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- 绝缘栅双极型晶体管
- 本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括第一金属区、第二金属区和附加电容。其中，第一金属区包括至少两个间隔设置的第一子金属区；第二金属区与第一金属区间隔设置，第二金属区包括相连接的第二子金属区和金属叉...
- 李伟聪姜春亮
- 绝缘栅双极型晶体管
- 本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括栅极总线、栅极引线压焊区和若干内置电阻岛，若干内置电阻岛与栅极总线连接，至少一个内置电阻岛与栅极引线压焊区连接。本方案可以提高栅极内置电阻的调整灵活性。
- 李伟聪文雨姜春亮
- 绝缘栅双极型晶体管
- 本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括栅极总线、栅极引线压焊区和若干内置电阻岛，若干内置电阻岛与栅极总线连接，至少一个内置电阻岛与栅极引线压焊区连接。本方案可以提高栅极内置电阻的调整灵活性。
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- 绝缘栅双极型晶体管
- 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管。该晶体管包括：外延层；漂移区，形成于外延层中，漂移区具有第一掺杂类型；多个超级结，形成于漂移区中并沿第一方向间隔设置，各超级结均沿第二方向和第三方向延伸，第一方向平行于第一表面，第二方...
- 祁金伟 张耀辉 卢烁今
- 绝缘栅双极型晶体管
- 本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括栅极总线、内置电阻区和栅极引线压焊区，内置电阻区包括至少一个内置电阻岛，内置电阻岛包括第一多晶硅、第二多晶硅和第三多晶硅，第一多晶硅分别与第二多晶硅的一端和第三...
- 李伟聪文雨姜春亮
- 绝缘栅双极型晶体管
- 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于...
- 张龙马杰顾炎张森祝靖龚金丽孙伟锋时龙兴
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- 绝缘栅双极型晶体管
- 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管，在具有矩形沟槽的IGBT中抑制接触电阻的上升同时抑制闩锁。一种绝缘栅双极型晶体管，其中，具备配置于矩形沟槽内的栅电极。发射极区域与构成矩形沟槽的一边的直线沟槽接触。表层体区域在与发射极区...
- 细川博司岩崎真也利田祐麻
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- 绝缘栅双极型晶体管
- 本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：漂移区和存储层，自下向上依次形成于衬底中；以及，多个栅极结构，形成于所述衬底中，所述多个栅极结构包括若干第一栅极结构和若干第二栅极结构，所述第一栅极结构的深度介于所述漂移区的...
- 周振强徐承福
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- 绝缘栅双极型晶体管
- 本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的边缘为终端保护区，所述绝缘栅双极型晶体管的中间部分包括了元胞区、温度传感区；温度传感器正极和温度传感器负极位于温度传感区内。本实用新型所述绝缘栅双极型晶体管...
- 阳平
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- 绝缘栅双极型晶体管
- 本发明提出了绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；N<Sup>+</Sup>发射极，设置在P阱区远离漂移区的一侧；两个沟槽，每个沟槽开设在N<Sup>+</Sup>发射极、P阱...
- 冯宇翔甘弟
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