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相变存储器
本申请涉及半导体结构领域，提供了一种相变存储器，包括相变层；分别位于所述相变层的相对两侧的第一电极结构和所述第二电极结构；所述第一电极结构远离所述相变层的部分的导热率大于其靠近所述相变层的部分的导热率。本申请提供一种相变...
游思成刘峻杨海波周光乐付志成蔡旺彭文林
相变存储器及操作方法
本申请公开了一种相变存储器及操作方法，该相变存储器包括字线、位线以及存储模块，通过存储模块在置位操作中连接施加有反向电压差的字线与位线，可以减小存储模块的阈值电压，从而可以在保持存储模块在复位操作后的阈值电压不变的情况下...
李利凯
相变存储器的闭环编程
一种计算机实现的方法，包括：通过向多个模拟突触发送脉冲序列，来更新与实现人工神经网络的交叉式阵列中的所述多个模拟突触相关联的初始权重值，所述模拟突触中的每一个包括电导单元，其中所述模拟突触的更新权重值是以所述电导单元的电...
E.A.加利G.布尔C.麦金S.蔡P.纳拉亚南
相变存储器的封装结构
本发明提供一种相变存储器及其制备方法，包括形成在基板上的第一外围电路芯片以及形成在基板上的至少一个存储结构，其中，所述存储结构包括依次堆叠在基板上的至少两个第一相变存储芯片；所述第一相变存储芯片均具有单一功能，且每个所述...
刘广宇刘峻杨海波彭文林付志成
相变存储器及其制造方法
本公开实施例提供一种相变存储器及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，包括：第一存储单元；设于相邻所述第一存储单元之间的隔离层；设于所述第一存储单元一侧的第一导电线，所述第一导电线表面凸出于所述隔离层表面，相邻所述第一...
张日东明帆朱雨宁
相变存储器及其形成方法
本公开提供了一种相变存储器及其形成方法，所述相变存储器包括：第一导电线、第二导电线和在第一方向上位于所述第一导电线与所述第二导电线之间的存储单元；所述存储单元沿所述第一方向延伸；所述第一导电线沿第二方向延伸，并与沿所述第...
马国铭张恒马林刘峻
一种相变存储器及其制备方法
本申请提供一种相变存储器及其制备方法，所述方法包括：形成选通层以及与所述选通层串联的相变存储层；所述选通层包括第一子层和第二子层；其中，所述第一子层的元素选自第一类元素集中至少一种选通层元素，所述第二子层的元素选自第二类...
杨红心周凌珺李沙沙刘峻
相变存储器设备及其形成方法
在特定方面中，一种三维(3D)相变存储器(PCM)设备包括第一PCM单元、第一PCM单元上的第一收缩PCM单元、第一收缩PCM单元上的第二收缩PCM单元、以及第二收缩PCM单元上的第二PCM单元。第一PCM单元包括第一P...
杨海波刘峻
集成电路及相变存储器装置
本公开提供一种集成电路及相变存储器装置，存储器装置中用于管理相变材料的方法、装置及设备。其中一方面，一种集成电路(例如存储器元件)包括：第一电极、第二电极及耦接至该第一电极与该第二电极之间的相变材料的基体。相变材料包含S...
郑怀瑜亚历山大·格伦
一种相变存储器系统及其访问方法
本发明实施例提供了一种相变存储器系统，其特征在于，包括：存储模块，包括多个与主机信号连接的存储芯片，每一存储芯片包括多个并列设置且均信号连接至同一数据传输通道的存储库，多个存储库被配置为具有不同地址属性；每一存储库内部包...
刘峻
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相关作者

宋志棠
作品数：1,076被引量：361H指数：9
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：相变存储器 相变 相变材料 存储器 电阻
封松林
作品数：662被引量：477H指数：11
供职机构：中国科学院上海高等研究院
研究主题：相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
刘波
作品数：314被引量：114H指数：7
供职机构：北京工业大学计算机学院
研究主题：相变存储器 相变材料 相变 存储器 电阻
缪向水
作品数：855被引量：77H指数：5
供职机构：华中科技大学
研究主题：相变材料 相变存储器 电极 相变 选通
陈后鹏
作品数：244被引量：67H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：相变存储器 读出电路 相变 电路 灵敏放大器