搜索到537篇“ 氢化非晶硅“的相关文章
- 氢化非晶硅/氮化硅的叠层钝化膜制备方法
- 本发明涉及太阳能晶硅的技术领域,具体为一种氢化非晶硅/氮化硅的叠层钝化膜制备方法,包括如下步骤:步骤S1,将整片电池进行切片,并堆叠在载具中,使电池的切割面处于同一方向放置;步骤S2,将装载有切片的载具传输至装载腔,进行...
- 刘奇尧 刘家安 朱广乾 上官泉元
- 一种基于氢化非晶硅的局域栅调控感算一体化器件及其制备方法
- 一种基于氢化非晶硅的局域栅调控感算一体化器件及其制备方法,属于感算一体化领域。包括:基底上的局域底栅电极、局域底栅电极上和所述局域底栅电极未覆盖基底上的的电介质层、电介质层上的本征氢化非晶硅沟道层(a‑si:H)、本征氢...
- 王晓亭刘峰铭邓文杰武一
- 一种热丝CVD制备本征氢化非晶硅膜的方法
- 本发明提供了一种热丝CVD制备本征氢化非晶硅膜的方法,涉及太阳能电池技术领域。本发明提供的方法包括以下步骤:在热丝CVD设备内1600‑2200℃的热丝温度、5‑1000sccm的硅烷流量、0.3‑5Pa的压力下,在待镀...
- 孟虹辰吴小元周浪
- 氢化非晶硅薄膜制备方法
- 本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜制备方法,包括:S1将单晶硅片清洗并制绒;S2在硅片表面预沉积氢等离子;S3在硅片表面进一步沉积SiH<Sub>x</Sub>等离子体基团得到氢化非晶硅薄膜,其中,x=1或2或3;S4对氢化...
- 周耐根罗耀榕周浪黄海宾
- 具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池
- 本发明公开了一种具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池,包括单晶硅片,单晶硅片的上表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A<Sub>1</Sub>、n型磷掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线,构成电池正面,单晶硅片的下表面上由内...
- 王守志王丽婷王金淳杜敬良周啸颖刘阳黄国平李菁楠
- 氢化非晶硅结构及其电化学储氢性能与第一性原理研究
- 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜在离子液体电解质中具有超高的电化学放电容量(3635m Ah g-1),使其在质子电池中极具研究和应用价值。最近研究表明,通过气体氢化处理可以极大地提升非晶硅(a-Si)薄膜电极的电化学容量...
- 张海民
- 关键词:氢化非晶硅电化学储氢第一性原理计算电化学行为
- 本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响
- 2023年
- 以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象,该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底,其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧,p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度对膜层钝化性能和光透过率的影响,然后进一步研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜不同厚度匹配设计对HIT太阳电池电性能的影响,并选出了最优厚度匹配方案。研究结果表明:1)n面本征氢化非晶硅薄膜的厚度越薄,n面非晶硅膜层的光透过率越高,但钝化效果会变差;当厚度达到5 nm时,硅片的少子寿命趋于稳定。2)在n面本征氢化非晶硅薄膜厚度一定的情况下,随着p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度变厚,硅片的少子寿命先快速增加,当厚度达到9 nm时,硅片的少子寿命趋于稳定;当厚度大于9 nm时,制备的HIT太阳电池的短路电流和填充因子均下降,表明其串联电阻增大,导致光电转换效率降低。3)当n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度分别为5、9 nm时,n面的钝化效果和光透过率匹配较好,p面的钝化效果和电阻率匹配最优,即为最优厚度匹配方案;此方案制备得到的HIT太阳电池的光电转换效率达到最高,为24.59%。
- 杜敬良张会学姜利凯勾宪芳刘海涛王丽婷
- 关键词:异质结太阳电池少子寿命
- 一种氢化非晶硅光学薄膜生产用旋转平台
- 本实用新型公开了一种氢化非晶硅光学薄膜生产用旋转平台,包括旋转平台和反应板,所述反应板设于旋转平台上方,且反应板与旋转平台匹配设置,所述旋转平台下方设置有连接板,所述连接板上侧壁对称设置有伸缩外管,且旋转平台下侧壁固定连...
- 罗娟
- 氢化非晶硅叠层薄膜对单晶硅表面钝化研究被引量:4
- 2021年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法生长的单层本征氢化非晶硅薄膜对单晶硅片进行钝化,结果表明增加氢稀释比有利于减少薄膜中的缺陷,增强钝化效果,过量的氢稀释比会导致非晶硅在硅片表面的外延晶化生长,降低钝化效果。退火导致非晶硅晶化程度增加,降低了钝化效果,同时退火提升了薄膜的质量,改变了H键合方式,增强了钝化效果。因此,单层氢化非晶硅只有在合适的氢稀释比和退火温度才可以获得最佳钝化效果。为了提高非晶硅薄膜对硅片的钝化效果,采用具有高低氢稀释比的叠层本征非晶硅薄膜对硅片进行钝化。因此将高氢稀释比沉积的非晶硅薄膜叠层生长于低氢稀释比的薄膜之上,避免非晶硅在硅片表面的外延生长。在退火过程中,高氢稀释比薄膜中的氢扩散到低氢稀释比薄膜中,有效地钝化了非晶硅中和单晶硅表面的悬挂键,改善了非晶硅/硅片的界面质量,叠层钝化后硅片的少子寿命为7.36 ms,隐含开路电压为732 mV。
- 丁月珂黄仕华
- 关键词:钝化单晶硅少子寿命
- 铝层厚度对铝诱导氢化非晶硅晶化的影响被引量:1
- 2020年
- 本文依据马普金属研究所对铝诱导晶化机制的理论基础,通过制备不同Al层厚度的Al/a-Si:H叠层样品的晶化结果来探究铝诱导氢化非晶硅的晶化机制。结果表明:随着Al层厚度增加,Al/a-Si:H叠层样品晶化得到的多晶硅晶粒尺寸增加,进一步实验验证了铝诱导非晶硅晶化过程发生在多晶铝晶界中。
- 王丽云
- 关键词:铝诱导晶化氢化非晶硅拉曼光谱
相关作者
- 陈光华

- 作品数:271被引量:445H指数:11
- 供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院
- 研究主题:立方氮化硼薄膜 立方氮化硼 金刚石薄膜 CVD 氢化非晶硅
- 胡跃辉

- 作品数:80被引量:120H指数:6
- 供职机构:景德镇陶瓷大学机械电子工程学院
- 研究主题:ZNO薄膜 氢化非晶硅 氢化非晶硅薄膜 溶胶-凝胶法 氢含量
- 朱秀红

- 作品数:47被引量:36H指数:3
- 供职机构:西北大学
- 研究主题:氢化非晶硅 氢化非晶硅薄膜 A-SI:H 氢含量 A-SI:H薄膜
- 宋雪梅

- 作品数:273被引量:308H指数:9
- 供职机构:北京工业大学
- 研究主题:SUB 衬底温度 衬底 CVD 工作气压
- 阴生毅

- 作品数:109被引量:126H指数:6
- 供职机构:中国科学院电子学研究所
- 研究主题:阴极 扩散阴极 氢含量 浸渍 氢化非晶硅