搜索到797篇“ 离子注入技术“的相关文章
离子注入技术
张光华
关键词:半导体工艺离子注入
一种基于HiPIMS及离子注入技术的Mo-Ni涂层制备方法
本发明主要提出一种基于HiPIMS及离子注入技术的Mo‑Ni涂层制备方法,包括将表面覆有DLC膜的工件进行清洗处理后脱水烘干;将工件置于离子注入设备真空室中,进行离子注入处理;将经步骤二处理后的工件放入磁控溅射真空室内,...
倪晋扬李瑨刘向力白博文黄一凡柏贺达白亚雄
一种基于HiPIMS及离子注入技术的FeCrAlY耐磨损腐蚀涂层制备方法
本发明主要提出一种基于HiPIMS及离子注入技术的FeCrAlY耐磨损腐蚀涂层制备方法,包括:步骤一、将工件依次进行酸洗、清洗、漂洗及脱水烘干;步骤二、将经处理后的工件置于离子注入设备真空室中,进行离子注入处理;步骤三、...
倪晋扬李瑨刘向力冷雪松陈洪生柏贺达白亚雄
一种基于HiPIMS及离子注入技术的Mo-Ni涂层制备方法
本发明主要提出一种基于HiPIMS及离子注入技术的Mo‑Ni涂层制备方法,包括将表面覆有DLC膜的工件进行清洗处理后脱水烘干;将工件置于离子注入设备真空室中,进行离子注入处理;将经步骤二处理后的工件放入磁控溅射真空室内,...
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一种基于HiPIMS及离子注入技术的FeCrAlY耐磨损腐蚀涂层制备方法
本发明主要提出一种基于HiPIMS及离子注入技术的FeCrAlY耐磨损腐蚀涂层制备方法,包括:步骤一、将工件依次进行酸洗、清洗、漂洗及脱水烘干;步骤二、将经处理后的工件置于离子注入设备真空室中,进行离子注入处理;步骤三、...
倪晋扬 李瑨 刘向力 冷雪松 陈洪生 柏贺达 白亚雄
离子注入技术制备IBC电池背面电学绝缘隔离区的方法、IBC电池及其制备方法
本发明给出一种离子注入技术制备IBC电池背面电学绝缘隔离区的方法,包括:提供一种基底;采用掩膜式离子注入技术在基底的目标区域注入元素离子;元素离子为氮和/或氧,掩膜式离子注入技术采用的掩膜版的图案与所述太阳能电池背面的电...
黄海冰
基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法
本发明提供了一种基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法,涉及半导体材料制备技术领域,包括如下步骤:步骤S1:构建单晶硅的模型,在模型中的单晶硅表面设置真空层,采用反应力场分子动力学方法使单晶硅处于初始平衡状态;步骤S...
刘中利李兴冀杨剑群徐晓东崔秀海
基于离子注入技术修饰的全单晶光纤、制备方法及其数值孔径调控和应用
本发明涉及基于离子注入技术修饰的全单晶光纤、制备方法及其数值孔径调控和应用。通过向纯相单晶光纤芯部注入激活离子等,可以实现全反射结构并有效降低纤芯尺寸,大幅度降低光波导模数,实现对传输光束的有效约束,完全取代玻璃光纤的传...
贾志泰王涛张健陶绪堂
文献传递
一种基于虚拟现实的半导体离子注入技术教育培训和考核方法
一种基于虚拟现实的半导体离子注入技术教育培训和考核方法,集教育与考核于一体,不仅将离子注入工艺完整的展现给学员,更通过沉浸式体验的方式,在短时间内掌握半导体离子注入加工工艺,节约了成本,避免了不必要的麻烦与危险,弥补实践...
吴方岩
文献传递
离子注入技术在纳米集成电路工艺中的关键应用分析被引量:1
2021年
近些年来,随着科学技术的不断创新发展,半导体集成电路技术迅速发展成熟,各个行业中都能看到半导体芯片的身影,尤其是在移动设备领域,半导体芯片应用广泛,在此发展背景下,用户对半导体芯片的工作效率和能耗提出了更高要求,技术人员不断进行半导体制造技术创新,取得了优异效果,例如器件结构的转变,平面器件逐步向三维立体结构转换,另外,多种单项工艺技术也在不断进行创新改进,部分先进技术已成为行业顶尖,从整体角度来讲,多种工艺的优化发展仍围绕着纳米集成电路制造工艺进行,基于此,文章深入探讨了离子注入技术在纳米集成电路制造工艺中的应用,并提出了发展建议。
石庆球
关键词:离子注入技术

相关作者

张苗
作品数:307被引量:37H指数:4
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 绝缘体 衬底 离子注入 弛豫
狄增峰
作品数:254被引量:21H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 绝缘体 衬底 锗 离子注入
王刚
作品数:74被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 绝缘体 键合 离子注入 单晶薄膜
廖斌
作品数:233被引量:166H指数:7
供职机构:北京师范大学
研究主题:钉扎 金属 类金刚石 涂层 离子源
陈达
作品数:98被引量:5H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:弛豫 衬底 离子注入 绝缘体 单晶薄膜