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一种具有二维空穴注入的GaN基半导体发光元件
本发明涉及半导体光电器件技术领域,具体公开了一种具有二维空穴注入的GaN基半导体发光元件。该具有二维空穴注入的GaN基半导体发光元件,从下至上依次包括衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体,其特征在于,所述p型半导体与...
阚宏柱郑锦坚黄军陈婉君李水清张江勇寻飞林邓和清蔡鑫刘紫涵李晓琴曹军
一种具有p型三维空穴注入的半导体元件
本发明提供了一种具有p型三维空穴注入的半导体元件,从下至上依次包括衬底、n型半导体、超晶格、量子阱和p型三维空穴注入,所述p型三维空穴注入的In元素分布具有函数y=e<Sup>x</Sup>/x<Sup>2</S...
郑锦坚胡志勇张钰李晓琴蔡鑫蒙磊
一种空穴注入及包括其的有机电致发光器件
本发明涉及一种空穴注入,包括:交替蒸镀设置的若干有机空穴注入阶与若干无机空穴注入阶;其中,相邻的所述有机空穴注入阶与所述无机空穴注入阶间蒸镀有混合空穴注入阶。本发明的空穴注入包括交替蒸镀设置的若干有机空穴注入阶与若干...
李晓龙俞云海刘琼文洪秋明
一种基于新型空穴注入的低阈值启亮QLED器件及制备方法
本申请提供一种基于新型空穴注入的低阈值启亮QLED器件及制备方法,属于量子发光显示照明技术领域。所述QLED器件包括:顺次重叠设置的透明基底、空穴注入空穴传输、量子点发光、电子传输以及金属电极;其中,所述新型...
赵谡玲王玉静赵泽邦乔泊宋丹丹徐征梁志琴
一种基于VO<Sub>x</Sub>/PEDOT:PSS双空穴注入的有机发光二极管及其制备
本发明涉及有机发光二极管领域,涉及一种基于VO<Sub>x</Sub>/PEDOT:PSS双空穴注入的有机发光二极管及其制备,其结构自下而上依次为:基底、阳极、空穴注入空穴传输、发光、电子传输、电子注入和...
张晗朱文清吴铭冯知音
包括基底、阳极、阴极、至少一个第一发光和至少一个包含金属络合物的空穴注入的有机电子器件
本发明涉及一种有机电子器件,其包括基底、阳极、阴极、至少一个发光以及至少一个或多个空穴注入,其中空穴注入布置在阳极和至少一个发光之间,且其中空穴注入包含金属络合物。
弗拉迪米尔·乌瓦罗夫乌尔里希·黑格曼斯特芬·维尔曼皮尔马里亚·平特
包含基底、阳极、阴极、至少一个第一发光和含有金属络合物的空穴注入的有机电子器件以及金属络合物
本发明涉及一种有机电子器件以及一种金属络合物,所述有机电子器件包含基底、阳极、阴极、至少一个第一发光空穴注入,其中所述空穴注入包含金属络合物,其中所述金属络合物包含选自Ce(IV)、Hf(IV)或Zr(IV)...
弗拉迪米尔·乌瓦罗夫斯特芬·维尔曼乌尔里希·赫格曼皮尔马里亚·平特
聚合物、有机电致发光元件用组合物、空穴传输空穴注入形成用组合物、有机电致发光元件、有机EL显示装置和有机EL照明
本发明提供一种空穴注入传输能力高、耐久性高的聚合物和包含该聚合物的有机电致发光元件用组合物、以及亮度高、驱动寿命长的有机电致发光元件。一种聚合物,包含下述式(1)所示的重复单元。G为可以具有取代基的芳香族烃基或N原子。A...
李延军安部智宏梶山良子
包含基底、阳极、阴极、至少一个第一发光空穴注入的有机电子器件,其中所述空穴注入包含式(I)的金属络合物和式(II)的化合物,其中所述空穴注入布置在所述阳极与所述至少一个第一发光之间
本发明涉及一种有机电子器件,所述有机电子器件包含基底、阳极、阴极、至少一个第一发光空穴注入,其中所述空穴注入包含式(I)的金属络合物和式(II)的化合物,其中所述空穴注入布置在所述阳极与所述至少一个第一发...
弗拉迪米尔·乌瓦罗夫斯特芬·维尔曼乌尔里希·赫格曼
一种具有p型空穴注入的氮化物半导体发光芯片
本发明提出了一种具有p型空穴注入的氮化物半导体发光芯片,包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、量子阱、电子阻挡和p型半导体,量子阱为由阱和垒组成的周期性结构,所述量子阱和电子阻挡之间设置有p型空穴注...
郑锦坚陈婉君蔡鑫李晓琴张会康黄军季徐芳蒙磊陈三喜

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周明杰
作品数:8,641被引量:0H指数:0
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曹蔚然
作品数:353被引量:0H指数:0
供职机构:TCL集团股份有限公司
研究主题:量子点 发光层 空穴注入层 空穴传输层 电子传输层
钱磊
作品数:279被引量:0H指数:0
供职机构:TCL集团股份有限公司
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杨一行
作品数:483被引量:0H指数:0
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李福山
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供职机构:福州大学
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