搜索到1766篇“ 超深亚微米集成电路“的相关文章
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基于深亚微米集成电路的MIM电容结构及性能改善研究
电容作为一种主要的无源器件在集成电路的设计应用中越来越多。而MIM（Metal Insulator Metal）电容凭借其低寄生电容,低接触电阻的优点在0.11μm/0.18μm线宽工艺中广泛应用。MIM电容以金属作为上...
刘川
关键词：等离子体化学气相沉积氮化硅折射率TDDB
预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法
本发明公开了一种预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法，该方法在芯片设计阶段准确而高效地确定互连线全开路缺陷点的电压。包括以下步骤：首先建立第一个电压预测模型。在此基础上建立第二个电压预测模型。然后，对疑似存在...
韦素芬邵志标耿莉
深亚微米集成电路自动化流程设计方法研究
集成电路设计已经进入到深亚微米，然而集成电路的设计离不开自动化，自动化能提高电路设计效率，缩短设计周期和降低设计成本，考虑到完全的手动既费时又浪费人力。目前，芯片都是用时序逻辑电路，其中最重要的单元就是寄存器，它占总规模...
康蕾
关键词：深亚微米集成电路设计方法时钟控制
预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法
本发明公开了一种预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法，该方法在芯片设计阶段准确而高效地确定互连线全开路缺陷点的电压。包括以下步骤：首先建立第一个电压预测模型。在此基础上建立第二个电压预测模型。然后，对疑似存在...
韦素芬邵志标耿莉
深亚微米集成电路Cu互连用梯度扩散阻挡层制备工艺
本发明涉及一种深亚微米集成电路Cu互连用梯度扩散阻挡层制备工艺，属于半导体集成电路制造技术领域。该工艺采用射频磁控溅射镀膜设备在单晶Si基体上沉积一层非晶态TaN层；之后再沉积TaN梯度层，并通过逐渐调小反应气体N<Su...
刘春海汪渊刘波杨吉军陈顺礼
深亚微米集成电路制造中电介质自对准接触通孔刻蚀工艺机理及应用
自对准接触通孔刻蚀工艺是大规模集成电路制造流程中最关键的工艺之一。随着大规模集成电路制造朝着更小关键尺寸和更高集成度方向发展,特别在深亚微米尺寸条件下,对工艺的精度和难度要求越来越高,而电介质自对准接触通孔刻蚀工艺作为一...
殷冠华
关键词：刻蚀反应离子刻蚀
深亚微米集成电路的失效定位技术
所谓失效分析是指对器件失效原因的诊断过程，确定失效模式和失效机理，提出纠正措施。失效分析在工业领域应用广泛，特别是在半导体领域发挥了极其重要的作用，通过失效分析极大地提高了集成电路的成品率、质量和可靠性。一般的流程是：电...
赵春荣
关键词：深亚微米集成电路
深亚微米集成电路互连电阻异常分析及其解决方法
随着集成电路进入深亚微米及其以下时代，线宽尺寸不断减小，接触和互连已经成为增加电路延迟时间，影响系统集成度和稳定性的重要因素。硅化钴作为器件和金属连线的连接层，起到了减小接触电阻和防止漏电流的作用;钨作为金属连线的材料，...
黄立凝
关键词：深亚微米集成电路
深亚微米集成电路Cu/低k互连结构温度特性分析
随着CMOS器件工艺特征尺寸的减小，热问题成为深亚微米集成电路设计中最具挑战的问题之一。互连线温度估计在深亚微米集成电路设计中也一直备受关注。本论文主要进行的是深亚微米Cu/低k介质多层金属互连结构的温度分析。在多层金属...
康亚娟
关键词：深亚微米集成电路低K介质温度分布
深亚微米集成电路特征尺寸缩小的研究开发和应用
随着集成电路飞速发展和集成电路制造工艺水平的提高,芯片的集成度越来越高。工艺特征尺寸的缩小研究一直是半导体设计和生产的重要课题,近年来器件栅长已经从几微米缩小到65 nm甚至更小。本论文主要是针对0.18μm工艺节点进行...
蒋煜明
关键词：深亚微米集成电路
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刘波
作品数：95被引量：150H指数：6
供职机构：四川大学
研究主题：阻挡层 扩散阻挡层 SUB 超深 铜互连
林黎蔚
作品数：39被引量：10H指数：2
供职机构：四川大学
研究主题：扩散阻挡层 阻挡层 铜互连 超深 SUB
张彦坡
作品数：19被引量：0H指数：0
供职机构：四川大学
研究主题：扩散阻挡层 超深 SUB 阻挡层 铜互连
刘春海
作品数：56被引量：55H指数：4
供职机构：四川理工学院
研究主题：薄液膜 微弧氧化 液膜厚度 铂电极 金属腐蚀
恩云飞
作品数：415被引量：379H指数：9
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所
研究主题：可靠性 集成电路 单粒子效应 木马 电迁移