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搜索到2002篇“ 水稻根“的相关文章

OsSPL3在调控水稻根粗度性状上的应用: 本发明涉及植物基因工程领域，特别涉及一种植物发育相关蛋白及其编码基因在调控根粗度性状中的应用。本发明公开了水稻OsSPL3基因的用途：用于调节植株(水稻)根粗度；敲除OsSPL3，使得水稻根变细；过表达OsSPL3，使得...; 毛传澡朱建树李梦真邵彦林徐纪明

水稻根形态建成调控基因CLRD1及其应用: 本发明公开了一种水稻根形态建成调控基因CLRD1，其基因组核苷酸序列如SEQ IDNO.1所示；编码区核苷酸序列如SEQ ID NO.2所示。本发明还提供水稻根形态建成调控基因CLRD1在调控水稻根系建成中的应用，所述的...; 毛传澡朱建树李梦真徐纪明吴运荣莫肖蓉

纳米硅生物矿化沉积赋予水稻根边缘细胞及根尖耐铝性的生理机制: 2024年; 【目的】探讨硅对植物铝毒害缓解的生理机制,研究在水稻根边缘细胞和根尖上构筑的纳米硅生物矿化结构对铝胁迫的影响,为南方地区酸性土壤矿化缓解植物铝毒提供理论和实践指导。【方法】以水稻品种日本晴(Oryza.Sativa L.)为试验材料,以水稻的根尖和根边缘细胞为研究对象,在100μmol·L^(-1)铝胁迫处理下,以聚乙烯亚胺诱导纳米二氧化硅在根尖和根边缘细胞表面形成生物矿化结构。试验共有不加硅不加铝(-Si-Al)、不加硅加铝(-Si+Al)、加硅不加铝(+Si-Al)和加硅加铝(+Si+Al)4个处理,研究根边缘细胞在铝胁迫下的细胞存活率、活性氧水平以及活性铝定位,以及根尖在铝胁迫下的相对伸长率、活性氧水平、胼胝质含量以及活性铝定位。【结果】在铝胁迫条件下,通过比较聚乙烯亚胺诱导纳米硅在水稻根边缘细胞细胞壁上沉积与未诱导纳米硅矿化沉积,台盼蓝染色显示根边缘细胞较好的活性状态,其细胞的存活率提高21.04%,活性氧水平降低87.65%,活性铝Morin染色后相对荧光值增加77.09%,有效提高细胞存活率,降低活性氧的产生,从而保护了根边缘细胞并减缓细胞程序性死亡;通过比较聚乙烯亚胺诱导纳米硅在水稻根尖沉积与未诱导纳米硅矿化沉积,水稻根尖相对生长率提高26.95%,活性氧水平降低27.73%,胼胝质含量提高了55.29%,活性铝Morin染色后相对荧光值增加55.45%,苏木精染色也显示根尖的分生区和过渡区沉积更多的铝,这表明铝胁迫下在水稻根尖诱导纳米硅矿化沉积后,能吸附更多铝离子沉积在根尖的表面,阻止铝离子进入根尖内保护植物根尖,进而缓解铝对根尖的毒害作用。【结论】聚乙烯亚胺诱导纳米硅在细胞壁上的沉积赋予水稻根边缘细胞和根尖耐铝性,并减少水稻铝积累,进而保障了食品安全和人类健康。; 冯英明农伟陈醒韵韩宏祥郑雨欣田晓唐娇郭依唯黄朝政李学文石磊喻敏; 关键词：水稻纳米硅根尖根边缘细胞

水稻根内生菌Bacillus sp.RE35耐受及累积吸附Cd的机制: 2024年; 水稻对镉(Cd)的高富集能力会引发人体健康风险.利用内生菌降低水稻根系Cd移动性的研究已被广泛关注,但具有高Cd耐受性的水稻内生菌资源尚待发掘,其对不同浓度Cd的耐受和累积吸附机制也有待深入研究.本研究基于前期筛选出的高Cd耐受性水稻根内生菌Bacillus sp.RE35,通过液体培养实验研究其对Cd的耐受和累积吸附机制.结果表明,菌株RE35对Cd的最大耐受浓度可达600 mg/L,最大吸附容量为28.49 mg/g,对1和5 mg/L Cd^(2+)的去除率可达88.4%和80.4%.当Cd浓度低于20 mg/L时,菌株RE35对Cd^(2+)的去除以胞内累积为主,随着Cd浓度升高,菌株三磷酸腺苷酶活性显著增强,透射电子显微镜和X射线能谱结果显示Cd均匀地分布于菌株细胞内.当Cd浓度高于20 mg/L时,胞外吸附对Cd^(2+)的去除具有重要作用,其分泌的胞外聚合物中蛋白质组分增加.X射线光电子能谱和傅里叶变换红外吸收光谱结果显示,菌株胞外蛋白质的氨基和酰胺等基团与Cd的吸附密切相关.本研究阐明了高Cd耐受性内生菌RE35对不同浓度Cd的累积吸附机制,为内生菌菌剂开发提供了宝贵的菌种资源信息.; 王博黄琴石美侠史高玲卢信陈未高岩

蓝光受体OsCRYs通过脱落酸和活性氧调控水稻根向水性的机制研究: 水稻是我国主要粮食作物之一,但在其生命周期容易受干旱胁迫而减产。植物根系趋向水分较多区域生长的特性称为向水性(Hydrotropism),该特性在植物抗旱与高效利用水分过程中起关键作用。然而前人对向水性研究主要集中于模式...; 王璐露; 关键词：脱落酸活性氧

一种基于邻近标记技术获取水稻根组织特异蛋白质组的方法及应用: 本发明公开了一种基于邻近标记技术获取水稻根组织特异蛋白质组的方法及应用，本发明建立并优化了水稻根组织特异的邻近标记体系，通过构建根中柱特异表达的OsPHO1pro‑TurboID‑eGFP材料成功获得了中柱组织特异表达的...; 王智烨胡赛燕石静

强化根系镉截留的水稻根内生促生菌筛选及其累积吸附镉的机制研究: 王博

水稻根表铁膜对稻米镉富集的贡献度解析及其机制分析: 随着我国经济蓬勃发展,也带来了一系列环境问题,其中重金属污染尤为严重。近年来,有研究发现,水稻根表铁膜有效地降低了水稻对镉等重金属的吸收和富集。有研究表明,根表铁膜的形成可能与土壤中的微生物种群及其活性有着密切的联系。然...; 李瑞琳; 关键词：贡献度土壤微生物镉

FeSO_(4)对水稻根表铁膜及污染稻田土中镉迁移转运影响研究被引量：1: 2024年; 选取湖南某污染稻田耕作层土壤,通过盆栽实验外源施加硫酸亚铁(FeSO_(4)),研究FeSO_(4)对水稻根表铁膜及污染稻田土中镉(Cd)迁移转运的影响。结果表明,随着FeSO_(4)施加量增加(0~320 mg/kg),水稻根际土壤pH值呈下降趋势,最高下降了0.70;水稻盆栽土壤TCLP-Cd含量与对照组相比出现一定程度上升;施加FeSO_(4),降低了水稻茎叶、谷壳、糙米中Cd含量,增加了水稻植株根表铁膜的数量,一定程度上控制了水稻对土壤中Cd的吸收。但施加外源铁影响了土壤pH值及Cd的生物有效性,在实际稻田施加FeSO_(4)时建议与石灰等其他碱性修复材料进行组配,以获得更好的阻控效果。; 李威谢悦石竹陈立伟; 关键词：污染土壤水稻镉生物有效性

施硅水平对水稻根表铁膜和体内Cd累积分布的影响被引量：1: 2024年; 稻田镉(Cd)污染治理是中国当前亟需解决的重大科学问题;根表铁膜是水稻根系吸收Cd的重要屏障,施硅(Si)调控水稻根系抗氧化酶和乙烯合成酶活性影响根表铁膜对Cd的吸附,并改变水稻体内Cd的累积和分布,但不同施Si水平对水稻根表铁膜和体内Cd累积分布的影响尚未完全清楚。采用水稻盆栽试验,探讨高、低两种施Si水平条件下,水稻成熟期不同组织器官中Cd的含量、分布规律和水稻体内Cd的转运能力,以及抽穗期根表铁膜的Cd含量、形貌特征与根系抗氧化酶和乙烯合成酶基因的表达,试图揭示不同施Si水平对水稻根表铁膜Cd吸附和体内Cd累积分布的影响。结果表明,施Si会减少成熟期水稻茎中Cd的含量,增大根系中Cd的分布比例,而高Si水平(0.66 g·kg^(-1))还会进一步降低茎节和糙米中Cd的含量和分布比例,抑制根系转运Cd至糙米的能力。此外,施Si可以增强抽穗期水稻根系超氧化物歧化酶基因(OsSOD-Cu/Zn和OsSOD-Fe)、过氧化氢酶基因(OsCATa和OsCATb)以及乙烯合成酶基因(OsACS1)的表达,高Si水平(0.66 g·kg^(-1))能够显著增加根表铁膜中的DCB-Fe和DCB-Cd含量,增大根表铁膜的表面粗糙度,并且进一步增强根系OsSOD-Fe和OsACS1的表达。研究结果证实施Si水平是影响水稻根表铁膜和体内Cd累积分布的关键因素,高水平Si能够更显著地促进水稻根系抗氧化酶基因的表达,增强铁膜形成及其对Cd的吸附,并且抑制根系Cd向糙米的转运和茎节中Cd的分布,从而降低糙米中Cd的累积。该研究成果可为解决中国稻田Cd污染治理难题提供理论依据。; 李林峰徐梓盛陈勇陈勇林晓扬李义纯; 关键词：水稻镉基因表达

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