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离子束增强沉积制备Li掺杂ZnO薄膜被引量：3: 2014年; 利用离子束增强沉积(IBED)法制备了Li掺杂ZnO薄膜(LZO),溅射靶为Li/Zn原子比为5%ZnO的陶瓷靶,实验结果显示:IBED法制备的(LZO)薄膜具有ZnO纤锌矿结构,在500℃高纯氩气下退火35min,薄膜表现为p型导电,薄膜的最低电阻率为35.03Ω·cm,制备的薄膜在可见光范围内的平均透过率在80%以上,p型LZO薄膜禁带宽度小于本征ZnO(3.37eV)。; 陈强张春渤谢建生; 关键词：离子束增强沉积退火

钛合金表面离子束增强沉积NiCr膜的耐腐蚀磨损性能被引量：3: 2014年; 钛合金是难镀材料,采用离子束增强沉积法(IBED),在Ti6Al4V钛合金表面制备NiCr膜,以期改善其耐腐蚀磨损性能。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、辉光放电光谱仪、显微硬度计、划痕仪、静态压入和动态循环压法表征其形态、结构、成分分布、硬度、膜基结合强度和膜的韧性;通过电化学极化曲线、交流阻抗测试和电偶腐蚀试验评价改性层的耐蚀性和接触相容性;利用球-盘磨损试验研究了改性层在空气中和3.5%NaCl溶液中腐蚀磨损性能。结果表明:IBED膜基结合强度高、膜层致密、晶粒细小,具备优异的强韧综合性能,良好的耐NaCl溶液腐蚀性能;IBED NiCr膜在NaCl溶液中磨损量仅为Ti6Al4V合金的1/4.5,磨损明显减轻,呈磨粒磨损机制,且其在水溶液中的耐磨性能优于在空气环境中。; 唐长斌刘道新朱晓东田林海; 关键词：离子束增强沉积钛合金

离子束增强沉积制备钽酸锂薄膜电性能分析: 2014年; 为提升钽酸锂薄膜的性能,提出一种离子束增强沉积法制备钽酸锂薄膜的新工艺。分别采用这种新工艺和溶胶-凝胶法制备了钽酸锂薄膜,并利用阻抗分析仪和铁电材料分析仪对制备样品进行了介电性能、铁电特性、漏电电流和热释电特性分析。实验结果表明,采用离子束增强沉积制备的钽酸锂样品经550℃退火后,介电常数为39.44,介电损耗为0.045;测试电场强度为400kV/cm时,漏电流为4.76×10-8 A/cm2,击穿场强为680kV/cm,热释电系数达到1.82×10-4 C/m2 K。相比之下,采用溶胶-凝胶方法制备的钽酸锂薄膜样品,其介电常数、介电损耗、漏电流都更大,击穿场强和热释电系数更低。从电性能参数比较可以看出,离子束增强沉积法比溶胶-凝胶法更适合用于制备钽酸锂薄膜。; 包勇张德银; 关键词：离子束增强沉积钽酸锂溶胶-凝胶介电常数热释电系数

一种钽酸锂薄膜离子束增强沉积制备工艺方法: 本发明公布了一种钽酸锂薄膜离子束增强沉积制备工艺方法，涉及功能材料薄膜的制备技术。该工艺方法选用以高纯度醋酸锂与五氧化二钽经过压制烧结而成溅射靶，用高纯Ar气产生的氩离子束对靶材进行轰击，在Pt/Ti/SiO2...; 张德银李坤彭卫东钱伟包勇王宇张熙高峰赵国柱; 文献传递

离子束增强沉积TiN薄膜的耐蚀性: 2013年; 采用不同离子束入射方向的离子束增强沉积技术(IBED)在W18Cr4V高速钢表面沉积TiN薄膜.利用阳极极化曲线测试技术研究TiN薄膜在0.5 mol/L H2SO4和3%NaCl溶液中的耐蚀性.结果表明:在0.5 mol/L H2SO4溶液中,离子束入射角度为45°时的TiN薄膜的阳极极化曲线呈现自钝化,自腐蚀电位E corr由原始高速钢的-400 mV增至-71 mV,致钝电流密度i b和维钝电流密度i p分别比原始试样降低4个和2个数量级,耐蚀性能显著提高.在3%NaCl溶液中,离子束入射角度分别为0°、30°沉积的TiN薄膜的阳极极化曲线均呈现自钝化-点蚀击穿过程,随着入射角度的增加,自腐蚀电位和点蚀击穿电位升高,入射角度为45°时的TiN薄膜不发生点蚀破坏,自腐蚀电位E corr由原始高速钢的-600 mV增至-10 mV,具有高的抗点蚀性能.; 朱雪梅马永乐张琳; 关键词：离子束增强沉积 TIN薄膜 W18CR4V高速钢阳极极化

用离子束增强沉积法制备In-N共掺杂ZnO薄膜: 2010年; 用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和Si O2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜。初步研究了I NZO共掺杂薄膜的电阻率随退火条件的变化。; 金铱谢建生李金华袁宁一; 关键词：氧化锌薄膜退火离子束增强沉积

离子束增强沉积Ti-Mo多层膜和TiMo合金膜及其性能被引量：1: 2010年; 采用离子束增强磁控溅射沉积技术制备了Ti–Mo金属多层膜和TiMo合金膜,评价了膜层的结合强度、韧性、硬度等力学性能和摩擦学性能。结果表明:不同调制周期及不同调制比的Ti–Mo多层膜的硬度均比Ti、Mo金属单层膜的硬度高,调制周期小于200nm的多层膜呈现出明显的超硬度现象,调制周期为20nm的多层膜硬度达到最大值,多层膜硬度随Ti膜:Mo膜调制比的减小而提高。Mo过渡层比Ti过渡层更能有效改善膜层的结合强度,离子辅助轰击能明显提高膜层的结合力。TiMo合金膜的硬度与Mo金属单层膜相近,明显低于调制周期20～200nm的Ti–Mo多层膜,其韧性也明显低于调制周期60nm以上的Ti–Mo多层膜。调制周期20～200nm的Ti–Mo多层膜的耐磨性能优于TiMo合金膜。; 唐长斌刘道新李凡巧张卿张晓化; 关键词：磨损

离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法: 本发明公开了一种离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法，将高纯度的铜作为溅射靶，并用纯N2或Ar∶N2为1∶5的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击，垂直注入到溅射沉积膜上，离...; 袁宁一丁建宁李锋; 文献传递

一种用电火花结合离子束增强沉积复合改性钛合金表面的方法: 本发明公开了一种用电火花结合离子束增强沉积复合改性钛合金表面的方法，包括下述步骤：用有机溶剂在超声波作用下进行清洗，清洗时间为5～10min；将经过时效处理后的钛合金用电火花表面强化器强化处理，处理过程Ar气保护，Ar气...; 乔生儒刘道新李平王少鹏张丽丽张程煜韩栋; 文献传递

离子束增强沉积制备p-ZnO薄膜: 2009年; 采用离子束增强沉积技术制备了ZnO薄膜,分析了退火温度、退火气氛对所制备ZnO薄膜的结构、电学特性和发光特性的影响。利用IBED法获得的薄膜p型N-In共掺ZnO薄膜在氮气下退火,随着退火温度的升高,薄膜电阻值先降低后升高,然后再降低。而在氧气下退火,即使退火温度只有400℃,薄膜的电阻很快变大。; 陆中张海宁朱茂电; 关键词：离子束增强沉积退火

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