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一种激光辅助制备碳化硅薄膜的方法
一种激光辅助制备碳化硅薄膜的方法,包括:步骤S1:提供基材,通入原料气体,使用紫外激光束对基材表面进行扫描,使原料气体在扫描路径上沉积形成特定晶型的碳化硅晶粒;步骤S2:采用化学气相沉积工艺在沉积有特定晶型的碳化硅晶粒的...
吴松
一种减少碳化硅薄膜应力的沉积方法
一种减少碳化硅薄膜应力的沉积方法,包括:提供基材,通入反应气体与基材进行反应,在基材表面形成碳化硅晶粒;对表面形成有碳化硅晶粒的基材进行退火处理;采用化学气相沉积工艺在退火处理后的基材表面沉积碳化硅薄膜。本申请先在基材表...
吴松
一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法
本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体公开了一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法,包括:S1、准备基板,S2、梯度沉积,S3、纳米颗粒沉积,S4、梯度变化控制,S5、冷却和后处理和S6、测试表征;本发明通过梯度沉积,薄膜可以具...
王兵张梦龙柯茜李京波
一种快响应的碳化硅薄膜热流传感器
本发明属于热流传感器领域,具体涉及到一种快响应的碳化硅薄膜热流传感器。是基于碳化硅具有的高热导率、禁带宽度大、耐高温等特性,采用高温气相外延制备碳化硅薄膜作为传感元件,使热流传感器具响应速度快、灵敏性好、耐高温能力强等优...
陶伯万陈文浩赵睿鹏谢天陈曦赵明原
一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置
本实用新型公开了一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置,其包括:底板的上表面固定连接有沉淀箱,沉淀箱的上表面固定连接有抽气机,抽气机的输出端固定连接有吸气管,吸气管远离抽气机的一端固定连接有吸气头,抽气机的后表面固定连...
郭世杰 李正委
一种碳化硅薄膜成型装置及其碳化硅薄膜的制备工艺
本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体公开了一种碳化硅薄膜成型装置及其碳化硅薄膜的制备工艺,包括:S1、生物模板准备,S2、表面修饰,S3、溶液制备,S4、生物模板浸渍,S5、碳化硅薄膜的生长,S6、表面修饰和优化以及S...
汪炜喆李梅溶王创垒张梦龙
一种在石墨材料表面制备碳化硅薄膜的装置及方法
一种在石墨材料表面制备碳化硅薄膜的装置及方法,属于表面改性技术领域,解决石墨坩埚使用过程中表面脱落的技术问题,解决方案为:本装置包括真空室、方波脉冲电源、加热电路和加热电源,方波脉冲电源与磁控靶头电性连接,靶材安装在磁控...
李建康 李鹏飞
一种碳化硅薄膜制备方法
本发明涉及碳化硅薄膜领域,具体涉及一种碳化硅薄膜制备方法,包括以下步骤:(1)使用RCA法对硅基底进行清洗,去除硅基底脏污和表面划伤,并对硅基底表面进行抛光,得到预处理硅基底;(2)将预处理硅基底放入PECVD装置的沉积...
杜伟 彭高攀
一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法
本发明涉及信息功能材料制备领域,特别涉及一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法,包括:将第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆键合形成第一键合结构;对所述第一键合结构进行退火处理,沿所述第一碳化硅晶圆的缺陷层剥离部分所述第一碳化硅晶圆;...
欧欣伊艾伦王成立
一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法
本发明涉及碳化硅领域,公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法,通过先对碳化硅薄膜进行热处理,激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质,然后利用紫外光照射碳化硅薄膜,控制碳化硅的准费米能级位置,使得氢杂质由负电调整为正电,利用带正...
王蓉沈典宇皮孝东李佳君王芸霞刘小平杨德仁

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张玉明
作品数:1,030被引量:454H指数:11
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研究主题:碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
王悦湖
作品数:111被引量:27H指数:3
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 碳化硅衬底 掺杂 电池
胡继超
作品数:19被引量:1H指数:1
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 碳化硅衬底 碳化硅薄膜 感应加热器 掺杂
张艺蒙
作品数:248被引量:9H指数:2
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 肖特基接触 肖特基二极管 碳化硅衬底 欧姆接触
谭新玉
作品数:209被引量:67H指数:4
供职机构:三峡大学
研究主题:辐射制冷 等离子体增强化学气相沉积 超疏水 SUB 防覆冰