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专著
科技成果
产品样本
科技报告
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种
版图
设计
系统及
设计
方法
本发明提供了一种
版图
设计
系统及
设计
方法,
版图
设计
系统包括:数据库,数据库中存储参考
版图
和至少一个待替换
版图
,其中参考
版图
具有第一测试对象,待替换
版图
具有第二测试对象,第一测试对象和第二测试对象为
设计
版图
的同一功能模块;对...
张继鹏
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一种PCELL
版图
设计
优化方法、装置、介质及设备
本发明提供了一种PCELL
版图
设计
优化方法、装置、介质及设备,应用于芯片
设计
技术领域。通过获取包含工艺参数和图形可调参数的PCELL,进行灵活的
版图
绘制,从而获得当前PCELL的
版图
结构参数。利用这些参数构建三维器件仿真...
陈岚
陆仁杰
刘晨光
付晓东
孙旺
版图
设计
方法、系统及设备、电路
版图
以及存储介质
提供一种
版图
设计
方法、系统及设备、电路
版图
以及存储介质。
版图
设计
方法包括:记录电路中的晶体管的特性参数,特性参数包括晶体管的类型、传输至晶体管各极的信号以及晶体管的单位器件宽度;根据晶体管的单位器件宽度对晶体管进行分组;...
蔡宇韬
抗辐照标准单元库
版图
设计
方法、装置和设备
为了克服现有技术中存在的
版图
设计
耗时长、周期长、效率低以及成本高的问题,本发明提出一种抗辐照标准单元库
版图
设计
方法、装置和设备。所述
设计
方法通过获取原始工艺和目标工艺商用库的
设计
规则文件,生成
版图
工艺移植规则,结合目标工...
赖善坤
刘祥远
刘晔
祁勇
房盼攀
刘冰媚
抗辐照标准单元库
版图
设计
方法、装置和设备
为了克服现有技术中存在的
版图
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耗时长、周期长、效率低以及成本高的问题,本发明提出一种抗辐照标准单元库
版图
设计
方法、装置和设备。所述
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方法通过获取原始工艺和目标工艺商用库的
设计
规则文件,生成
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工艺移植规则,结合目标工...
赖善坤
刘祥远
刘晔
祁勇
房盼攀
刘冰媚
一种半导体检测
版图
、
版图
设计
方法及
版图
设计
系统
本发明提供了一种半导体检测
版图
、
版图
设计
方法及
版图
设计
系统,半导体检测
版图
设置在晶圆上,且半导体检测
版图
位于晶圆的切割道中,其中半导体检测
版图
包括:多个半导体功能层,多个半导体功能层堆叠在晶圆上,形成堆叠结构;阻抗布线或...
胡迎宾
郭廷晃
林智伟
一种多工艺
版图
设计
中的工艺层设置及显示方法
一种多工艺
版图
设计
中的工艺层设置及显示方法,包括以下步骤:获取多工艺芯片中的工艺层信息;在工艺层名称前添加其所属的芯片名称;将所述多工艺芯片中的工艺层统一集中显示到工艺层设置窗口中;在所述工艺层设置窗口中修改各工艺层的颜...
张建军
洪姬铃
张茂丰
李京
李起宏
朱明阳
蔡超
一种处理新增金属层次和替换金属层次的
版图
设计
方法
本发明的目的是提供一种处理新增金属层次和替换金属层次的
版图
设计
方法,该方法包括:获取工艺切换需求;根据所述工艺切换需求设置
版图
参数;运行验证流程验证
版图
可行性。本发明能够将各种可能出现的情况考虑在一起,一次性进行工艺的替...
徐璇
张瑞东
刘德启
一种MOS器件
版图
设计
方法、MOS器件
版图
及MOS器件
本申请公开了一种MOS器件
版图
设计
方法、MOS器件
版图
及MOS器件,所述
设计
方法包括:调用多个第一
版图
;将所述多个第一
版图
中的一个或多个转换为第二
版图
;其中,所述第一
版图
与所述第二
版图
为构成MOS器件的
版图
。本申请通过在...
马琦赟
雷郎成
高炜祺
詹勇
王忠焰
杜宇彬
胡永菲
刘林果
文荟麟
基于ESD和Latch UP的芯片
版图
设计
优化技术
2025年
基于ESD和Latch UP两种导致芯片失效的主要原因,探究了芯片
版图
设计
优化技术。选择栅极接地NMOS管作为保护器件,通过加大栅极接地NMOS管面积,增加栅端到漏端的距离以及利用Salicide工艺降低栅极电阻和漏极电阻等措施,降低静电泄放电流对芯片的影响。增加NMOS和PMOS间隔距离,添加保护环以及设置独立双阱保护等措施,抑制闩锁形成,实现保护芯片的目的。
吴美芳
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