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等离子体刻蚀被引量：1
1998年
本文介绍了等离子体刻蚀的概念、优点和应用,刻蚀的物理机制和稠密等离子体源与器件损伤.
刘之景
关键词：等离子体刻蚀物理机制集成电路制造
等离子体刻蚀腔室盖板
本实用新型提供一种等离子体刻蚀腔室盖板，在其侧壁上设置开口宽度大于槽底宽度的环状搬运槽，以通过环状搬运槽对等离子体刻蚀腔室盖板进行安装及搬运，其中，呈环状的搬运槽可便于工作人员调整搬运位置，加大手指与等离子体刻蚀腔室盖板...
卢森徐胜
等离子体刻蚀系统和方法
本申请提供了一种等离子体刻蚀系统和方法，解决了现有技术中刻蚀孔的侧壁垂直程度较差的问题。其中，等离子体刻蚀系统包括：粒子束生成装置，用于生成沿预定方向出射的粒子束；可移动载台，位于粒子束生成装置的出射粒子束的一侧，可移动...
张新素吕超
刻蚀方法及等离子体刻蚀装置
本发明公开了一种刻蚀方法及等离子体刻蚀装置，其中，刻蚀方法包括：提供一反应腔，所述反应腔内放置一基片；刻蚀步骤：在0℃以下刻蚀所述基片；升温步骤：将基片升温至60℃以上，使沉积于所述基片上的副产物以气态形式排出；所述刻蚀...
张凯徐伟娜侯剑秋吴紫阳张一川
一种电极组件及等离子体刻蚀机
本申请公开了一种电极组件及等离子体刻蚀机，涉及等离子体电极技术领域，用于解决现有技术中电极本体的边缘区域的出气量小于中部区域的出气量，从而对芯片刻蚀不均匀的技术问题。该电极组件包括电极本体，所述电极本体包括中部区域和边缘...
张立新
一种等离子体刻蚀装置及其扩散装置
本发明公开了一种等离子体扩散装置，其特征在于，包括：中空的端口放大装置(1)，所述端口放大装置(1)的进口端用于与等离子体源输出端密封连接，所述端口放大装置(1)的进口的面积小于出口的面积；栅栏(5)，所述栅栏(5)安装...
周腾邱克强刘正坤徐向东洪义麟付绍军
一种等离子体刻蚀装置及工作方法
本发明提供一种等离子体刻蚀装置，包括：反应腔，其内设有基座；限制环，其围绕基座的外围设置，限制环具有多个气体通道；中接地环、下接地环，设置在基座的外围，分别沿基座的径向、轴向延伸；中接地环连接下接地环和反应腔的侧壁，下接...
叶如彬吴昊
一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法
本发明提供一种等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法，应用于等离子体刻蚀技术领域，所述刻蚀设备包括反应腔，所述反应腔的顶部和底部平行设置有一对上电极和下电极，所述上电极包括用于向下方喷淋气体的气体喷淋区及环绕所述气体喷淋区的边缘区...
李可王兆祥梁洁涂乐义向浪王亮颜羽
一种反应腔清洁方法及等离子体刻蚀设备
本发明公开了一种反应腔清洁方法及等离子体刻蚀设备，在所述反应腔内处理基片后，清洁所述反应腔内的残留物，包括：向所述反应腔内通入第一混合气体，将所述第一混合气体解离为等离子体，所述第一混合气体包括Cl<SUB>2</SUB...
黄秋平刘身健
一种电容耦合等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法
本发明提供一种电容耦合等离子体刻蚀设备以及刻蚀方法，所述刻蚀设备包括反应腔，所述反应腔的顶部和底部平行设置有一对上电极和下电极，所述上电极包括用于向下方喷淋气体的气体喷淋区及环绕所述气体喷淋区的边缘区，中，所述边缘区的上...
李可王兆祥涂乐义梁洁彭国发方文强向浪
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相关作者

李俊峰
作品数：528被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
顾长志
作品数：321被引量：235H指数：9
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：金刚石膜 衬底 金刚石 石墨烯 金刚石薄膜
刘明
作品数：1,382被引量：412H指数：11
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
张大明
作品数：447被引量：337H指数：9
供职机构：吉林大学
研究主题：包层 波导 热光开关 聚合物光波导 阵列波导光栅
匡同春
作品数：175被引量：703H指数：15
供职机构：华南理工大学
研究主题：硬质合金 金刚石膜 CVD 刀具 涂层刀具