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一种适用于材料的热处理装置
本发明公开了一种适用于材料的热处理装置,包括炉体、炉盖、设于炉体中的石英管以及设于石英管中的石墨舟架,所述石英管沿竖向布置且上端敞开,所述炉体与所述石英管之间设有金属管,所述金属管下端封闭且上端敞开,所述炉盖与所述...
陈若愚杨金何永平余洋陈李松张超
一种弱P型材料的退火方法
本发明公开了一种弱P型外延材料的退火方法。采用双温区退火装置,源和材料封装在石英管中,使源和样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段,根据所要求的空穴载流子的浓度,分别设置源和材料的退...
魏彦锋孙权志李珣林春丁瑞军何力
一种材料的P型热处理方法
本发明属于半导体材料加工制备的技术领域,具体为一种材料的P型热处理工艺方法。本发明对外延生长得到的材料进行富热处理和真空热处理,根据材料的厚度确定富热处理的时间,并同时控制热处理的温度、真空退火处理...
黄晟黄立杨朝臣张冰洁刘永锋周文洪
一种基于材料的霍尔测量装置及方法
本发明公开了一种基于材料的霍尔测量装置及方法,涉及晶圆测量领域,包括电磁铁,所述电磁铁的中间设置有杜瓦瓶,所述杜瓦瓶用于盛放液氮,且制作好的霍尔样品浸没与液氮中。本发明中,电磁铁最大感应磁场可达到2.3T,霍尔样品...
许军 杨成香
一种基于材料的霍尔测量装置及方法
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许军 杨成香
计算材料杂质能级的方法及设备
本发明公开了一种计算材料杂质能级的方法及设备。计算材料杂质能级的方法,包括:获取多个温度下材料件的光致发光信号谱图;通过分析多个光致发光信号谱图,获取三种能级跃迁随温度变化直线;...
申晨周朋杨海燕
一种原位监测MBE生长材料组分和厚度的装置及方法
本发明公开了一种原位监测MBE生长材料组分和厚度的装置及方法。该装置由原位傅里叶红外光谱检测系统、样品托、衬底加热器及其他装置构成,其中样品托从中心到边缘由疏到密分布有一列光路通孔,且具有相应的补偿部件以消除通孔对...
王晓晖琚海涛张一帆谭皓文简贤
气氛热处理工艺对材料性能和力学性能的影响
2023年
本研究旨在探讨气氛热处理工艺对材料性能和力学性能的影响。通过分析介绍试验所使用的材料和方法,描述了试验材料的选择和试验方法的步骤,并对气氛热处理工艺对材料性能及力学性能的影响作出了结果与分析。其中,涉及到晶界、晶粒尺寸和相变行为的调控,以及结晶状态和析出相的形成等方面的影响。此外,通过研究了气氛热处理对材料力学性能的影响,分析出气氛热处理工艺对力学性能方面的拉伸强度和延伸率能够产生一定变化。以期更好地理解气氛热处理工艺对材料的影响,并为进一步优化材料工艺提供参考。
吴刚王勇刘苗陈程
关键词:碲镉汞
一种弱P型材料的退火方法
本发明公开了一种弱P型外延材料的退火方法。采用双温区退火装置,源和材料封装在石英管中,使源和样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段,根据所要求的空穴载流子的浓度,分别设置源和材料的退...
魏彦锋孙权志李珣林春丁瑞军何力
文献传递
一种适用于材料的热处理装置
本发明公开了一种适用于材料的热处理装置,包括炉体、炉盖、设于炉体中的石英管以及设于石英管中的石墨舟架,所述石英管沿竖向布置且上端敞开,所述炉体与所述石英管之间设有金属管,所述金属管下端封闭且上端敞开,所述炉盖与所述...
陈若愚杨金何永平余洋陈李松张超

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何力
作品数:360被引量:437H指数:11
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 分子束外延 HGCDTE 红外焦平面探测器 红外焦平面
叶振华
作品数:190被引量:233H指数:10
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 红外焦平面探测器 红外探测器 HGCDTE 长波
胡晓宁
作品数:218被引量:294H指数:11
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 红外焦平面探测器 HGCDTE 铟柱 红外焦平面
李向阳
作品数:366被引量:396H指数:9
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 紫外探测器 GAN 探测器 HGCDTE
杨建荣
作品数:197被引量:227H指数:9
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 碲锌镉 液相外延 HGCDTE 分子束外延