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一种氧化钇稳定氧化锆陶瓷材料及其制备方法、电子设备: 本申请提供了一种氧化钇稳定氧化锆陶瓷材料及其制备方法、以及含有该陶瓷材料的电子设备，所述陶瓷材料具有基质层、至少一层与基质层相邻的强化层，所述陶瓷材料晶相含有单斜相和四方相，其中，所述基质层中单斜相陶瓷占基质层陶瓷材料的...; 林信平江品颐杨清平李和祯

一种纳米级氧化钇稳定氧化锆粉的共沉淀制备装置: 本发明属于化学共沉淀技术领域，尤其是一种纳米级氧化钇稳定氧化锆粉的共沉淀制备装置，针对现有技术中的内置式搅拌机构容易导致后期无法快速清理的问题，现提出以下方案，包括整体呈竖直管状结构的外桶，所述外桶的底部圆周内壁固定有凹...; 符志红孙景辉

一种氧化钇稳定氧化锆粉干燥机构: 本实用新型涉及化工设备技术领域，尤其涉及一种氧化钇稳定氧化锆粉干燥机构，包括干燥罐、外罐、加热板和增效机构，干燥罐设置有进料口和出料口，增效机构包括凸台、第一电机、搅拌件、板体、安装板、第二电机、圆盘、抵持杆、块体和连杆...; 李超宁

一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法: 本发明属于粉体制备技术领域，具体公开了一种氧化钇稳定氧化锆粉体的制备方法。该制备方法，包括以下步骤：将复合盐覆盖块状氧化钇稳定氧化锆，置于通有混合气体的管式炉中，进行加热，使复合盐熔融成复合熔盐；然后去除复合熔盐，经清洗...; 田志林郑丽雅李斌邱子豪

一种纳米级氧化钇稳定氧化锆的制备方法: 本发明公开一种纳米级氧化钇稳定氧化锆的制备方法。本发明将喷雾热解和低温煅烧相结合，以PVA为分散剂、以无水乙醇为溶剂、盐酸为络合剂，加入氧氯化锆溶液及氧氯化锆摩尔量2‑10%的氧化钇和稀土氧化物或者氧化镁、氧化铝等辅料，...; 刘华锋陶锐魏超超周晓文刘闰源陈仁华周林文戴钰刘伟廖艳勤

氧化钇稳定氧化锆陶瓷坯体及氧化钇稳定氧化锆增韧氧化铝陶瓷坯体的制备方法: 本发明公开了氧化钇稳定氧化锆陶瓷坯体及氧化钇稳定氧化锆增韧氧化铝陶瓷坯体的制备方法，涉及陶瓷坯体成型技术领域。其技术方案为：以氧化钇稳定氧化锆粉体为原料，添加含羧酸根的水基分散剂，制备体积固含量＞40%的水基陶瓷浆料；测...; 张存银林杨吴事江杨盼盼郭丽萍王士维

不同前驱体对聚丙烯酰胺凝胶法制备氧化钇稳定氧化锆纳米粉体的影响: 2024年; 采用聚丙烯酰胺凝胶法制备氧化钇稳定氧化锆(YSZ)纳米粉体。分别以ZrOCl_(2)与YCl_(3),Zr(NO_(3))_(4)与Y(NO_(3))_(3)作原料合成凝胶前驱体,对两种凝胶的热分解过程及YSZ粉体的物相组成、形貌和烧结性能进行分析和表征。结果表明:不同前驱体对聚丙烯酰胺凝胶的热分解过程影响不同:以Zr(NO_(3))_(4)和Y(NO_(3))_(3)为前驱体和以ZrOCl_(2)和YCl_(3)为前驱体制得的凝胶内有机物最终热分解完全的温度分别为680和692℃。研究结果还表明:前驱体的种类影响YSZ粉体的晶化温度:以ZrOCl_(2)和YCl_(3)为前驱体制备YSZ粉体时会在较低温度产生四方相氧化锆,在800℃时YSZ粉体内会转变出部分单斜相;而以Zr(NO_(3))_(4)和Y(NO_(3))_(3)为前驱体制备YSZ粉体时,虽然体系内四方相氧化锆晶化温度较高,但四方相稳定性较好。此外,两种不同前驱体均能制备出晶粒尺寸较小的YSZ粉体,且粉体内各元素的分布均匀,以Zr(NO_(3))_(4)和Y(NO_(3))_(3)为前驱体制得的YSZ粉体团聚程度更小,烧结的YSZ陶瓷平均晶粒更小,相对密度可达97.4%。; 胡春余煜玺赵德森骆兵龚财; 关键词：氧化锆纳米粉体

氧化钇稳定氧化锆陶瓷抗垢耐蚀涂层制备工艺研究: 水环真空泵作为煤矿瓦斯抽取系统的关键部件,受特殊工作环境的影响,其叶轮叶片、壳体等零部件表面存在结垢与腐蚀问题,这会导致泵的供水不畅、转速下降、抽气量减少、能耗增加,大大降低其工作效率。传统的除垢方法需停机拆卸,费时费力...; 刘昊; 关键词：等离子喷涂多目标优化

四方相氧化钇稳定氧化锆热障涂层的热循环和热冲击性能及其失效机理: 2024年; 以四方相YSZ粉末为原料用悬浮液等离子喷涂技术制备具有类柱状结构的陶瓷层,研究了其在1100℃热循环和1300℃热冲击的失效行为。结果表明,这种陶瓷层具有优异的抗热循环和抗热冲击性能,且始终保持四方相。这种涂层在热循环和热冲击中的失效机理不同:在热循环过程中,陶瓷层与热生长氧化物之间热膨胀系数不匹配使两者剥离;而在热冲击产生的冷热循环中陶瓷层中的柱间间隙演变为贯穿裂纹并成为热通道,使粘结层严重氧化和热障涂层失效。; 黄迪牛云松李帅董志宏董志宏朱圣龙; 关键词：材料表面与界面热障涂层热循环热冲击

一种氧化钇稳定氧化锆陶瓷材料及其制备方法、电子设备: 本申请提供了一种氧化钇稳定氧化锆陶瓷材料及其制备方法、以及含有该陶瓷材料的电子设备，所述陶瓷材料具有基质层、至少一层与基质层相邻的强化层，所述陶瓷材料晶相含有单斜相和四方相，其中，所述基质层中单斜相陶瓷占基质层陶瓷材料的...; 林信平江品颐杨清平李和祯

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