搜索到64183篇“ 瞬态“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
瞬态电流管理
在实例中，一种装置(100)包括：控制逻辑(129)，其配置成检测空闲周期；操作数产生器(140)，其配置成响应于所述空闲周期的所述检测而提供合成操作数；及计算电路(120)。所述计算电路配置成在所述空闲周期期间对所述合...
D·E·施泰斯T·安德森F·A·卡诺安东尼·马丁·希尔K·P·莱弗里A·雷德芬
增益瞬态响应补偿
描述了一种方法、装置和计算机程序，包括：确定功率放大器随时间的绝对增益，其中绝对增益由反馈基带信号除以前向基带信号而形成，该反馈基带信号从放大器的输出得到(例如，通过解调RF信号)，前向基带信号用于形成功率放大器的输入；...
中原秀树
一种瞬态电流抑制模块
一种瞬态电流抑制模块，包括：P++半导体衬底、第一二极管、第二二极管、第三二极管模块。P++半导体衬底顶面设有N‑外延层，N‑外延层中设有多个一端位于P++半导体衬底中的P++隔离阱；第一二极管包括设于N‑外延层中并位于...
李健儿冯艾诚冯永颜英慧胡仲波
双向瞬态电压抑制器
一种双向瞬态电压抑制器装置、结构及其相关方法。该装置包括衬底硅层、第一硅基层和第二硅基层。衬底硅层耦合到第一硅基层。预基硅层形成在衬底硅层和第二硅基层之间。第二硅基层耦合到预基硅层。预基层的极性不同于第二硅基层的极性。
顾兴冲周继峰高超
瞬态电压抑制器件
本申请公开了用于瞬态电压抑制器削波器的钝化设计，公开了一种瞬态电压抑制器器件、装置、结构及其相关方法。该器件包括基板硅层、第一硅基区层和第二硅基区层，基板硅层被耦合到第一硅基区层并耦合到第二硅基区层。该器件还包括创建在第...
龚生安高骏华徐海朋
一种瞬态电压抑制器件
本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器件。该器件包括衬底、第一基底层和第二基底层，衬底被耦接到第一基底层并耦接到第二基底层，以及在第一基底层中形成的一个或多个发射极层。
张环周继峰
瞬态及稳态光源暗室设备
本申请公开了瞬态及稳态光源暗室设备，包括箱体，其内部中空且为封闭结构，箱体具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁上分别开设有输入口和输出口；输送装置用于将电池组向箱体内传输，照射装置设置在箱体顶部，用于向箱体内...
张志魁陈小枫宋海涛
一种瞬态电压抑制器件
本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器件。该器件包括衬底、基底层和内层。内层被形成在衬底和基底层之间。第一结被形成在基底层与内层之间，并且第二层被形成在内层与衬底之间。
张环周继峰
双向瞬态电压抑制器件
本实用新型公开一种双向瞬态电压抑制器件，包括：第一芯片、第二芯片、包覆于的第一芯片和第二芯片外侧的环氧封装体、第一引脚和第二引脚，所述第一引脚、第二引脚各自的一端位于环氧封装体外侧，相向叠置的所述第一芯片与第二芯片的负极...
邱显羣钱淼王韦勋
瞬态过电压检测系统和方法
用于检测以系统频率运行的电气系统中的瞬态过电压事件的检测系统包括模拟电路，该模拟电路连接到电气系统并且具有高通滤波器，该高通滤波器能够操作以允许信号频率高于系统频率的瞬态电压信号通过。数字电路包括：模数转换器，该模数转换...
S·A·M·纳杰菲
加载更多 ∨

相关作者

罗家俊
作品数：500被引量：114H指数：6
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
韩郑生
作品数：664被引量：244H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 半导体器件
梁斌
作品数：288被引量：57H指数：4
供职机构：国防科学技术大学
研究主题：单粒子翻转 单粒子 D触发器 双模冗余 缓冲电路
吴大转
作品数：447被引量：991H指数：17
供职机构：浙江大学
研究主题：离心泵 数值模拟 空化 叶轮 瞬态
王乐勤
作品数：384被引量：1,830H指数：22
供职机构：浙江大学
研究主题：离心泵 数值模拟 瞬态 高速离心泵 水力性能