搜索到84篇“ 电荷泵技术“的相关文章
- 基于电荷泵技术的栅控横向晶体管在氢氛围中的辐照损伤增强机制
- 2022年
- 以栅控横向PNP(gate-controlled lateral PNP,GCLPNP)晶体管为载体,开展了在不同浓度氢氛围中的辐照实验,研究了氢气对双极器件总剂量辐射效应的影响规律。并利用电荷泵技术,分离得到GCLPNP晶体管辐照后产生的界面陷阱浓度和氧化物陷阱电荷浓度,总结出氢氛围中辐照损伤的微观机制。实验结果表明,与空气中的辐照实验相比,GCLPNP晶体管在氢气中辐照会使放大倍数减小,损伤增强;且随着氢气浓度的增大,损伤程度会进一步增强,辐照在器件氧化层中产生的界面陷阱增多,氧化物陷阱电荷减少。对比辐照前后界面陷阱的能级分布图可见,在氢氛围中辐照主要增加的是深能级的界面陷阱,且氢气浓度越高,辐照产生的深能级界面陷阱越多。
- 缑石龙马武英姚志斌何宝平盛江坤王祖军薛院院
- 关键词：电荷泵
- 基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究被引量：2
- 2019年
- 利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似'U'型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得到界面缺陷在靠近源、漏区的量最大而在远离源、漏区的位置无规则分布。通过改变脉冲保持时间,对缺陷沿高介电常数叠栅垂直分布进行研究,可以明显区分开缺陷在中间介质层和高介电常数层的缺陷量。另外,利用电荷泵技术验证了三维器件负偏压温度不稳定性(NBTI)与界面缺陷的关系。
- 田阳雨罗军罗军吴元芳
- 关键词：电荷泵技术
- EEPROM低功耗设计中的时分高压电荷泵技术
- 2018年
- 本文针对超高频射频识别(RFI D)标签设计了一款低功耗存储器,以满足RFI D标签低功耗的要求。由于无源标签通过天线获得的能量有限,为了得到更远的通信距离,标签对功耗提出了严格要求。针对传统CTS电荷泵上电时峰值电流过高的问题,设计了一种时分高压CTS电荷泵,有效抑制了上电峰值电流,并在此基础上设计了一款16Kbits EEPROM存储器,综合布局布线后,仿真结果表明,存储器读写功能正常,功耗满足要求。标签芯片在SMIC 0.18μm标准工艺下流片,测试结果显示,在读写器输出10d Bm的能量下,标签的读距离能达到50cm,写距离能达到20cm。
- 常迎辉李晓明刘伟何方
- 关键词：低功耗电荷泵峰值电流
- 采用快速建立双电荷泵技术的扩频时钟产生器设计
- 2017年
- 传统的扩频时钟产生器具有较长的建立时间,同时芯片面积较大。针对上述问题,给出了一种采用快速建立双电荷泵技术的低抖动分数扩频时钟产生器(SSCG)的设计。快速建立双电荷泵技术不但可以减小芯片面积,而且通过控制SSCG建立过程中电荷泵(CP)的工作顺序来缩短建立时间。SSCG中的多模分频器采用差分动态触发器技术来减小芯片面积,降低功耗和抖动。SSCG采用0.13μm CMOS工艺制造,3.91μs的建立时间远快于采用传统SSCG技术的8.11μs,在1.5 GHz 250个周期内随机抖动和总抖动分别为2.7 psrms和3.3 psrms。EMI减小了10 d B,符合SATA的技术要求。芯片面积为0.3 mm×0.7 mm,功耗为18 m W。测试结果表明,采用快速建立双电荷泵技术,建立时间大幅度缩短,芯片面积也有了较大的优化。
- 龙强田泽王晋唐龙飞
- 关键词：电荷泵抖动SATA电磁兼容
- 基于电荷泵技术的MOS器件界面特性测量方法被引量：1
- 2012年
- 随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,导致栅漏电流不断增大,这使传统测量界面态的方法应用受到限制。介绍了采用电荷泵技术用于MOS器件Si/SiO2界面特性研究,分别研究了脉冲频率、反偏置电压、脉冲幅值和占空比对泵电流的影响,对突变曲线做了深入的理论分析,指出了需要严格的选择脉冲频率、幅值、反偏置电压和占空比,才能保证测量的准确性。这些探索为电荷泵技术在MOS器件中的界面电荷测量和电荷泵曲线分析提供实验指导和理论依据。
- 胡伟佳孔学东章晓文
- 关键词：电荷泵技术脉冲频率占空比
- 电荷泵技术在CMOS工艺中的应用研究
- 2012年
- 随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,而电源电压并没有等比例缩小,导致栅漏电流不断增大,测量界面态的传统方法受到限制。介绍了电荷泵技术在表征深亚微米和超深亚微米器件Si/SiO2界面特性方面的应用;详述如何测量界面态和氧化层陷阱电荷的横向分布、能量分布和体陷阱深度分布;分析了当前电荷泵技术存在的问题和面临的挑战,提出通过抵消直接隧穿电流的影响,对电荷泵电流进行修正,使电荷泵技术能够在不同工艺下得到广泛应用。
- 胡伟佳孔学东章晓文
- 关键词：电荷泵界面态
- 基于电荷泵技术的Si-SiO2界面电荷分布特性研究
- 随着CMOS工艺的发展，栅介质层的厚度不断减薄，导致栅的泄漏电流不断增大，这使得传统测量界面态的C-V法受限，不适用于研究短沟道器件的热载流子注入效应。本文主要目的是基于电荷泵技术研究深亚微米器件的热载流子效应对Si-S...
- 胡伟佳
- 关键词：界面态电荷泵热载流子注入CMOS器件
- 电荷泵技术在高压MOS晶体管可靠性研究中的应用(英文)被引量：3
- 2009年
- 主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变化,为器件优化与工艺改进提供重要参考信息。
- 禹玥昀唐逸万星拱任铮胡少坚周伟李曦石艳玲
- 关键词：电荷泵热载流子注入
- 0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术(英文)
- 2008年
- 分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制。结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素。界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导致先进深亚微米NMOSFETS电学特性退化的根本原因。
- 王庆学
- 关键词：电荷泵
- 电荷泵技术在G类放大器中的应用
- 2008年
- 1 引言
便携音频应用中存在一个共同问题，即扬声器放大器的供电电压有限。这些音频系统通常采用锂离子（Li＋）电池供电，输出额定值为3．7V。虽然3．7V电源足以保证系统的大多数元件正常工作，但是，为了提供令人满意的声压。扬声器放大器需要更高的供电电压。
- 关键词：放大器电荷泵技术供电电压音频系统电池供电扬声器
相关作者
- 胡伟佳
- 作品数：4被引量：1H指数：1
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所
- 研究主题：电荷泵技术 界面态 电荷泵 MOS器件 脉冲频率
- 王卫
- 作品数：230被引量：823H指数：16
- 供职机构：哈尔滨工业大学
- 研究主题：逆变器 电子镇流器 光伏并网逆变器 变换器 直流微电网
- 章晓文
- 作品数：95被引量：103H指数：5
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所
- 研究主题：可靠性 集成电路 热载流子注入效应 热载流子效应 电迁移
- 孔学东
- 作品数：49被引量：85H指数：6
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所
- 研究主题：可靠性 集成电路 裸芯片 VLSI SIGE_HBT
- 周波
- 作品数：42被引量：17H指数：2
- 供职机构：北京理工大学
- 研究主题：超宽带 环形压控振荡器 电流复用 收发机 调频连续波雷达
