公共文化服务平台

搜索到145篇“ 电子偶素“的相关文章

用经典力学计算氢原子和电子偶素基态能量: 2024年; 笔者对云南大学陈景教授的用经典力学计算氢分子键长、键能及力常数的理论模型进行推广,采用经典力学的方法,分别计算了氢原子和电子偶素的基态能量,得到的理论计算值分别为13.6 eV和6.8 eV,理论计算值与实验值一致。理论模型直观,计算方法简单且计算结果精确,同时未添加任何人为性的参数。; 何帅; 关键词：氢原子电子偶素基态能量质子正电子

基于PALS非接触测量技术研究液闪和油脂中电子偶素形成与湮没机制: 段会

等离子体环境中正电子与氦原子碰撞电子偶素形成过程理论: 2023年; 正负电子偶素(Positronium,Ps)的形成是正电子-原子碰撞过程中独有的物理过程。为了探究正电子与氦原子散射过程中正负电子偶素形成的问题,应用屏蔽近似模型下的光学势理论方法研究了等离子体环境中正电子-氦原子碰撞的电子偶素形成过程,计算了0~100 eV入射能量区域内总的正负电子偶素形成截面(1s+2s)。在计算等离子体环境中靶原子体系的能级及波函数时,应用屏蔽的氦原子模型势描述了屏蔽效应对粒子间相互作用的影响。电子偶素形成截面计算结果与已有的其他理论、实验结果对比并进行了分析。验证了在中低入射能量下,屏蔽模型下的光学势理论方法对于处理正电子-氦原子散射问题具有有效性。; 王远成佟佳明李波; 关键词：正电子氦原子光学势

等离子体环境中正电子与He，Li原子碰撞电子偶素形成过程理论研究: 在原子与分子物理领域中,电子与原子的碰撞问题为航天科学、等离子体物理和天体物理等相邻学科及应用领域提供了理论方法和实验数据上的支持,因而持续受到科研学者的高度重视。正电子与原子碰撞过程的研究是原子物理的基本问题之一,它提...; 佟佳明; 关键词：模型势光学势正电子

一种正态电子偶素的湮没点定位方法: 本发明涉及一种正态电子偶素的湮没点定位方法，属于核谱学技术领域，解决了o‑Ps湮没点位置测量精度较低的问题。一种正态电子偶素湮没点定位方法，包括：电子偶素发生3γ湮没，位敏探测器探测得到3个湮没光子的入射时间和入射位置；...; 况鹏吴亚茹刘福雁王英杰于啸天张红强曹兴忠张鹏章志明于润升王宝义魏龙

ZIFs纳米晶体中电子偶素的自旋转换: 2022年; ZIFs晶体由咪唑基桥接单金属离子构成,可通过咪唑酯连接物灵活选取合适的官能团对其结构进行调控,因而被赋予更多新的性质和功能.ZIFs晶体中孔结构及其化学环境与其性能紧密相关.本文采用静置法制备了ZIFs纳米晶体.X射线衍射结果证实制备的晶体为典型的ZIF-8晶体,扫描电子显微镜图可观察到其规则的菱型结构.N_(2)吸附-脱附测试表明ZIFs晶体具有较大的比表面积和孔容,分别为2966.26 m^(2)/g和3.01 cm^(3)/g.随着Co摩尔含量的增大,ZIFs晶体比表面积和孔体积逐渐减小,但是其孔径大小几乎稳定保持在12?左右.而N_(2)吸附-脱附等温线计算得到的孔径分布未显示咪唑配体组成的六元环的超微孔信息(3.4?).此外,利用正电子湮没寿命和多普勒展宽对晶体的微观结构和表面性能进行了研究.正电子的寿命谱有4个分量.较长寿命τ3,τ4分别是o-Ps在其微孔区域和晶体规则棱角间隙处的湮没寿命.随Co摩尔含量增大,其寿命τ3几乎没有变化,而较长寿命τ4从30.89 ns降至12.57 ns,其对应强度I3,I4也分别从12.93%和8.15%急剧下降至3.68%和0.54%.随Co摩尔含量的增大,多普勒展宽得到的S参数呈连续上升趋势,进一步多高斯拟合表明p-Ps强度也逐渐增大,这主要是由于电子偶素发生了自旋转换效应.因此,ZIFs纳米晶体中τ4下降很可能是由于正电子偶素与晶体表面Co离子发生了自旋转换效应.; 李重阳李梦德汪美李涛刘建党叶邦角陈志权; 关键词：电子偶素自旋转换

电子偶素在OMC/SBA-15,OMC@SBA-15及CuO@SBA-15催化剂中的化学猝灭: 2022年; 以P123为结构导向剂、TEOS为硅源制备了有序介孔二氧化硅SBA-15,并以此为模板制备了有序介孔碳(OMC).小角X射线衍射、高分辨透射电子显微镜和N_(2)吸附/脱附等测试结果均证实SBA-15与OMC具有高度有序的孔结构、相对较高的比表面积,且孔洞平均尺寸分别约为7.5 nm和3.3 nm.分别采用固相反应法和浸渍填充法制备了OMC/SBA-15复合材料和OMC@SBA-15及CuO@SBA-15复合材料.随着OMC和CuO质量分数的增大,3种复合材料中o-Ps寿命τ_(4)和其强度I_(4)均减小.o-Ps湮没率λ_(4)随OMC和CuO质量分数的变化可用一条或两条直线很好地拟合,OMC/SBA-15,OMC@SBA-15及CuO@SBA-15复合材料中反应速率常数k分别为(2.39±0.44)×10^(7) s^(-1)/(6.65±0.94)×10^(6) s^(-1),(2.28±0.19)×10^(7) s^(-1)和(8.76±0.47)×10^(6) s^(-1).因此,3种复合材料中τ_(4)及I_(4)降低是由于电子偶素与碳、铜元素在介孔内或孔表面发生了化学猝灭和禁止效应.同时,电子偶素也是一种检测多孔材料中孔隙结构的有效探针.; 李重阳赵宾张俊伟; 关键词：电子偶素

电子偶素与氢分子低能弹性散射的约束变分计算: 少体体系的物理性质一直是量子力学所研究的重点之一,但因为粒子间存在着极其复杂的关联效应,所以无法精确求解体系的薛定谔方程,由此萌生出一系列含有近似的理论计算。不同的数值计算方法所侧重的体系的粒子数量也有所不同,本文所选的...; 杜旺; 关键词：散射截面

正电子散射Rb、Cs电子偶素形成截面理论计算: 2021年; 正电子与原子碰撞问题是原子分子物理的基本问题之一,与天体物理、等离子体物理等多方面都有着密切关系。正负电子偶素形成问题是正电子与原子散射中一种特殊的物理过程,为了研究正电子与铷原子、铯原子碰撞的正负电子偶素形成问题,利用光学势的理论方法分别计算了能量范围2~30 eV的正电子散射铷原子、铯原子基态下(n=1)的正负电子偶素形成截面,并与已有的其他理论结果进行对比分析。研究结果表明,正电子散射铷原子、铯原子基态下正负电子偶素形成截面在低能量区域产生较大的区别,光学势理论方法计算的截面数据与其他理论结果数据符合较好,验证了光学势方法对于处理正电子与碱金属原子碰撞问题的有效性。; 王远成李波王雅冰; 关键词：正电子铷原子铯原子光学势

正电子与Rb、Cs、He原子碰撞的电子偶素形成截面理论计算: 正电子与原子碰撞问题是原子分子物理学科的基本问题之一,与天体物理、等离子体物理等多学科都有着密切联系,具有一定的研究价值。近年来,伴随着正电子束的出现,等离子体环境下的正电子与原子碰撞也同样得到极大的关注。正电子与原子碰...; 李波; 关键词：正电子光学势

加载更多 ∨

相关作者

用户反馈

相关作者

用户登录

用户反馈