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碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法
本发明公开了一种碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法，结构包括漏极电极、元胞衬底、元胞外延层、元胞电流扩展层、元胞阱区、元胞源区、隔离介质层、源极电极，位于元胞外延层之中、为元胞电流扩展层所包围的第二沟槽，位于第二...
张跃柏松陈宇魏朗黄润华宋晓峰杨勇
碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法
本发明公开了一种碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法，结构包括漏极电极、元胞衬底、元胞外延层、元胞电流扩展层、元胞阱区、元胞源区、隔离介质层、源极电极，位于元胞外延层之中、为元胞电流扩展层所包围的第二沟槽，位于第二...
张跃柏松陈宇魏朗黄润华宋晓峰杨勇
多槽式碳化硅槽栅MOSFET功率器件及其制造方法
本发明公开了一种多槽式碳化硅槽栅MOSFET功率器件及其制造方法，器件包括：位于第一导电类型外延层之上的第二导电类型外延层；贯穿第二导电类型外延层并延伸入第一导电类型外延层之中的若干沟槽；位于第二导电类型外延层之上、沟槽...
张跃柏松李士颜黄润华杨勇
T型绝缘层碳化硅槽栅MOSFET功率器件及其制造方法
本发明公开了一种T型绝缘层碳化硅槽栅MOSFET功率器件及其制造方法，方法包括：在碳化硅衬底之上形成第一导电类型碳化硅外延层；形成第二导电类型阱区与第一导电类型源区；形成贯穿第二导电类型阱区和第一导电类型源区的上台面以及...
张跃黄润华柏松张腾陈谷然杨勇
混合沟道碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法
本发明公开了混合沟道碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法，该碳化硅槽栅MOSFET器件包括沟槽一、沟槽二，衬底、外延层、第一源区和第二源区，第一阱区、第二阱区。于沟槽一和沟槽二中形成栅极电极，在不增加元胞尺寸的前提下，...
张跃柏松宋晓峰李士颜黄润华杨勇应贤炜
一种高沟道密度的碳化硅槽栅MOSFET器件
本发明提供一种高沟道密度的碳化硅沟槽栅MOSFET器件，包括：源极金属，N+接触区，P+接触区，P‑body区，槽栅多晶硅，栅氧介质，N型外延层，N型衬底，漏极金属，P柱，N柱，CSL层，P+屏蔽层；本发明提出的高沟道密...
李轩杨正羽许士康邓小川张波
一种具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET及其制备方法
本发明公开了一种具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET及其制备方法，涉及氧化镓MOSFET技术领域。本发明提供的具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET的氧化物介电柱通过改善击穿时的电势分布，在反向状态下，使源极、介电柱和...
宿世臣赵天乐
倒T型屏蔽结构碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法
本发明公开了一种倒T型屏蔽结构碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法，器件包括下沟槽、上沟槽、第一导电类型碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延层和第一导电类型源区、第二导电类型第一阱区、第二导电类型第二阱区和第二导电类型第...
张跃柏松李士颜张腾黄润华应贤炜杨勇
倒T型屏蔽结构碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法
本发明公开了一种倒T型屏蔽结构碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法，器件包括下沟槽、上沟槽、第一导电类型碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延层和第一导电类型源区、第二导电类型第一阱区、第二导电类型第二阱区和第二导电类型第...
张跃柏松李士颜张腾黄润华应贤炜杨勇
一种电压钳位型碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法
本发明公开了一种电压钳位型碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法，包括：漏极金属电极、源极金属电极、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型引流区、第二导电类型引流区、第二导电类型阱区、第二导电类型沟道区、特征...
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作品数：61被引量：2H指数：1
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田波
作品数：15被引量：15H指数：2
供职机构：北京工业大学
研究主题：JFET 槽栅MOSFET 功耗 槽栅 击穿电压
亢宝位
作品数：75被引量：150H指数：7
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院
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吴郁
作品数：124被引量：102H指数：5
供职机构：北京工业大学
研究主题：IGBT 内透明集电极 槽栅 绝缘栅双极晶体管 JFET
任红霞
作品数：45被引量：48H指数：4
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
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