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卤素及含氧元素掺杂对α-2-石墨炔纳米带的负微分电阻效应与自旋过滤效应的调控: 2025年; 随着集成电路制备对尺寸要求的逐步提高,电子器件的微型化研究受到越来越多科学家的青睐.本研究通过采用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,系统地研究了卤素等元素边缘修饰对α-2-石墨炔的电子能带结构及其器件的电子输运特性的调控作用.从能带结构研究发现,在反铁磁组态下多种元素掺杂都使得α-2-石墨炔表现出独特的半导体属性.特别是,采用氧元素边缘修饰的α-2-石墨炔周期性结构在费米能级附近展现出较为复杂的结构特性.此外,电子器件研究表明氟(F)、氯(Cl)、氧(O)、氢氧根(OH)元素掺杂调控下器件展示出明显的负微分电阻效应(NDR)和自旋过滤效应.有趣的是,研究发现外加电压为-0.4 V时自旋平行配置下器件的自旋过滤效率高达84%.本文通过进一步分析其传输路径、透射谱与局域态密度来阐释NDR效应与自旋过滤效应的产生机理,为理解α-2-石墨炔在电子输运中的独特行为提供充分的理论依据.该研究将在新型逻辑器件、集成电路、微纳电子机器等热点领域的研究中具有明显的应用价值.; 李晓波刘帅奇黄演马玉丁文策; 关键词：第一性原理

一种单自旋负微分电阻装置及其制备方法: 本发明涉及微电子器件技术领域，公开一种单自旋负微分电阻装置及其制备方法，该单自旋负微分电阻装置包括石墨烯纳米带、左电极、右电极和绝缘层衬底；所述石墨烯纳米带、左电极和右电极均设置在所述绝缘层衬底上方，且所述左电极和右电极...; 王雪峰陈竞哲谢稳泽柳傲蕾刘喻舟

二维层状黑磷烯负微分电阻场效应管的第一性原理研究: 2024年; 黑磷烯负微分电阻场效应管的前沿进展主要体现在其独特的电子特性和应用潜力上。黑磷烯作为一种二维层状材料,具有直接带隙半导体的特性。当它与金电极以特定的方式接触时,可以展现出独特的电子整流和负微分电阻效应。具体来说,沿着锯齿(zigzag)型方向排列的黑磷烯与金电极(100)表面接触时,能形成稳定的负微分电阻效应。这一特性使得黑磷烯负微分电阻场效应管在半导体纳米晶体器件中有广泛的应用前景。; 孙刚张静王玉生徐斌; 关键词：负微分电阻第一性原理研究

一种具有光调制负微分电阻现象光电探测器的制备方法: 本发明公开了一种具有光调制负微分电阻现象光电探测器的制备方法，方法包括以下步骤：将机械剥离的MoS2，h‑BN和WS2通过干转移法制备MoS2/h‑BN/...; 印寿根闫慧范文浩王俊杰王庆国

Negative differential resistance effects induced by protonation in naphthalocyanine molecular junctions: 2024年; The electronic and transport characteristics of protonated derivatives of naphthalocyanine(Nc)were investigated using density functional theory and non-equilibrium Green's functions.The results indicate that the protonation of external meso-N atoms of Nc preserves its planar structure and is energetically more favorable than the protonation of internal isoindole-N atoms.The protonation shifts the energy levels of system's frontier molecular orbitals closer to the Fermi level,thus creating channels for electron transport.In contrast with the semiconductor transport properties of H2Nc,its protonation products respond more sensitively to bias and exhibit negative differential resistance phenomena at specific bias.; CHEN YimingZHAO WanzhuZHANG BaiyangWU KangleBIAN JiangyuCHANG Yingfei; 关键词：NAPHTHALOCYANINE

一种峰谷电流比可调节的负微分电阻器件及其应用: 本发明公开了一种峰谷电流比可调节的负微分电阻器件及其应用，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的负微分电阻器件从下至上依次包括玻璃基底、底电极、钙钛矿活性层CH3NH3Pb...; 李必鑫陈永华夏英东晁凌锋许兰苏琼

一种基于负微分电阻的忆阻器、其制备方法及应用: 本发明提供了一种基于负微分电阻的忆阻器、其制备方法及应用。采用两个基于负微分电阻(NDR)的忆阻器和一个电感即可形成神经元电路。本发明所提供的忆阻器实现了神经元膜的集成特性，避免了使用外部电容器，并成功地将其应用于超简化...; 裴逸菲闫小兵何惠

负微分电阻电路以及神经元晶体管结构: 本发明公开了一种神经元晶体管结构，包括：权重加和电路，包括并联的至少两个突触部、第一负微分电阻；各突触部的源极与第一负微分电阻的发射极分别连接至神经元晶体管的输出端；各突触部的漏极与第一负微分电阻的集电极分别连接至神经元...; 唐可忱赵帆

石墨烯电极弯折对2-苯基吡啶分子器件负微分电阻特性的调控和机理被引量：1: 2023年; 采用非平衡格林函数结合密度泛函理论探讨了以锯齿型石墨烯纳米带为电极、2-苯基吡啶分子为中心区的分子器件电子输运性质.分析I-V特性及透射谱随偏压的变化表明,电极弯折能够调控器件负微分电阻特性,使器件峰值电压(V_(p))减小、电流峰谷比(PVR)增大,当电极弯折角度为15°时,器件获得低峰值电压(0.1 V)、高电流峰谷比(12.84)的负阻特性.平衡态下器件的透射谱、态密度、散射态实空间分布图及投影态密度解释了器件负阻特性被调控源于电极弯折使器件中心分子与电极间的波函数交叠发生变化,导致两者间耦合减弱.弱耦合下外加偏压后,器件的透射系数因能级移动和偏压的变化而产生大幅波动,使器件在低偏置电压处即出现大的透射系数,产生峰值电流Ip,降低了器件的V_(p),且增大了PVR值,其所获得的低V_(p)、高PVR的负阻特性在低功耗分子电子领域具有潜在的应用前景.; 邢海英张子涵吴文静郭志英茹金豆; 关键词：非平衡格林函数密度泛函理论

负微分电阻效应对太赫兹波段超材料吸收器性能的影响研究: 太赫兹(Terahertz,THz)波位于微波与红外波之间,具有对大多数物质透明、能量低以及分辨率高等特点,可用于生物检测、成像、安全防爆等领域。THz技术在近几年得到飞速发展,受到国际重视。超材料是一种特殊的人工复合材...; 魏晓; 关键词：太赫兹波

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