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相变存储器
本公开实施例提供一种相变存储器，包括：相变存储阵列，包括分别沿第一方向和第二方向并列排布的多个相变存储单元，第一方向与第二方向相交；预设位置，位于相变存储阵列沿第一方向的第一边缘与相变存储阵列沿第二方向的第二边缘的交汇处...
周凌珺 杨红心 刘峻
相变存储器
本申请实施例公开了一种相变存储器，涉及存储器技术领域，能够降低相变存储单元的温度对其周围的相变存储单元的写次数的影响，降低相变存储器的写操作过程中发生信号串扰几率，提高相变存储器的写次数，提高相变存储器的产品性能。相变存...
王思涵刘峻杨海波付志成
相变存储器结构
本发明实施例涉及一种相变存储器结构，其包含：底部电极；第一相变材料，其接触所述底部电极的顶面；第一开关，其位于所述第一相变材料上方；第二相变材料，其位于所述第一开关上方；及顶部电极，其位于所述第二相变材料上方。
吴昭谊
一种相变存储器单元
本发明涉及微电子技术领域，具体公开了一种相变存储器单元，通过高电热绝缘的非晶介质材料与八面体构型的晶态介质材料叠层生长形成介质层，其中八面体构型的晶态介质材料与相变材料结构相同，在与相变材料接触的界面为相变材料提供晶核生...
童浩赵锐哲缪向水
相变存储器及其制备方法
本发明提供了一种相变存储器及其制备方法，包括：提供基底，基底上形成有第一介质层，第一介质层中形成有纵向贯穿的通孔；依次形成第一金属层和第二金属层填充于通孔内，第二金属层位于第一金属层上；在第二金属层上选择性生长形成纳米线...
张道书 刘晓钰
相变存储器的制造方法
本发明提供一种相变存储器的制造方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明的方法包括：积层体形成步骤，在半导体衬底上形成积层体，积层体包括从下至上依次形成的相变材料层，氮化钛层，氮化硅层，碳掩模层，含硅抗反射层，以及光阻层，...
陈庆鸿 邱宗钰 王志远
相变存储器和存储系统
本申请提供一种相变存储器和存储系统，相变存储器包括第一电极层；相变存储层，位于第一电极层的一侧；第一导热层，位于第一电极层与相变存储层之间；其中，第一导热层包括第一子导热层和第二子导热层，第二子导热层位于第一子导热层靠近...
彭文林刘峻杨海波周光乐付志成
相变存储器的制造方法
本公开提供了一种相变存储器的制造方法，包括：提供包括器件区域和对位区域的衬底；其中，衬底上形成有互连线和覆盖互连线的第一介质层；互连线，用于连接相变存储器的外围电路和地址线连接部；第一介质层包括位于器件区域中的第一部分和...
高王荣田宝毅刘峻
相变存储器的制备方法
本申请提供了一种相变存储器的制备方法和相变存储器，先提供基底，并在所述基底上形成第一存储叠层，再刻蚀所述第一存储叠层形成第一存储单元，最后在所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成第一地址线，所述第一地址线与所述第一存储单...
李季明帆刘峻张银剑王海平秦俊峰
相变存储器和存储系统
本申请提供一种相变存储器和存储系统，包括相变存储单元、第一阻挡层及第二阻挡层；相变存储单元包括在第一方向上依次层叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、相变存储层以及第三电极层；第一阻挡层设置在相变存储单元在第二方向上的...
王芳刘峻杨海波付志成
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相关作者

宋志棠
作品数：1,064被引量：357H指数：9
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：相变存储器 相变 相变材料 存储器 电阻
封松林
作品数：657被引量：476H指数：11
供职机构：中国科学院上海高等研究院
研究主题：相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
刘波
作品数：314被引量：114H指数：7
供职机构：北京工业大学计算机学院
研究主题：相变存储器 相变材料 相变 存储器 电阻
缪向水
作品数：807被引量：76H指数：5
供职机构：华中科技大学
研究主题：相变存储器 相变材料 电极 相变 选通
陈后鹏
作品数：242被引量：64H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：相变存储器 读出电路 相变 电路 灵敏放大器