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异质全环绕栅极电介质厚度
半导体包括第一GAA FET(303)和第二GAA FET(305)。第二GAA FET在其栅极结构内包括第一栅极电介质(391)和第二栅极电介质(472)。第一GAA FET在其栅极结构内仅包括第一栅极电介质。第一GA...
程慷果J·弗洛吉尔谢瑞龙C·朴成敏圭
电介质及层叠子部件
本发明提供一种电介质,其包含电介质粒子、偏析和孔隙。在截面处,具有偏析和孔隙相接的特殊组合。
并木亮太井口俊宏
电介质组合物及子部件
本发明涉及一种电介质组合物及子部件。该电介质组合物包含主相颗粒和偏析颗粒,偏析颗粒的至少一部分为含有Ba、Mg、Si及O的Ba‑Mg‑Si‑O偏析颗粒,将Ba‑Mg‑Si‑O偏析颗粒中的金属元素及Si的合计设为100摩...
井口俊宏增田健一郎吉山铁也有泉琢磨朝日敏夫
电介质组合物及子部件
本发明涉及一种电介质组合物及子部件。该电介质组合物包含主相颗粒和偏析颗粒,偏析颗粒的至少一部分为含有RE元素、Mg、Ti及O的RE‑Mg‑Ti‑O偏析颗粒,RE元素为稀土元素,将RE‑Mg‑Ti‑O偏析颗粒中所含的金属...
井口俊宏增田健一郎吉山铁也朝日敏夫
具有极和电介质的MEMS装置
本公开涉及具有极和电介质的MEMS装置。MEMS装置的第一极可以沿轴线并平行于该轴线纵向定向,并且可以具有第一端和第二端。第二极可以沿轴线并平行于该轴线纵向定向,并且可以具有第一端和第二端。第三极可以沿轴线并平行...
P·V·洛佩特M·佩德森
一种电介质热击穿观测装置
本发明公开了一种电介质热击穿观测装置,属于电介质绝缘性能测试领域,电介质热击穿观测装置包括:热击穿试验回路,用于输出阶梯上升的直流压或阶梯上升的交流压至电介质薄膜样品,使得电介质薄膜样品发生热击穿;热成像系统...
李化兰靖林福昌张钦李谦蔡玲珑廖梓豪马志钦王中奥孙文星
具有电介质鳍结构的半导体器件
本公开描述了具有电介质鳍结构的半导体器件。该半导体器件包括在衬底上的沟道结构和在衬底上并且与沟道结构相邻的电介质鳍结构。沟道结构沿第一方向延伸。该电介质鳍结构包括硬质电介质材料,并且沿与第一方向平行的第二方向延伸。该半导...
林子敬
复合电介质材料及其制备方法和应用
本发明涉及电介质材料技术领域,公开了一种复合电介质材料及其制备方法和应用,所述复合电介质材料包括填料,以及基体材料,所述填料为改性钛酸钡,所述基体材料为氰乙基纤维素;所述改性钛酸钡包括钛酸钡内核以及外壳,所述外壳中包括含...
胡欣杨雨尘李欢
带有电介质多层膜的基板及其制造方法
带有电介质多层膜的基板(1)是在基板(S)上依次层叠第1电介质层叠膜(10)和第2电介质层叠膜(20)而成的,第1电介质层叠膜(10)从基板(S)侧起依次层叠含有TiO<SUB>2</SUB>的第1高折射率膜层(a1)、...
高星英明新江友志西川泰永藤原晃男
一种基于机器学习的电介质材料筛选方法
本发明公开了一种基于机器学习的电介质材料筛选方法,包括:将待筛选滞回线图像输入到训练好的分类模型中,获得对应的分类结果;该分类模型的训练步骤为:对获取的历史滞回线图像数据进行数据增强和预处理,得到训练灰度图像数据集和...
钟向丽周燕邹娟戴李雨芬王金斌宋宏甲

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朱慧珑
作品数:1,194被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
党智敏
作品数:216被引量:717H指数:17
供职机构:清华大学
研究主题:介电性能 复合材料 介电 空间电荷 高介电常数
钟汇才
作品数:381被引量:45H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 介质层 栅极 衬底 侧墙
倪尔瑚
作品数:45被引量:46H指数:5
供职机构:浙江大学
研究主题:谐振腔 电介质测量 电介质 复介电常数 微波测量
屠德民
作品数:192被引量:1,119H指数:23
供职机构:西安交通大学
研究主题:空间电荷 聚乙烯 电力电缆 电缆 交联聚乙烯