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利用原子在圆偏振激光场中的强场电离产生自旋 极化 电子 2025年 自旋 极化 电子 提供了机会.我们应用这些解析电离速率公式[Ingo Barth and Olga Smirnova,Phys.Rev.A 88,013401(2013)]更系统地研究了通过Kr和Xe原子在右旋圆偏振激光脉冲中的强场电离产生自旋 极化 电子 ,并证实了不同自旋 态的光电子 能量分布有很大差异、电子 的自旋 极化 敏感地依赖于光电子 能量.另外,在光电子 能谱的低能部分其自旋 极化 可以达到100%,并且通过调节激光强度和频率可以很好地控制能量积分的自旋 极化 .关键词：自旋极化电子 空位缺陷硅烯纳米带结构与自旋 极化 电子 性质的密度泛函紧束缚研究 2025年 电子 器件和自旋 电子 学的不断发展,对小尺寸的纳米硅材料物理和化学性质的研究是研发新型微电子 材料器件的基础.硅烯纳米带在实验制备和理论研究中均备受关注.本研究利用基于自洽电荷的密度泛函理论紧束缚方法,研究了不同宽度的硅烯纳米带的结构、稳定性和自旋 极化 电子 性质.研究发现,稳定的完美和带有空位缺陷的硅烯纳米带表现为带有曲翘褶皱的蜂窝结构.纳米带边缘的曲翘度大于中心位置.空位缺陷更容易出现在纳米带边缘.纳米带的宽度可实现完美的硅烯纳米带的半导体性质和金属性之间的转换.硅烯纳米带中出现空位缺陷可有效调控纳米带自旋 电子 性质从半导体向金属性转变、半导体向半金属性转变,及金属性向为半导体或者半金属性质的转变.这种自旋 电子 性质的调控手段使得该种纳米材料在纳米电子 自旋 器件上有着潜在的应用价值.关键词：空位缺陷 一种具有自旋 极化 电子 层的半导体激光元件 自旋 极化 电子 层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，还包括自旋 极化 电子 层，所述下限制层具有第一下限制层、第二下限制层和第三下限制层；所述自旋 极化 电子 层...一种具有自旋 极化 电子 层的半导体激光元件 自旋 极化 电子 层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子 阻挡层和上限制层，上波导层与电子 阻挡层以及下波导层与下限制层之间均设置有自旋 极化 电子 层。本发明增强...利用原子在圆偏振激光场中的强场电离产生自旋 极化 电子 自旋 极化 电子 的太赫兹波辐射与太赫兹波探测电子 的自旋 属性逐渐应用到太赫兹辐射的产生当中。利用电子 自旋 辐射太赫兹波的主要原理为光泵浦铁磁金属产生自旋 流,然后将超快自旋 流转化为超快电荷流进而辐射太赫兹波。金属异质结由于不包含常见极性...关键词：太赫兹辐射 自旋电流 太赫兹时域光谱 一种基于拓扑绝缘体的自旋 极化 电子 源 自旋 极化 电子 源，包括：圆偏振光生成部件、设有玻璃视窗的真空壳体和设于真空壳体内的拓扑绝缘体及静电透镜；所述圆偏振光生成部件生成左旋或右旋的圆偏振光，所述圆偏振光通过玻璃视窗进入真空壳体...完全自旋 极化 电子 器件TiCl3/RhCl3/TiCl3的量子输运性质的第一性原理研究 被引量：1 2020年 自旋 极化 的电子 器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋 极化 电流曲线。发现在小偏压范围内,器件的隧穿磁电阻(tunneling magnetoresistance,TMR)高达100%,并在这一偏压范围内维持稳定;在电极极化 方向平行构型(parallel configuration,PC)下的自旋 注入效率也高达100%,具有很强的稳定性。在大偏压范围内,随着偏压的增加TMR逐渐减小,PC构型下的自旋 注入效率一直保持100%不变。最后,通过对器件投影态密度图的分析,解释上述物理现象。关键词：隧穿磁电阻 一种具有高自旋 极化 电子 通道的拓扑绝缘体复合薄膜及其制备 自旋 极化 电子 输运通道的拓扑绝缘体异质复合薄膜，由6H‑SiC(0001)或SrTiO<Sub>3</Sub>基片，和在基片上面利用分子束外延技术在超高真空系统中依次生长的拓扑绝缘体6QL Bi<Su...一种具有高自旋 极化 电子 通道的拓扑绝缘体复合薄膜及其制备 自旋 极化 电子 输运通道的拓扑绝缘体异质复合薄膜，由6H-SiC(0001)或SrTiO<Sub>3</Sub>基片，和在基片上面利用分子束外延技术在超高真空系统中依次生长的拓扑绝缘体6QL Bi<Su...
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