搜索到175篇“ 通态电阻“的相关文章
- 一种单颗晶圆的通态电阻测量装置及方法
- 本发明公开一种单颗晶圆的通态电阻测量装置及方法，包括：单颗晶圆、若干根探针、载物单元以及若干根插线；所述若干根探针分别与所述单颗晶圆的电极连接；所述载物单元包括第一分载物台以及第二分载物台，且所述第一分载物台与第二分载物...
- 钱俊祺陈子鸿
- 功率器件通态电阻测量电路及结温测量方法、系统
- 本发明公开了一种功率器件通态电阻测量电路及结温测量方法、系统，通过通态电阻测量模块解决测量设备宽量程与高精度之间的矛盾，同时保证测量的高速响应能力，实现高精度高响应能力的通态电阻测量；结温模型搭建模块通过单脉冲标定环节得...
- 徐千鸣刘蕊唐成郭鹏张立鑫邹周王子航杨钰汪洪亮罗安
- 一种检测场效应管通态电阻的电路
- 本实用新型公开了一种检测场效应管通态电阻的电路，包括直流稳压源、场效应管Q2及直流低电阻测试仪，所述直流稳压源的负极分别与所述场效应管Q2的源极、所述直流低电阻测试仪的第一端相连接，所述直流稳压源的正极与所述场效应管Q2...
- 陈东梅
- 文献传递
- 一种低漏源通态电阻的UMOS器件结构及制备方法
- 本发明涉及一种低漏源通态电阻的UMOS器件结构及制备方法，该结构包括：P+型衬底；设置于所述P+型衬底表面的外延层；设置于所述外延层表面N型体区；设置于所述N型体区表面P+型源区；贯穿所述P+型源区和N型体区且位于外延层...
- 吴昊杨丰付晓君向凡郑直
- 文献传递
- IGBT模块通态电阻与键合线故障关系研究被引量：8
- 2017年
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块通过键合引线实现与外电路的电气连接,并联的铝键合线若发生脱落现象,会导致模块的等效通态电阻增大,通过对电阻的计算,可直接对模块进行故障诊断。通过实验得出IGBT模块通态电压与电流之间的关系曲线,计算出健康与键合线故障状态下的IGBT模块等效通态电阻的变化,并分析得出键合线脱落根数超过总键合线数的40%左右时,IGBT模块发生失效故障。
- 孔梅娟李志刚
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管通态电阻
- 0.18μm完全隔离型低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS研究被引量：1
- 2016年
- 介绍一组基于0.18μm逻辑平台构建的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。该组LDMOS涵盖10~30 V应用电压。该NLDMOS为完全隔离型,因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏压。针对Drift区域和Body区域分别进行结构优化,最终得到性能良好的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。其导通态电阻（Ron）为4.4 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）~20 V,21 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）~41 V。
- 冯喆韻马千成汪铭
- 关键词：LDMOS
- 具有低通态电阻、高击穿电压的功率器件
- 本实用新型公开了一种具有低通态电阻、高击穿电压的功率器件。包括漂移区，在漂移区的上方一端设有栅极多晶硅，并通过氧化层将栅极多晶硅与漂移区隔离，在漂移区由上至下沿漂移区垂直方向设有一多晶硅柱，将漂移区分为第一阻抗区与第二阻...
- 步健康
- 介质壁加速器用GaAs光导开关的通态电阻测量被引量：1
- 2013年
- GaAs光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件,如光导开关在介质壁加速器中的应用。为了研究通态电阻对开关性能的影响,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线,测量了3 mm电极间隙的GaAs光导开关的通态电阻。测量结果表明:电极间隙为3 mm的GaAs光导开关的通态电阻为14.9Ω,光导开关通态电阻的存在将导致开关热损伤,降低脉冲功率系统的电压输出能力,缩短GaAs光导开关的使用寿命。
- 谌怡刘毅王卫夏连胜张篁石金水章林文
- 关键词：GAAS光导开关同轴电缆通态电阻热损伤
- GaAs光导开关的通态电阻测量及分析
- 2012年
- 为了研究通态电阻对开关性能的影响，采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线，测量了电极间隙为3mm的GaAs光导开关的通态电阻。结果表明：电极间隙为3mm的GaAs光导开关的通态电阻为14．9Q，光导开关通态电阻的存在将导致开关热损伤、降低脉冲功率系统的电压输出能力，并缩短GaAs光导开关的使用寿命。
- 谌怡刘毅王卫夏连胜张篁朱隽石金水章林文
- 关键词：GAAS光导开关同轴电缆通态电阻热损伤
- SOI横向高压低通态电阻MOS型器件研究
- 随着SOI技术不断发展成熟，SOI高压集成电路因其隔离性能好、漏电流小、速度快、高温性能好和抗辐照等优点已成为功率集成电路的重要发展方向。MOS型功率器件由于良好的栅控能力和驱动电路简单等优点，逐渐取代双极型功率器件成为...
- 许生根
- 文献传递
相关作者
- 张娜
- 作品数：75被引量：57H指数：4
- 供职机构：北京工业大学
- 研究主题：低氧 抗耐药 靶向性 抗肿瘤药物 抑制剂
- 亢宝位
- 作品数：75被引量：150H指数：7
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院
- 研究主题：IGBT 绝缘栅双极晶体管 晶体管 JFET 槽栅
- 吴晓鹏
- 作品数：4被引量：4H指数：2
- 供职机构：北京工业大学
- 研究主题：槽栅 低压功率 FOM 通态电阻 MOSFET
- 石金水
- 作品数：255被引量：406H指数：11
- 供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所
- 研究主题：直线感应加速器 束流 强流 脉冲功率 强流电子束
- 马平
- 作品数：55被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：氮化镓 发光二极管 电子阻挡层 成核 铟镓氮
