并未达到理论预测。pπBn结构是在超晶格材料的吸收层和接触层之间增加单极势垒,以抑制G-R暗电流和隧穿暗电流。本文分别从理论上研究了吸收层、势垒层和接触层的超晶格能带结构。模拟了pπBn结构的InAs/GaSb T2SL,研究了其吸收层掺杂浓度、势垒层掺杂浓度和势垒厚度对器件暗电流的影响。通过优化吸收层掺杂浓度、势垒层厚度和掺杂浓度,得到暗电流密度为8.35×10^(-7)A/cm^(-2)的pπBn结构InAs/GaSb T2SL,与优化前的结构相比,暗电流降低了一个数量级。研究过程不仅为pπBn结构的InAs/GaSb T2SL器件的低暗电流设计提供了指导,而且为优化超晶格器件的暗电流提供了一种系统的方法。; 闫勇王晓华周朋刘铭; 关键词：INAS/GASB 暗电流密度

一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法: 本申请涉及复合材料技术领域，尤其涉及一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法；所述方法包括：混合有机溶剂和钙钛矿前体材料溶液，对混合物进行静置，得到饱和混合物；于饱和混合物中加入种子层，得到种子混合物；对种子混合物进...; 牛广达刘志强唐江徐凌郑志平何欣

基于非富勒烯受体的可见光-近红外有机光电探测器模拟研究: 2023年; 高灵敏度的有机光电探测器(OPD)具有从可见光到近红外(NIR)的宽带响应和优异的整体器件性能,在包括高质量生物成像在内的各种应用中起到了非常重要的作用。文章使用Silvaco TCAD模拟了一种活性层由宽带隙聚合物PBDTTT-C-T作为给体以及稠合八烷基小分子FOIC作为受体构成的混合物所制成的宽带有机光电探测器。模拟结果表明,器件的暗电流密度、外量子效益、可探测到的最低光强能力等各项指标达到了很好的水平,与实验数据吻合较好。由此,可认为模拟过程中所使用到的参数具有较好的可信度和使用价值,可以为同类型光电探测器的模拟与研究提供有益借鉴。; 陆之南孙久勋; 关键词：暗电流密度外量子效率

InP/InGaAs基红外光电探测器的制备与性能研究: 在过去的几十年里,由于半导体红外探测器在军事（如成像、夜视、导弹跟踪）领域和民用（如光通信、医学成像、环境检测等）领域的广泛应用,市场上对半导体红外探测器的需求逐年增加。PIN光电探测器和雪崩光电二极管（Avalanch...; 张珺玚; 关键词：红外光电探测器暗电流密度光电性能

基于非富勒烯受体的有机光探测器暗电流特性及应用研究: 光探测器是可以将光信号转换成电信号的元器件，广泛应用于光信号探测和测量。作为下一代新兴光探测器的重要候选器件之一，有机光探测器具有质轻、制备成本低廉、可溶液加工、兼容柔性衬底、易于大面积制备、光谱响应范围宽等特点，其应用...; 李静雯; 关键词：暗电流密度

基于硫氰化亚铜阳极界面的有机光探测器的制备及其性能研究: 有机光探测器（Organic Photodetector, OPD）可以实现将光信号转换为电信号的功能，因其在光通信网络、健康监测、图像传感和夜视仪领域的巨大潜力而备受关注。目前实验室报道的OPD最高探测率已经超过1.0...; 黄振强; 关键词：暗电流密度

基于萘二并噻二唑共轭聚合物的有机光探测器暗电流性能研究: 光探测器是可以将光信号转换成电信号的半导体器件，广泛应用于光信号监测检测。作为下一代新兴光探测器的重要候选，有机光探测器具有质轻、可溶液加工、可制成柔性大面积器件、光谱响应范围宽等特点，与传统的无机光探测器的应用场景具有...; 曾昭密依; 关键词：暗电流密度

截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器: 2022年; 采用闭管扩散的方法成功研制了截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs探测器芯片。在分子束外延法(MBE)生长的In_(0.75)Al_(0.25)As/In_(0.75)Ga_(0.25)As/In_(0.75)Al_(0.25)As外延材料上,采用砷化锌作为扩散掺杂源、SiN_(x)作为扩散掩膜层,实现了扩散成结。分析了扩散结深和载流子侧向收集宽度、Ⅰ-Ⅴ特性、光谱响应特性和探测率,结果表明:150 K温度下,器件暗电流密度0.69 nA/cm^(2)@-10 mV,响应截止波长和峰值波长分别为2.12μm和1.97μm,峰值响应率为1.29 A/W,峰值量子效率达82%,峰值探测率为1.01×10^(12) cmHz^(1/2)/W。这些结果对后续进一步优化平面型延伸波长InGaAs焦平面探测器有重要的指导意义。; 程吉凤李雪李雪邵秀梅李淘马英杰杨波杨波; 关键词：INALAS/INGAAS 暗电流密度量子效率

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