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一种变压器的绕制方法及高电流上升率可控硅的驱动电路
本发明的一种变压器的绕制方法及高电流上升率可控硅的驱动电路,利用脉冲变压器的基本原理,在铁氧体磁芯上利用宽铜皮绕制初级绕组,再利用绝缘导线分段绕制次级绕组,初、次级及各次级之间根据耐压需要设计绝缘层。该原理使初级和次级耦...
李运海
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一种直流牵引供电系统电流上升率保护测试方法和系统
本发明公开了一种直流牵引供电系统电流上升率保护测试方法和系统,所述方法包括以下步骤:获取用户的输入数据;根据输入数据配置整定值、测试点和测试时间;根据整定值和测试点向直流牵引供电系统的保护装置输出故障电流;实时检测保护装...
丁春安
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一种具有高电流上升率的栅控晶闸管
本发明提供了一种具有高电流上升率的栅控晶闸管,属于功器件技术领域。本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底,第二导电类型半导体掺杂外延层,所述第二导电类型半导体掺杂外延层的上表面设置有金属阴...
李泽宏林育赐谢驰罗蕾李佳驹任敏张波
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一种换流阀暂态电流上升率控制方法及装置
本发明公开一种换流阀暂态电流上升率控制方法及装置,涉及柔性直流输电技术领域,用于控制换流阀的暂态电流上升率。换流阀暂态电流上升率控制方法包括:根据换流阀输出的最大运行交流相电压幅值,交流侧变压器的短路阻抗值和换流阀桥臂电...
周月宾饶宏许树楷候婷朱喆
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一种具有高电流上升率的栅控晶闸管
本发明提供了一种具有高电流上升率的栅控晶闸管,属于功器件技术领域。本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底,第二导电类型半导体掺杂外延层,所述第二导电类型半导体掺杂外延层的上表面设置有金属阴...
李泽宏林育赐谢驰罗蕾李佳驹任敏张波
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一种换流阀暂态电流上升率控制方法及装置
本发明公开一种换流阀暂态电流上升率控制方法及装置,涉及柔性直流输电技术领域,用于控制换流阀的暂态电流上升率。换流阀暂态电流上升率控制方法包括:根据换流阀输出的最大运行交流相电压幅值,交流侧变压器的短路阻抗值和换流阀桥臂电...
周月宾饶宏许树楷候婷朱喆
一种高电流上升率的晶闸管芯片
本发明公开了一种高电流上升率的晶闸管芯片,包括N型硅单晶片构成的长基区N,在长基区N的两侧设置有短基区P1、P2,在短基区P2上设置有阴极发射区、短路点和门极区;所述短基区P1上设置有背面金属层,阴极发射区和门极区上设置...
王民安王日新汪杏娟叶民强黄富强项建辉
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整流变阻抗电压、晶闸管电流上升率对励磁整流装置阻容参数选择的影响被引量:2
2015年
针对某些励磁大功柜阻容保护存在的缺陷,文章分析其原因,分析晶闸管反向电压、整流变阻抗电压、晶闸管电流上升率对励磁整流装置阻容参数选择的影响,提出一种考虑相关参数进行励磁整流装置阻容参数计算的新方法,按照此方法设计的励磁整流装置阻容保护在现场运行情况很好。
李侠武卫平
关键词:晶闸管阻容保护
一种高电流上升率的晶闸管芯片
本实用新型公开了一种高电流上升率的晶闸管芯片,包括N型硅单晶片构成的长基区N,在长基区N的两侧设置有短基区P1、P2,在短基区P2上设置有阴极发射区、短路点和门极区;所述短基区P1上设置有背面金属层,阴极发射区和门极区上...
王民安王日新汪杏娟叶民强黄富强项建辉
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交流系统短路电流上升率特性分析及其应用被引量:1
2014年
论文从船舶交流电力系统短路电流主要馈送来源着手,建立系统模型并对短路电流上升率进行数学公式推导,然后从船舶电力系统角度对决定短路电流上升率的因素进行分析,并讨论了不同短路角时短路电流的变化趋势对电流上升率的影响。通过对比仿真,给出一定船舶电力系统下具体短路点故障诊断时参考电流上升率的选取方法和条件。参考电流上升率的选取方法为船舶电力系统电流上升率作为故障诊断整定设定提供参考。
周仕万贺慧英黄靖莫斌
关键词:电力系统仿真

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作品数:170被引量:109H指数:6
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作品数:472被引量:1,494H指数:20
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作品数:37被引量:13H指数:2
供职机构:清华大学
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作品数:74被引量:9H指数:2
供职机构:电子科技大学
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齐铂金
作品数:323被引量:1,129H指数:17
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