搜索到315篇“ 硅片直接键合“的相关文章
- 一种硅片直接键合方法
- 本发明公开了一种硅片直接键合方法，属于微电子技术领域。该方法是将经过清洗的抛光片，依次进行等离子激活处理、化学液清洗、低真空直接键合和退火处理，获得所需硅键合片；其中：等离子激活前的清洗是将硅片依次经过DHF、SC‑1和...
- 李响 丁浩杰 刘丽君 范美华
- 文献传递
- 一种硅片直接键合方法
- 本发明公开了一种硅片直接键合方法，属于微电子技术领域。该方法是将经过清洗的抛光片，依次进行等离子激活处理、化学液清洗、低真空直接键合和退火处理，获得所需硅键合片；其中：等离子激活前的清洗是将硅片依次经过DHF、SC-1和...
- 李响 丁浩杰 刘丽君 范美华
- 文献传递
- 一种短波长光辅助硅片直接键合方法
- 本发明属于晶圆键合技术，为一种短波长光辅助硅片直接键合方法，其步骤包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③将硅片用短波长光继续辅助活化，活化后取出；短波长光的波长范围为100～400nm，短波长光照射光强为5～30mW/cm...
- 史铁林廖广兰马沧海汤自荣聂磊林晓辉
- 文献传递
- 紫外光辅助低温硅片直接键合研究
- 低温直接键合技术由于键合温度低，键合质量好，键合材料限制少等优点，在绝缘体上硅（SOI）制备、微机电系统（MEMS）器件封装等众多领域逐步得到应用，并日益受到重视。本论文在已有的低温硅片直接键合研究基础上，引入了UV光照...
- 马沧海
- 关键词：键合质量键合材料微机电系统器件封装键合强度
- 文献传递
- 一种短波长光辅助硅片直接键合方法
- 本发明属于晶圆键合技术，为一种短波长光辅助硅片直接键合方法，其步骤包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③将硅片用短波长光继续辅助活化，活化后取出；短波长光的波长范围为100～400nm，短波长光照射光强为5～30mW/cm...
- 史铁林廖广兰马沧海汤自荣聂磊林晓辉
- 文献传递
- 硅片直接键合测量技术研究
- 硅片键合技术已经在SOI绝缘体上硅结构、微电子、微机电系统(MEMS)等制造方面获得了广泛的应用,而键合界面特性测试则是研究硅片键合技术不可或缺的基础技术之一。本文基于红外透射原理,设计了硅片直接键合界面缺陷检测系统,同...
- 周平
- 关键词：硅片键合红外检测过渡层平滑滤波
- 文献传递
- 一种新颖的低温硅片直接键合技术
- 提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法。硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度。
- 徐晨霍文晓杨道虹赵慧赵林林沈光地
- 关键词：等离子体
- 文献传递
- 一种新颖的低温硅片直接键合技术被引量：1
- 2005年
- 提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.
- 徐晨霍文晓杨道虹赵慧赵林林沈光地
- 关键词：等离子体
- 一种新颖的低温硅片直接键合技术
- 本文提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.
- 徐晨霍文晓杨道虹赵慧赵林林沈光地
- 关键词：微机电系统直接键合技术
- 文献传递
- 适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术被引量：2
- 2004年
- 采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。
- 羊庆玲冯建
- 关键词：VDMOSFET硅片直接键合SOI范德华力
相关作者
- 王新
- 作品数：32被引量：65H指数：5
- 供职机构：电子科技大学
- 研究主题：硅片直接键合 谐振特性 小型化 输出腔 真空微波
- 何进
- 作品数：37被引量：151H指数：6
- 供职机构：电子科技大学
- 研究主题：集成电路技术 电路 硅片直接键合 反相器 功耗
- 陈星弼
- 作品数：103被引量：188H指数：7
- 供职机构：电子科技大学
- 研究主题：半导体器件 半导体 导电类型 击穿电压 高压器件
- 黄庆安
- 作品数：922被引量：857H指数：13
- 供职机构：东南大学
- 研究主题：MEMS 风速风向传感器 无源无线 微机电系统 微电子机械系统
- 童勤义
- 作品数：58被引量：76H指数：5
- 供职机构：东南大学微电子中心
- 研究主题：传感器 高温 键合 硅 硅片
